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onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 100V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB1Sonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(25個)

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仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 800mA， 1000V， 4.95 x 4.2 x 2.5mm， MB10Sonsemi

￥2,098税込￥2,308

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.5ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)800

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 2 A， KSC2328AYTAonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(50個)

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仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor寸法(mm)4.9×3.9×8ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1

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onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -1 A， KSA1013YTAonsemi

￥3,198税込￥3,518

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)-6最大コレクタ-ベース間電圧(V)-160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)-1トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1.2 A， KSC2690AYSonsemi

￥4,498税込￥4,948

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(W)20最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HMHA281R2onsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.3最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， HMHAA280R2onsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途タイプ入力電流：ACチャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間3μs標準降下時間3μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.4最大入力電流(mA)50最大電流変換率(%)600絶縁電圧(Vrms)3750

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 400V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥979税込￥1,077

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仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)50

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 500 mA， KSP42TAonsemi

￥329税込￥362

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)300最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン40最大パワー消費625 mW

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 300 mA， KSP44TAonsemi

￥449税込￥494

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-92実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)400最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)66最大コレクタ-ベース間電圧(V)500トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)300トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50最大動作温度(℃)150

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -500 mA， KSP92TAonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様高電圧PNPトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-300最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-300トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-500トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン40最大動作周波数(MHz)100

onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 600V スルーホール， 2-Pin DO-41 シリコンジャンクション 1.7Vonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様ON Semi UF4001-UF4007高速整流器. ON Semiconductor UF4001～UF4007 シリーズは、DO-41 (DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1 Aガラス不動態化ジャンクション整流器は、さまざまな用途に使用できる、信頼性の高い汎用コンポーネントです。. 特長と利点: 低順方向電圧降下耐高サージ電流高電流に対応ガラス不動態化ジャンクション整流器とはこれらのデバイスは、ダイオードの周りにガラス不動態化層があります。ガラス不直径(Φmm)2.72ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)75

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 600 mA， KSP2222ABUonsemi

￥309税込￥340

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大パワー消費625 mW

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1.2 A， KSC2690AYSTUonsemi

￥4,698税込￥5,168

1セット(60個)

5日以内出荷

仕様パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor寸法(mm)8×3.25×11ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(W)20最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1.2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン160最大動作周波数(MHz)1

onsemi 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V 表面実装可変， 3ピン， LM431SACMFXonsemi

￥749税込￥824

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。寸法(mm)3×1.7×1出力電圧(V)(Min)2.5 (カソード) 、(Max)36公称電圧(V)2.5 - 36出力電流(mA)(Max)100ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-25RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装トポロジーシャント立ち上がり精度(%)±2.0基準タイプ可変

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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 600 mA， KSP2222ATAonsemi

￥329税込￥362

1箱(10個)

4日以内出荷から5日以内出荷

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onsemi フォトトランジスタ，表面実装 2ピン KDT00030TRonsemi

￥1,798税込￥1,978

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仕様チップLEDフォトトランジスタ光検出器、KDT00030. 人間の目に近いスペクトル応答幅広い照明範囲、優れた出力線形性小型筐体: 1.7 x 0.8 mm 低プロファイル: 0.6 mm フィルタ技術を用いたフォトトランジスタ、感度スペクトルレンジ：最大630 nm、最大光電流：1100μA、最大暗電流：100nA寸法(mm)1.7×0.8×0.6高さ(mm)0.6チャンネル数1ピン数(ピン)2極性NPNRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， KSD1616AGTAonsemi

￥319税込￥351

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン135， 200最大動作周波数(MHz)160最大パワー消費750 mW

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN，スルーホール， KSC2383OTAonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(25個)

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寸法(mm)5.1×4.1×8.2ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， KSC2383YTAonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)160最大パワー消費(mW)900最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)160トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100， 160最大動作周波数(MHz)100

onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 2 A， KSC5502DTMonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600最大エミッタ-ベース間電圧(V)12最大コレクタ-ベース間電圧(V)1200トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)2トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン12最大動作周波数(MHz)1最大パワー消費50 W

onsemi 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V 表面実装可変， 3ピン， LM431SCCM3Xonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様電圧リファレンス、調節可能、Fairchild Semiconductor. このFairchild Semiconductorの低電力、低電流用途向けシャントレギュレータは、調整可能 / プログラム可能な出力電圧と優れた熱安定性を特長としています。このシャントレギュレータは、低ダイナミック出力インピーダンスと高速ターンオン応答特性を備え、産業用使用温度範囲で動作します。寸法2.92 x 1.3 x 0.93mm出力電圧(V)(Min)2.5 (カソード) 、(Max)36公称電圧(V)2.5 - 36出力電流(mA)(Max)100ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-25RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装トポロジーシャント立ち上がり精度(%)±0.5基準タイプ可変

onsemi 整流ダイオード， 15A， 60V スルーホール， 3-Pin TO-220AB ショットキーバリアonsemi

￥1,798税込￥1,978

1箱(10個)

