制御機器：「A3 箱」の検索結果

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onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 57 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥859税込￥945

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)44チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 8 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)54チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 51 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,998税込￥2,198

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)320000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0高さ(mm)16.51ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)48チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-15 ， +15トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥399税込￥439

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：1.9 A幅(mm)1.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi MOSFETゲートドライバ 3 A SOT-23 1 5-Pin ローサイド反転，非反転表面実装onsemi

￥819税込￥901

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仕様ロジックタイプ：TTLピン数(ピン)5極性反転，非反転RoHS指令(10物質対応)対応特性ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor出力電流0.125供給電圧(V)18パッケージSOT-23実装タイプ表面実装ドライバ数1トポロジーローサイド出力数1

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 11 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥3,198税込￥3,518

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333シリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)35.7材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)340最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥699税込￥769

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：8.7 nC @ 5 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥1,898税込￥2,088

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥929税込￥1,022

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：58 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)55チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)200000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥879税込￥967

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2083333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングパッケージSOT-223実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

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5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 AシリーズUltraFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥899税込￥989

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.4 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,298税込￥1,428

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仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)42最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費69 W

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥419税込￥461

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：3 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥1,098税込￥1,208

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.125●標準ゲートチャージ @ Vgs：13 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷パッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)39000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 55 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：75 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3750チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥629税込￥692

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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW

onsemi Pチャンネル MOSFET150 V 1.8 A 表面実装パッケージMLPAK33 8 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V高さ(mm)0.95ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージMLPAK33実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)42000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET35 V 55 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：45 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)57チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)35最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 4N25VMonsemi

￥1,798税込￥1,978

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仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間2μs標準降下時間2μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)100絶縁電圧(Vrms)7500最大入力電流(A)3

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， FOD817A300onsemi

￥399税込￥439

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仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：1.6チャンネル数1ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージDIP-B実装タイプスルーホール実装標準上昇時間18μs標準降下時間18μs出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)70最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 15.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：15.6 A幅(mm)6.1シリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲートパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥919税込￥1,011

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.2 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild SemiconductorパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)65チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)150最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)282最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥989税込￥1,088

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.1 nC @ 10 V高さ(mm)1.7ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンonsemi

￥379税込￥417

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 AパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル

onsemi Pチャンネル MOSFET200 V 5.7 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：5.7 A高さ(mm)2.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)690最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET55 V 75 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥759税込￥835

1箱(2個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A幅(mm)4.7高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。用途: 高周波DC-DCコンバータ、スパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)325チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 10.5 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥949税込￥1,044

1箱(5個)

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)135000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンonsemi

￥759税込￥835

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：80 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild SemiconductorパッケージTO-220実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)242チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 39 A スルーホールパッケージTO-220F 3 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A幅(mm)4.9シリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)37チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

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onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 145 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥579税込￥637

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：145 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：89 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)153チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi

￥659税込￥725

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,198税込￥1,318

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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W

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onsemi NPN ダーリントントランジスタ， 30 V， 1.2 A， 3-Pin SOT-23onsemi

￥559税込￥615

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仕様ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大連続コレクタ電流(A)1.2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大エミッタ-ベース間電圧(V)10最大コレクタカットオフ電流(mA)0.0001最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)1.5最大コレクタ-ベース間電圧(V)40トランジスタ構成シングルトランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン4000

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 17 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥989税込￥1,088

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)79材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル

onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， 4N32SMonsemi

￥2,298税込￥2,528

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仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)2500最大入力電流(A)3

onsemi Pチャンネル MOSFET100 V 6.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥769税込￥846

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：6.6 Aピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55

onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 27 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピンonsemi

￥2,198税込￥2,418

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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：33 nC @ 10 VシリーズQFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(mW)120000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル