onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, MMBT4403LT1Gonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT4401LT1Gonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi 整流ダイオード, 8A, 400V スルーホール, 2-Pin TO-220AC シリコンジャンクション 1.3Vonsemi7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 60nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor
onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AA (SMB), 2-Pin 875mVonsemi7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.6mm幅 = 3.95mm高さ = 2.27mm寸法 = 4.6 x 3.95 x 2.27mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 15 A, NJW0281Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi 回復整流器 整流ダイオード, 3A, 200V スルーホール, 2-Pin アキシャルリード型 シリコンジャンクション 1Vonsemi7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = アキシャルリード型最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
onsemi 整流ダイオード, 30mA, 40V 表面実装, 2-Pin SOD-523 ショットキーバリア 370mVonsemi7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT2222LT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi ダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 DO-201AD, 2-Pin 1Vonsemi翌々日出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃高さ = 9.5mm寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm直径 = 5.3mmメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 500 mA, BC817-25LT3Gonsemi翌々日出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi 小信号 整流ダイオード, 200mA, 100V 表面実装, 2-Pin SOD-523 シリコンジャンクション 1.2Vonsemi翌々日出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 高速ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
onsemi LEDドライバ IC, 20mA, 460mW, PWM 調光 2-Pin SOD-123onsemi翌々日出荷
出力電流 = 20mA入力電圧 = 45 VAC/DC入力電圧 = dc減光操作 = PWM最大出力パワー = 460mW用途 = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティングパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2出力電圧 Max = 7.5V先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -500 mA, MMBTA56LT1Gonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 SOD-123, 2-Pin 1Vonsemi5日以内出荷から7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.69mm幅 = 1.6mm高さ = 1.12mm寸法 = 1.12 x 2.69 x 1.6mmメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2211LT3Gonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 1 A, TIP29CGonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -1 A, TIP30CGonsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 8 A, 3-Pin TO-220onsemi5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V dc最大コレクタカットオフ電流 = 10μA寸法 = 10.63 x 4.9 x 16.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 100V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1Vonsemi5日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
onsemi ダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AA (SMB), 2-Pin 875mVonsemi5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.32mm幅 = 3.56mm高さ = 2.13mm寸法 = 2.13 x 4.32 x 3.56mmメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 600V スルーホール, 2-Pin DO-201AD シリコンジャンクション 1Vonsemi5日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 4 A, MJD243T4Gonsemi¥99,980税込¥109,978
1セット(2500個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 12.5 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -8 A, MJD45H11T4Gonsemi¥99,980税込¥109,978
1セット(2500個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.75 W最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 90 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.38 x 6.73 x 6.22mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN2233T1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 0.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847CDW1T1Gonsemi¥13,980税込¥15,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 600 mA, MMBT5551LT1Gonsemi¥10,980税込¥12,078
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BTT1Gonsemi¥11,980税込¥13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.9mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847BDW1T1Gonsemi¥15,980税込¥17,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BWT1Gonsemi¥11,980税込¥13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -16 A, MJW21193Gonsemi¥16,980税込¥18,678
1セット(30個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -16 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MBT3904DW1T3Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 1 A, BCP56T3Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.5 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2133LT1Gonsemi¥10,980税込¥12,078
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -600 mA, SMMBT2907ALT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 2 A, NSS40201LT1Gonsemi¥54,980税込¥60,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 460 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MMUN2231LT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848ALT1Gonsemi¥9,998税込¥10,998
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, MMUN2132LT1Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, MJD44H11T4Gonsemi¥99,980税込¥109,978
1セット(2500個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.75 W最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 85 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.38 x 6.73 x 6.22mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 4 A, MJE243Gonsemi7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
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