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onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -100 mA， BC556ABU
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10
onsemi 汎用 整流ダイオード， 2A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) シリコンジャンクション 1.15V
onsemi￥2,298税込￥2,5281セット(50個)8日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50最大連続順方向電流(A)2ピーク逆回復時間(μs)2
onsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mW
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)45ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi ロジックゲート， AND， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(25個)7日以内出荷仕様論理回路：HCタイプロジック：AND入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 15 pFゲートあたりの入力数2出力タイプLSTTL
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 1.5A， 100V， 8.51 x 6.5 x 3.3mm， DF01S
onsemi￥899税込￥9891箱(10個)7日以内出荷仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×3.3高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY173TVM
onsemi￥539税込￥5931箱(10個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間1μs標準降下時間2μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)200絶縁電圧(V)7500 ac
onsemi 反射型 光センサ 4-Pin SMD 表面実装
onsemi￥969税込￥1,0661箱(5個)7日以内出荷長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応特性反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型 エミッタとディテクタの向きが同じ 小型 誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック 光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応パッケージSMD実装タイプ表面実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
onsemi 小信号 整流ダイオード， シリーズ， 200mA， 120V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.25V
onsemi￥229税込￥2521箱(10個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)120ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -100 mA， BC559CTA
onsemi￥3,198税込￥3,5181箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン420最大動作周波数(MHz)10
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥1,398税込￥1,5381箱(10個)7日以内出荷仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi￥1,298税込￥1,4281箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2083333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチングパッケージSOT-223実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 800 mA， BC33716TA
onsemi￥3,500税込￥3,8501箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)10トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)50onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 100 mA， BC548CTA
onsemi￥2,898税込￥3,1881箱(200個)7日以内出荷仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)1
onsemi ロジックゲート， AND， 表面実装， 2-入力， NC7SV08P5X
onsemi￥859税込￥9451セット(50個)7日以内出荷仕様TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor、伝播遅延テスト条件：30pF、論理回路：TinyLogic ULP-Aタイプロジック：AND入力種類CMOSピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)0.9 、(Max)3.6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL5.3 ns @ 30 pFエレメント数1ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なしonsemi 汎用 整流ダイオード， 200mA， 200V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.15V
onsemi￥2,798税込￥3,0781セット(200個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2最大連続順方向電流(mA)200onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， 4N32M
onsemi￥569税込￥6261箱(10個)7日以内出荷仕様●オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor●論理出力：ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)80絶縁電圧(V)2500 dc、7500 ac最小電流伝送率(%)500
onsemi インバータ インバータ シュミットトリガ 74
onsemi￥779税込￥8571箱(25個)7日以内出荷仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：AC寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ入力種類シュミットトリガピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL13.5nsシュミットトリガー入力ありonsemi ロジックゲート， NOR， 表面実装， 2-入力， 74
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(55個)7日以内出荷仕様論理回路：HC、74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSタイプロジック：NOR入力種類CMOSピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL113nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし
onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A、3.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(10個)7日以内出荷仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)8動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5、3.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)95190最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費2 W
onsemi 汎用 整流ダイオード， 300mA， 75V 表面実装， 2-Pin SOD-523F シリコンジャンクション 1V
onsemi￥1,998税込￥2,1981セット(200個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)75ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi フォトカプラ， 表面実装 チャンネル数：1， ダーリントン出力， 4N32SM
onsemi￥2,398税込￥2,6381箱(25個)7日以内出荷仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)2500最大入力電流(A)3
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 200 mA， 2N3904TFR
onsemi￥3,698税込￥4,0681箱(200個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)300
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， PN2222ATA
onsemi￥339税込￥3731箱(10個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， MMPQ2222A
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(5個)7日以内出荷仕様最大動作周波数：300 MHzピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応特性デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数4最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成絶縁型最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作温度(℃)150onsemi スイッチングダイオード 表面実装， 300mA， 75V， シングル，エレメント数 1 SOD-523， 2-Pin 1V
onsemi￥999税込￥1,0991箱(100個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.3幅(mm)0.9高さ(mm)0.7寸法1.3 x 0.9 x 0.7mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75
onsemi ツェナーダイオード 3.3V スルーホール 500 mW
onsemi￥999税込￥1,0991箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor寸法1.91 (Dia.) x 4.56mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールテスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(μA)25最大パワー消費(mW)500ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トライアック出力， MOC3012M
onsemi￥1,698税込￥1,8681箱(20個)7日以内出荷チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアックドライバ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(Vrms)4170 ac (最小)
onsemi TVSダイオード， 双方向， スルーホール， 21.2V， P6KE15CA
onsemi￥359税込￥3951箱(5個)当日出荷仕様ダイオード構成：シングル寸法(mm)7.62×3.56×3.56ピン数(ピン)2特性TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild SemiconductorパッケージDO-15実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12.8最大クランピング電圧(V)21.2最小ブレークダウン電圧(V)14.3ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)28最大逆漏れ電流(μA)5最小動作温度(℃)-65
onsemi 940nm 赤外線発光ダイオード， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (6.1 Dia. x 8.77mm)
onsemi￥1,598税込￥1,7581箱(25個)7日以内出荷仕様指向半値角：40°寸法(mm)6.1 Dia.×8.77ピーク波長(nm)940ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.6放射強度(mW/sr)27 (Minimum)材質(LED)AlGaAs、GaAs
onsemi スイッチングダイオード 表面実装， シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1V
onsemi￥1,998税込￥2,1981箱(50個)7日以内出荷仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95寸法(mm)4.75×2.95×2.2高さ(mm)2.2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.1
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：1， トランジスタ出力， CNY172M
onsemi￥539税込￥5931箱(10個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.25●最小電流伝送率：0.63チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 800 mA， BC33740TA
onsemi￥319税込￥3511箱(10個)7日以内出荷仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大エミッタ-ベース間電圧(V)5トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)100最大パワー消費625 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
onsemi￥269税込￥2961個7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングルonsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mW
onsemi￥999税込￥1,0991セット(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)2.7最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
onsemi 小信号 整流ダイオード， 300mA， 100V スルーホール， 2-Pin DO-35 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥369税込￥4061箱(50個)7日以内出荷仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor直径(Φmm)1.53ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300
onsemi ツェナーダイオード 4.7V スルーホール 1 W
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(200個)7日以内出荷仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)53最大逆漏れ電流(μA)10ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 100V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1V
onsemi￥959税込￥1,0551箱(50個)7日以内出荷仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高電流に対応 ガラス不動態化ジャンクション整流器とは これらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 7.2 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
onsemi￥1,498税込￥1,6481箱(5個)7日以内出荷仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 10 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)3チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65
onsemi フォトカプラ， スルーホール実装 チャンネル数：2， トランジスタ出力， MCT9001
onsemi￥859税込￥9451箱(10個)7日以内出荷仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6チャンネル数2ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPDIP実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2.4μs標準降下時間2.4μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)10絶縁電圧(kVrms)5onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -600 mA， 2N4403TFR
onsemi￥3,198税込￥3,5181箱(200個)7日以内出荷仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-600トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)200
