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onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 800V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7V
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(50個)7日以内出荷仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)75
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -500 mA， KSP92TA
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(100個)7日以内出荷仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-300最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-500トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン40最大動作周波数(MHz)100onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7V
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(50個)7日以内出荷仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)75
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 600 mA， KSP2222ABU
onsemi￥339税込￥3731箱(10個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1.2 A， KSC2690AYSTU
onsemi￥4,498税込￥4,9481セット(60個)7日以内出荷仕様パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)8×3.25×11ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(W)20最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1
onsemi 整流ダイオード， 200mA， 100V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥89税込￥981箱(5個)7日以内出荷仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：200mAピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorパッケージSOD-80実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4
onsemi 基準電圧IC， 出力：2.5 - 36V 表面実装 可変， 3ピン， LM431SACMFX
onsemi￥819税込￥9011箱(50個)7日以内出荷仕様電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。 このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。寸法(mm)3×1.7×1出力電圧(V)(Min)2.5 (カソード) 、(Max)36公称電圧(V)2.5 - 36出力電流(mA)(Max)100ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-25RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装トポロジーシャント立ち上がり精度(%)±2.0基準タイプ可変
onsemi フォトトランジスタ， 表面実装 2ピン KDT00030TR
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(20個)7日以内出荷仕様チップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答 幅広い照明範囲、優れた出力線形性 小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタ、感度スペクトルレンジ：最大630 nm、最大光電流：1100μA、最大暗電流：100nA寸法(mm)1.7×0.8×0.6高さ(mm)0.6チャンネル数1ピン数(ピン)2極性NPNRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， KSD1616AGTA
onsemi￥469税込￥5161箱(10個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン135， 200最大動作周波数(MHz)160最大パワー消費750 mW
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， スルーホール， KSC2383OTA
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷寸法(mm)5.1×4.1×8.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， KSC2383YTA
onsemi￥3,500税込￥3,8501箱(50個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160最大動作周波数(MHz)100
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTM
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(10個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大エミッタ-ベース間電圧(V)12最大コレクタ-ベース間電圧(V)1200トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン12最大動作周波数(MHz)1最大パワー消費50 W
onsemi 整流ダイオード， 15A， 60V スルーホール， 3-Pin TO-220AB ショットキーバリア
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(10個)7日以内出荷仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●整流タイプ：ショットキー整流器●最大連続 順方向電流：15Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 50 mA， KSC1845FTA
onsemi￥3,998税込￥4,3981箱(200個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)110
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 500mA， 200V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB2S
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(25個)7日以内出荷仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 17 A， 2SC5200OTU
onsemi￥5,698税込￥6,2681箱(5個)7日以内出荷仕様最大動作周波数：30 MHz寸法(mm)20×5×26ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性パワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージTO-264実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)250最大パワー消費(W)150最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)250トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)17トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン80
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装 パッケージSOT-563 6 ピン
onsemi￥2,998税込￥3,2981セット(50個)7日以内出荷仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)250チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， スルーホール， BC556BTF
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(50個)7日以内出荷寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi￥2,498税込￥2,7481箱(25個)7日以内出荷仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路寸法(mm)6.6×4.5×1.05ピン数(ピン)20動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)21チップ当たりのエレメント数2低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pF
onsemi 74VHC バッファ 非反転， 20ピン TSSOP
onsemi￥5,398税込￥5,9381セット(73個)7日以内出荷仕様論理回路：74VHC、74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS寸法(mm)6.5×4.4×0.9高さ(mm)0.9タイプロジック：バッファ、 ラインドライバ入力種類TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装低レベル出力電流(mA)(Max)8高レベル出力電流(mA)(Max)-8最大伝播遅延時間@最大CL12 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 600 mA， 2N4401BU
onsemi￥269税込￥2961箱(10個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最大パワー消費625 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル
onsemi クワッド2入力NAND， NAND， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(25個)7日以内出荷仕様論理回路：HCタイプロジック：NAND入力種類シュミットトリガピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL186 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力あり
onsemi 汎用 整流ダイオード， 3A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi￥3,598税込￥3,9581セット(50個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 400V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF04S
onsemi￥719税込￥7911箱(5個)7日以内出荷仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージSDIP実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥499税込￥5491個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：125 nC @ 20 VシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)131チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -100 mA， BC557BTF
onsemi￥2,698税込￥2,9681箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor寸法5.2 x 4.19 x 5.33mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10
onsemi 890nm 赤外線発光ダイオード， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (6.1 Dia. x 8.77mm)
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(25個)7日以内出荷仕様指向半値角：16°寸法(mm)6.1 Dia.×8.77ピーク波長(nm)890ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.7放射強度(mW/sr)70材質(LED)AlGaAs
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 回路数:8， 74AC541SC
onsemi￥4,198税込￥4,6181セット(36個)7日以内出荷仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：AC寸法(mm)13×7.6×2.35タイプロジック：バッファ、 ラインドライバ入力種類シングルエンドピン数(ピン)20極性非反転回路数8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL8 ns @ 3.3 V出力タイプ3ステート
onsemi フォトトランジスタ， スルーホール実装， 赤外線 2ピン QSD123
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷仕様半値幅感度角度：±12°、最大暗電流：100nA、検出スペクトル：赤外線寸法(mm)6.1 Dia.×8.77直径(Φmm)6.1電圧(V)エミッタコレクタ：5チャンネル数1電流(mA)コレクター：16ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間7μs標準降下時間7μs電圧レベルシフタ onsemi
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(25個)7日以内出荷仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路タイプロジック：バッファ動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)2 → 6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24出力タイプ3ステート
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3022TVM
onsemi￥649税込￥7141箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)5300
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)37
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(10個)7日以内出荷仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)1.57ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
onsemi￥279税込￥3071個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 800 mA， BC33725BU
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(100個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥769税込￥8461箱(10個)7日以内出荷仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW
onsemi 汎用 整流ダイオード， 200mA， 200V 表面実装， 2-Pin SOD-80 シリコンジャンクション 1.25V
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(250個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.5ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200
onsemi Pチャンネル MOSFET50 V 130 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥369税込￥4061箱(10個)7日以内出荷仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)130最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費360 mW
onsemi ロジックゲート， AND， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥799税込￥8791箱(25個)7日以内出荷仕様AC/ACT08 には、 4 つの 2 入力 AND ゲートがあります。ICC は 74AC のみで 50% 削減されました 出力ソース / シンク： 24 mA 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、論理回路：AC高さ(mm)1.05タイプロジック：ANDピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pFエレメント数4ゲートあたりの入力数2
