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onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD814Aonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(25個)

7日以内出荷

タイプ入力電流：AC/DCシリーズFOD814チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000 ac (最小)

onsemi Nチャンネル MOSFET1000 V 8 A スルーホールパッケージTO-3PN 3 ピンonsemi

￥599税込￥659

1個

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：53 nC @ 10 V高さ(mm)18.9ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-3PN実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)225チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.45最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HCPL0453R2onsemi

￥969税込￥1,066

1箱(5個)

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装標準上昇時間5ns出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(V)2500ac

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， FOD852Sonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(10個)

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仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間300μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)150絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 8A， 600V， 22.3 x 18.8 x 3.56mm， GBU8Jonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)3.56ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBU 4L実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 600V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1506onsemi

￥4,398税込￥4,838

1箱(5個)

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仕様GBPC1506:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現していますサージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.125●標準ゲートチャージ @ Vgs：13 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)39000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ，表面実装， FQB5N90TMonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode5.4A 、 900 V 、 RDS ( on )2.7 A 低ゲート電荷量(標準) 31 nC ) 低 CRSs (標準) 13 pF ) 用途照明ピン数(ピン)2 + TabRoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)158最大動作温度(℃)150

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817C300Wonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)400絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FODM452R2onsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMFP実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.8最大入力電流(mA)25絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 4A， 400V， 22.3 x 3.56 x 18.8mm， GBU4Gonsemi

￥2,998税込￥3,298

1セット(20個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器耐高サージ電流基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)4ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 15A， 800V， 29 x 11.23 x 29mm， GBPC1508Wonsemi

￥4,298税込￥4,728

1箱(5個)

7日以内出荷

仕様GBPC1508:15 A ブリッジ整流器一体成形ヒートシンクにより、熱抵抗が非常に低く、最大限の放熱を実現していますサージ過負荷定格： 300 → 400 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上端子仕上げ材質 - 銀(ワイヤタイプ GBPC-W パッケージ向けにはんだ付け可能)、 - GBPC パッケージ用にニッケル用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。寸法(mm)29×11.23×29高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応パッケージGBPC-W実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)15ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 15.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：15.6 A幅(mm)6.1シリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲートパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817Bonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)260絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,498税込￥2,748

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，シュミットトリガー出力， H11L1VMonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性H11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。マイクロプロセッサ対応ドライブロジック互換出力パッケージDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスシュミットトリガー最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)4.17

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，シュミットトリガー出力， H11L3SR2Monsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性H11LXM シリーズは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと光学的に結合されている高速集積回路検出器を備えています。出力には、ノイズ耐性及びパルス整形用のヒステリシスを提供するシュミットトリガが組み込まれています。この検出器回路は、操作の簡素化に最適化されており、用途の柔軟性を最大限に高めるためにオープンコレクタ出力を採用しています。高データ転送速度、標準1 MHz (NRZ) ラッチアップや電圧範囲及び温度範囲全体にわたるオシロスコープを離してください。マイクロプロセッサ対応ドライブロジック互換出力パッケージSMT実装タイプ表面実装標準上昇時間0.1μs標準降下時間0.1μs出力デバイスシュミットトリガー最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)4.17

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817CSDonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間4μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)400絶縁電圧(V)5000 ac

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 25A， 200V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC2502onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(2個)

翌々日出荷

仕様UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上ファストン端子寸法(mm)29×29×11.23高さ(mm)11.23ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージGBPC実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)25ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， FOD8523SDonsemi

￥79,980税込￥87,978

1リール(1000個)

5日以内出荷

onsemi PWMコントローラ IC， 8-Pin PDIPonsemi

￥1,098税込￥1,208

1箱(10個)

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仕様PWM コントローラタイプ：SMPS、PWM (パルス幅変調)コントローラ、Fairchild Semiconductor幅(mm)6.4寸法(mm)9.6×6.4×3.4高さ(mm)3.4ピン数(ピン)8動作温度(℃)-25 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールスイッチング周波数(kHz)最大600最大供給電流(mA)1.8最大ソース電流(μA)-5最大シンク電流(μA)65スタートアップ供給電流(mA)15

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 56A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥499税込￥549

1個

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：56A●標準ゲートチャージ @ Vgs：110 nC @ 20 VシリーズUltraFETピン数(ピン)3特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)200チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(2個)

7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.82シリーズUltraFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-247実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)285チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33高さ(mm)5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-25トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 40最大ドレイン-ゲート間電圧(V)25ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)85ソースゲートオンキャパシタンス(pF)85

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(50個)

翌々日出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 2最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin TO-92onsemi

￥1,898税込￥2,088

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥889税込￥978

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)270チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥599税込￥659

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.7高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 AシリーズUltraFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HMHA2801onsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(25個)

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仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1機能(特殊機能)デジタルロジック入力、マイクロプロセッサ入力、電話回線レシーバピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)200最大電流変換率(%)600

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -50 mA， KSA992FBUonsemi

￥3,898税込￥4,288

1箱(200個)

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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-50トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン300， 430最大動作周波数(MHz)1

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， KSC3503DSTUonsemi

￥6,598税込￥7,258

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仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300最大パワー消費(W)7最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン60最大動作周波数(MHz)1

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -800 mA， KSA916YTAonsemi

￥2,898税込￥3,188

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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-120最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン120最大動作周波数(MHz)1

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -600 mA， KSP2907ATAonsemi

￥259税込￥285

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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mW

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 300 mA， KSP44TFonsemi

￥2,798税込￥3,078

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仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)500トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)300トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作周波数(MHz)1

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 150 mA， KSC945YTAonsemi

￥2,398税込￥2,638

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)250最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)150トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン120最大動作周波数(MHz)1

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HMHA2801AR2onsemi

￥1,598税込￥1,758

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仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)160絶縁電圧(Vrms)3750

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