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仕様●ダイオードタイプ：ショットキー●ダイオードテクノロジー：ショットキーバリア●整流タイプ：ショットキー整流器●最大連続順方向電流：15Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 50 mA， KSC1845FTAonsemi

￥3,698税込￥4,068

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)120トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)50トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)110

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 500mA， 200V， 4.95 x 4.2 x 2.7mm， MB2Sonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器長さ(mm)4.95高さ(mm)2.7ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)35ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1ピーク平均順方向電流(mA)500

onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 Wonsemi

￥829税込￥912

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)21最大逆漏れ電流(μA)5ツェナータイプ汎用ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)9

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onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥329税込￥362

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS●シュミットトリガ入力：なし●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：HCタイプロジック：AND出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2ピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6最大伝播遅延時間@最大CL121 ns @ 2 V、 20 ns @ 6 V、 24 ns @ 4.5 Vエレメント数4ゲートあたりの入力数2

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 17 A， 2SC5200OTUonsemi

￥4,198税込￥4,618

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様最大動作周波数：30 MHz寸法(mm)20×5×26ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性パワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージTO-264実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)250最大パワー消費(W)150最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)250トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)17トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン80

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 280 mA 表面実装パッケージSOT-563 6 ピンonsemi

￥1,598税込￥1,758

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)6動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)250チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)280最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， PNP，スルーホール， BC556BTFonsemi

￥1,298税込￥1,428

1箱(50個)

7日以内出荷

寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5トランジスタ構成シングルトランジスタタイプPNP

電圧レベルシフタ onsemionsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています用途この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路寸法(mm)6.6×4.5×1.05ピン数(ピン)20動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)21チップ当たりのエレメント数2低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pF

onsemi 74VHC バッファ非反転， 20ピン TSSOPonsemi

￥4,898税込￥5,388

1セット(73個)

5日以内出荷

仕様論理回路：74VHC、74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS寸法(mm)6.5×4.4×0.9高さ(mm)0.9タイプロジック：バッファ、ラインドライバ入力種類TTLチャンネル数8ピン数(ピン)20極性非反転RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装低レベル出力電流(mA)(Max)8高レベル出力電流(mA)(Max)-8最大伝播遅延時間@最大CL12 ns @ 50 pFシュミットトリガー入力なし出力タイプ3ステート

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 600 mA， 2N4401BUonsemi

￥229税込￥252

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)600トランジスタタイプNPN最大パワー消費625 mW

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル

onsemi 汎用整流ダイオード， 3A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2Vonsemi

￥3,500税込￥3,850

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 400V， 8.51 x 6.5 x 2.6mm， DF04Sonsemi

￥759税込￥835

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージSDIP実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -100 mA， BC557BTFonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor寸法5.2 x 4.19 x 5.33mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10

onsemi 890nm 赤外線発光ダイオード， 5 mm 砲弾型 (T-1 3/4) (6.1 Dia. x 8.77mm)onsemi

￥1,698税込￥1,868

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仕様指向半値角：16°寸法(mm)6.1 Dia.×8.77ピーク波長(nm)890ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応LED使用数(個)1実装タイプスルーホール実装最大供給電圧(V)1.7放射強度(mW/sr)70材質(LED)AlGaAs

onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin，回路数:8， 74AC541SConsemi

￥3,698税込￥4,068

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仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路：AC寸法(mm)13×7.6×2.35タイプロジック：バッファ、ラインドライバ入力種類シングルエンドピン数(ピン)20極性非反転回路数8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL8 ns @ 3.3 V出力タイプ3ステート

onsemi フォトトランジスタ，スルーホール実装，赤外線 2ピン QSD123onsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(25個)

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仕様半値幅感度角度：±12°、最大暗電流：100nA、検出スペクトル：赤外線寸法(mm)6.1 Dia.×8.77直径(Φmm)6.1電圧(V)エミッタコレクタ：5チャンネル数1電流(mA)コレクター：16ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間7μs標準降下時間7μs

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