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onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：2，ロジックゲート出力， HCPL0638onsemi

￥649税込￥714

1個

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仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間17ns標準降下時間5ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(V)3750ac

onsemi フォトカプラ，表面実装，トランジスタ出力， FODM8801AR2onsemi

￥459税込￥505

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仕様●最大電流変換率：2.3●論理出力：ありピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMini-Flat実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間5.5μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8絶縁電圧(V)3750ac

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HCPL4503Monsemi

￥739税込￥813

1箱(2個)

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●最小電流伝送率：0.19●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.8μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)5000ac

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 35A， 1000V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC3510Wonsemi

￥4,498税込￥4,948

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仕様一体型成形ヒートシンクは、熱抵抗が非常に低く、最大の熱放散を実現しました過負荷定格電流： 300A ～ 400A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - GBPC パッケージ用銀ニッケル用途この製品は一般的な用途であり、さまざまな用途に適しています寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300 → 400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817C3SDonsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：ACチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac

onsemi スイッチングダイオード表面実装， 1A， 200V，シングル，エレメント数 1 DO-214BA (GF1)， 2-Pin 1.1Vonsemi

￥2,898税込￥3,188

1箱(50個)

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仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.7幅(mm)2.9寸法(mm)4.7×2.9×2.7高さ(mm)2.7ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65 、(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大逆電圧(V)200

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1202onsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(2個)

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仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596長さ(mm)29幅(mm)29ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817BSDonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様論理出力あり、オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：ACチャンネル数1機能(特殊機能)AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)600絶縁電圧(V)5000 ac

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817B300onsemi

￥339税込￥373

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：2.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， H11L1SR2Monsemi

￥729税込￥802

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5絶縁電圧(kVrms)7.5

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， H11L1TVMonsemi

￥589税込￥648

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， HCPL0600onsemi

￥259税込￥285

1個

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間50ns標準降下時間12ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)15絶縁電圧(kVrms)3.75

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FODM2705R2onsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)300絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， HCPL0601R2onsemi

￥1,398税込￥1,538

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onsemi アナログスイッチ表面実装 SC-70， 6-Pin， FSA4157P6Xonsemi

￥439税込￥483

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仕様アナログスイッチ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2×1.25×1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSC-70実装タイプ表面実装最小動作温度(℃)-40

電圧レベルシフタ onsemionsemi

￥209税込￥230

1箱(10個)

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仕様●電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor●伝播遅延テスト条件：30pF●論理回路：FXLPタイプロジック：バッファ出力電流(mA)低レベル：(Max)2.6、高レベル：(Max)-2.6ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Min)-40、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)1 、(Max)3.6

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：2，オープンコレクタ出力， HCPL062Nonsemi

￥3,398税込￥3,738

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間16ns標準降下時間4ns出力デバイスオープンコレクタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)2500

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， FOD852onsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(10個)

10日以内出荷

仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスフォトダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 8A， 800V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU8Konsemi

￥919税込￥1,011

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBU実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)50ピーク順方向電圧(V)1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， FOD8523Sonsemi

￥919税込￥1,011

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥679税込￥747

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：8.7 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET200 V 5.7 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,098税込￥1,208

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.7 A高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)690最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 8A， 200V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU8Donsemi

￥4,698税込￥5,168

1セット(20個)

欠品中

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 17 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)79材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817A300onsemi

￥299税込￥329

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 12A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC1201onsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)12ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET900 V 8 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥3,898税込￥4,288

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333長さ(mm)10.1シリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)205000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)900最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， H11L1SVMonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)30絶縁電圧(V)7500 ac

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817BSonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)260絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，オープンコレクタ出力， FODM611R2onsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(10個)

7日以内出荷

チャンネル数1ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスオープンコレクタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)3.75

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 1.7 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥829税込￥912

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.6 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi ブリッジ整流器， 35A， 400V， 4ピンonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)400ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi クロスポイントスイッチonsemi

￥699税込￥769

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●3dBバンド幅：115MHz●アレイ構成：12 X 9●標準シングル供給電圧：5 V長さ(mm)9.7寸法(mm)9.7×4.4×0.9高さ(mm)0.9ピン数(ピン)28電源タイプ単一電源RoHS指令(10物質対応)対応特性ビデオスイッチ、Fairchild SemiconductorパッケージTSSOP実装タイプ表面実装カテゴリービデオ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1， MOSFET出力， FOD3182onsemi

￥939税込￥1,033

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様入力電流タイプ：DCチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間38ns標準降下時間24ns出力デバイスMOSFET最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 100V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2501Wonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション長さ(mm)29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上ファストン端子回路構成シングルパッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ロジックゲート出力， FOD060Lonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間22ns標準降下時間3ns出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 4A， 600V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU4Jonsemi

￥3,198税込￥3,518

1セット(20個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ブリッジタイプ単相

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817SDonsemi

￥28,980税込￥31,878

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タイプ入力電流：AC/DCシリーズFOD817チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)5000 ac (最小)最小電流伝送率(%)50

onsemi フォトカプラ，表面実装，ロジックゲート出力， H11L1SR2VMonsemi

￥829税込￥912

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仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスロジックゲート最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

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