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onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -1 A， BC640TA
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(50個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-100最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)100トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)100
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 500 mW
onsemi￥4,698税込￥5,1681袋(1000個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)1.91 (Dia.)×4.56ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)3最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)80
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， 300mA， 75V， シングル，エレメント数 1 SOD-323， 2-Pin 1V
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(100個)翌々日出荷から7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.8幅(mm)1.35高さ(mm)1寸法1.8 x 1.35 x 1mmダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1最大順方向電流(mA)300最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3041M
onsemi￥729税込￥8021箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(V)7500ac
電圧レベルシフタ onsemi
onsemi￥999税込￥1,0991箱(25個)7日以内出荷仕様●伝播遅延テスト条件：45pF●論理回路：HCタイプロジック：バッファピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)21チップ当たりのエレメント数1低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 45 pF
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， 表面実装， MMBFJ202
onsemi￥929税込￥1,0221箱(25個)7日以内出荷仕様N チャンネル汎用アンプ - このデバイスは、主に低レベルオーディオ向けに設計され、高インピーダンス信号源を使用する汎用用途に適しています。プロセス 52 から調達。用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(mW)350
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3062M
onsemi￥799税込￥8791箱(5個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.3V
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(50個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -800 mA， PN2907ATFR
onsemi￥3,598税込￥3,9581箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-800トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)100
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3023M
onsemi￥519税込￥5711箱(5個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductorチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.15最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)5.3
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， 74ACT244MTC
onsemi￥7,898税込￥8,6881セット(73個)7日以内出荷仕様74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：74ACT寸法(mm)6.5×4.4×0.9タイプロジック：バッファ、 ドライバ入力種類シングルエンドインターフェースバッファ&ラインドライバICピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)5.5低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)24最大伝播遅延時間@最大CL12.5 ns @ 50 pF出力タイプ3ステート
onsemi バストランシーバ 74ACシリーズ 8ビット， 非反転， 75mA， 2→ 6 V， 20-Pin SOIC
onsemi￥1,298税込￥1,4281セット(10個)7日以内出荷仕様●74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：74ACタイプロジック：バストランシーバ出力電流(mA)低レベル：(Max)75、高レベル：(Max)-75ピン数(ピン)20極性非反転回路数8RoHS指令(10物質対応)対応出力レベルTTL入力レベルTTL実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数18最大伝播遅延時間@最大CL9ns
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -200 mA， 2N3906BU
onsemi￥179税込￥1971箱(10個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-200トランジスタタイプPNP最大パワー消費625 mWonsemi CMOS バッファ 反転， 20ピン SOIC
onsemi￥4,198税込￥4,6181セット(36個)7日以内出荷仕様74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：CMOSタイプロジック：バッファ入力種類LS-TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性反転動作温度(℃)(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)7.8高レベル出力電流(mA)(Max)7.8最大伝播遅延時間@最大CL190 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， TIL117M
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2 μs標準降下時間2 μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大電流変換率(%)50絶縁電圧(V)7500 ac最大入力電流(A)3
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 220 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(100個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)220最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(50個)7日以内出荷仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC547CBU
onsemi￥3,500税込￥3,8501箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT6SD
onsemi￥959税込￥1,0551箱(10個)7日以内出荷チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプ表面実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)20絶縁電圧(kVrms)5
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 800 mA， BSR14
onsemi￥949税込￥1,0441箱(20個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)350最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作周波数(MHz)300onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC546BTF
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(200個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン110最大動作周波数(MHz)1onsemi 小信号 整流ダイオード， シリーズ， 200mA， 100V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥399税込￥4391箱(10個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)200
