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ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 380 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥1,098税込￥1,2081袋(100個)翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN ダーリントンペア， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247
ON SEMICONDUCTOR￥699税込￥7691袋(2個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 3.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 2mA長さ = 21.08mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 36V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40
ON SEMICONDUCTOR￥419税込￥4611袋(10個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 160Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 17V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40
ON SEMICONDUCTOR￥689税込￥7581袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 70mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5347 → 1N5363シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-323
ON SEMICONDUCTOR￥109税込￥1201袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
ON SEMICONDUCTOR￥939税込￥1,0331袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm高さ = 2.44mmピーク逆回復時間 = 35ns動作温度 Max = +150 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピン パッケージTO-220 PowerTrench シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥679税込￥7471個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥1,498税込￥1,6481袋(50個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ファストリカバリー 整流ダイオード， 1A， 100V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥899税込￥9891袋(50個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル IGBT， 600 V， 80 A， 3-Pin TO-247 シングル
ON SEMICONDUCTOR￥819税込￥9011個7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 349 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.6mm幅 = 4.7mm高さ = 20.6mm寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥779税込￥8571袋(100個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ショットキーバリアダイオード， 1A， 40V， 2-Pin DO-214AC (SMA)
ON SEMICONDUCTOR￥239税込￥2631袋(5個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 4.75mm幅 = 2.95mm高さ = 2.2mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応オンセミ， スイッチングダイオード， 200mA， 75V， 2-Pin SOD-323
ON SEMICONDUCTOR￥209税込￥2301袋(25個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 75V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.7mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 6ns動作温度 Min = -55 ℃メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 120 V， 30 A， 3-Pin TO-204
ON SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,7481袋(2個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 500 V， 18 A， 3 ピン パッケージTO-220F UniFET シリーズ
ON SEMICONDUCTOR￥579税込￥6371個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
ON SEMICONDUCTOR￥289税込￥3181袋(10個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 150V， 5 W， 2-Pin DO-15
ON SEMICONDUCTOR￥239税込￥2631袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = DO-15ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 330Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -12 V 固定出力， 3-Pin TO-220
ON SEMICONDUCTOR￥94税込￥1031個翌々日出荷仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， 整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41
ON SEMICONDUCTOR￥6,298税込￥6,9281袋(1000個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥429税込￥4721個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ， ツェナーダイオード， 6.2V， 5 W， 2-Pin 017AA-01
ON SEMICONDUCTOR￥559税込￥6151袋(10個)当日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = 017AA-01ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 200mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5333 → 1N5346シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / コンバータ， 3ステート 非反転， 1.2～5.5 V， 6-Pin SC-88
nexperia￥389税込￥4281袋(10個)翌々日出荷仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = トランシーバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 31.8ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作供給電圧 Min = 1.2 VRoHS指令(10物質対応)対応
NXP LVC バッファ 非反転， 5ピン SC-74A
nexperia￥799税込￥8791袋(100個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74Aピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 VRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 150mA， 100V， 3-Pin SOT-323 (SC-70)
nexperia￥169税込￥1861袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥109税込￥1201袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 8.2V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia￥359税込￥3951袋(20個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 700nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ツェナーダイオード， 3V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia(1件のレビュー)￥389税込￥4281袋(20個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia
Nexperia ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥149税込￥1641袋(10個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 2チャンネル 双方向 TVSダイオード， 200W， 70V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
nexperia￥959税込￥1,0551袋(20個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 1.4mmPESD1CAN、CANバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1CANは、小型のSOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、2つの車載コントローラエリアネットワーク(CAN)バスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 36V， 500 mW， 2-Pin DO-35
nexperia￥999税込￥1,0991袋(100個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin SOD-323
nexperia￥939税込￥1,0331袋(20個)翌々日出荷仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Max = +125 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応Nexperia ショットキーバリアダイオード， 1A， 20V， 2-Pin SOD-323
nexperia￥799税込￥8791袋(20個)翌々日出荷仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Murata セラミック発振子， セラロック 16MHz 3rdオーバートーン， 3-Pin スルーホール
MURATA(村田製作所)￥359税込￥3951袋(10個)翌々日出荷仕様共振周波数 = 16MHz周波数許容性 = ±0.5%発振モード = 3rdオーバートーン負荷キャパシタンス = 5pF共振抵抗 = 50Ω周波数エージング = ±0.2 %/年周波数偏差 = ±0.2%実装タイプ = スルーホールピン数 = 3長さ = 5.5mm動作温度 Max = +80 ℃動作温度 Min = -20 ℃CSTシリーズ. ロードコンデンサ内蔵RoHS指令(10物質対応)対応
Murata セラミック発振子， セラロック 16MHz 3rdオーバートーン， 3-Pin スルーホール
MURATA(村田製作所)￥379税込￥4171袋(10個)翌々日出荷仕様共振周波数 = 16MHz周波数許容性 = ±0.5%発振モード = 3rdオーバートーン負荷キャパシタンス = 15pF周波数エージング = ±0.2 %周波数偏差 = ±0.2%実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 5.5 x 3.5 x 6.5mm高さ = 6.5mm長さ = 5.5mm動作温度 Max = +80 ℃幅 = 3.5mm村田製作所CSTLSセラミック共振器. CSTLSセラミック共振器は、村田製作所のCERALOCK(R)シリーズに属する製品です。 CSTLSは、リード付きで、産業用途や消費者向け用途に応じた標準的な周波数許容偏差を実現しています。 このセラミック共振器は、負荷コンデンサを内蔵しているため、外部の負荷コンデンサは不要で発振回路に最適です。 これにより、高密度実装が可能になり、コストを抑えることができます。. 内蔵容量 高い費用効果 高信頼性 広い温度範囲で安定動作 軽量及びコンパクト 耐衝撃性. 製品用途の情報. このセラミック共振器に適した用途には、マイクロコンピュータやマイクロプロセッサ用のクロック発振器、OA機器、リモコンユニット、DTMFジェネレータなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
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TE Connectivity 熱収縮チューブ， 収縮前 1.6mm， 収縮後 0.8mm， 黒 CRN-1/16-0-STKTE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))税込￥494～￥449～