onsemi 高電圧 整流ダイオード， 3A， 1200V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi￥1,798税込￥1,9781セット(50個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式高電圧RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5onsemi ラッチ， 20-Pin Dタイプ 表面実装 MM74HC573WMX
onsemi￥939税込￥1,0331箱(10個)7日以内出荷仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●ラッチエレメント：Dタイプ●ラッチモード：透明●論理回路：74HC長さ(mm)13.01寸法(mm)13.005×7.595×2.642高さ(mm)2.642ビット8bitピン数(ピン)20動作温度(℃)-40 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力タイプ3ステート
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -100 mA， BC556BTA
onsemi￥1,798税込￥1,9781箱(100個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3063M
onsemi￥1,198税込￥1,3181箱(10個)7日以内出荷仕様論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170ac(最小)
onsemi ロジックゲート， NAND， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥249税込￥2741箱(5個)7日以内出荷仕様●シュミットトリガ入力：なし●ロジックタイプ：NAND●低レベル出力電流 Max：24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：10ns●論理回路：AC入力CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応特性74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOSパッケージSOIC実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6、(Min) 2高レベル出力電流(mA)-24エレメント数4ゲートあたりの入力数2最小動作温度(℃)-40onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3022VM
onsemi￥669税込￥7361箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)5300onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC547BTF
onsemi￥2,998税込￥3,2981箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200， 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 50V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3V
onsemi￥2,298税込￥2,5281セット(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)150
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， 1A， 600V， シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1V
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95高さ(mm)2.2寸法4.75 x 2.95 x 2.2mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1.4最大逆電圧(V)600
onsemi 整流ダイオード， 1A， 800V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA)
onsemi￥759税込￥8351箱(50個)7日以内出荷仕様汎用整流器の世界では、 Fairchild Semiconductor の S1 ファミリの 1 A 、 P-I-N 、 SMA 整流器が、最適化された低漏洩電流、低静電容量、高速応答時間を実現する製品です。これを実現すると同時に、業界標準の VF 最大 1.1 V @ 1 A 、サージ定格 30 A を維持しています。現在の世界では、システムの電力効率が重要な差別化要因となっていますが、これらの利点を活用して、効率性の向上という目標を達成することができます。定格電流： 1 AIF ( AV 低漏洩電流：ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングルRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)1.8 (Typ.)
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3061M
onsemi￥579税込￥6371箱(5個)7日以内出荷仕様入力電流タイプ：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
フォトダイオード onsemi Si スルーホール実装 5mm package
onsemi￥2,198税込￥2,4181箱(25個)7日以内出荷仕様QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長さ(mm)4.95直径(Φmm)6.1高さ(mm)8.77波長(nm)ピーク感度：880ピン数(ピン)2ダイオード(材質)Si検出波長最大1100nm、最小700nmRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5ns標準降下時間5ns
onsemi フォトトランジスタ， スルーホール実装， 赤外線 2ピン QSE113
onsemi￥2,298税込￥2,5281箱(20個)7日以内出荷仕様QSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。 各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。 各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタ パッケージタイプ: 側方監視 中幅レセプション長さ(mm)4.44寸法(mm)4.44×2.54×5.08チャンネル数1ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間8μs標準降下時間8μsコレクタ電流(mA)1.5onsemi 汎用 整流ダイオード， 200mA， 120V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.25V
onsemi￥11,980税込￥13,1781リール(3000個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)120ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 6N136M
onsemi￥1,098税込￥1,2081箱(5個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.7最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 800V， 8.51 x 6.5 x 3.3mm， DF08S
onsemi￥719税込￥7911箱(5個)7日以内出荷仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流長さ(mm)8.51高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージSDIP実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55onsemi 汎用 整流ダイオード， 1A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3V
onsemi￥2,398税込￥2,6381セット(100個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)150
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY173SM
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(25個)7日以内出荷仕様CNY17XM 、 CNY17FXM 、 MOC810XM デバイスは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと NPN フォトトランジスタをデュアルインラインパッケージにまとめた製品です。高 BVCEO ： 70 V 以上( CNY17XM 、 CNY17FXM 、 MOC8106M ) 厳密に一致した電流伝達率( CTR ) ユニット間のバラツキを最小化します 選択したグループの現在の転送率 超低結合静電容量と、チップ対ピン 6 ベース接続がなく、最小ノイズサセプタンス( CNY17FXM 、 MOC810チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)200絶縁電圧(kVrms)4.17最小電流伝送率(%)100
