制御機器 ：「エレメント m20 1.5」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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エコ商品
ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1.5W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。Vishay P13SMシリーズ完全密閉ポテンショメータ. Vishay P13SMシリーズの完全密閉容器サーメットポテンショメータは、水深30 m (100フィート)までの深海条件に浸漬したポテンショメータを使用して電気パラメータを設定する必要がある用途に最適です。. 高い定格電力、1.5 W @70 ℃ 海水の侵入にも耐えるステンレススチールの軸とブッシングを採用 深さ30 mで動作 / 完全密閉IP68パネル 厳密な温度係数(代表値±75 ppm/℃) 深海に対応する密閉パネル 耐塩腐食(試験時間960 h) ヘビーデューティ構造 RoHS Directive 2002/95/ECに適合
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥16,980
税込￥18,678
5日以内出荷
0Ω～5MΩの幅広い抵抗値範囲、接触抵抗変化(C.R.V.)は 1 % 以下。貴金属合金多接点ワイパ採用。
抵抗値範囲：10Ω～5MΩ回転寿命：200回、端子強度：10N(1.02kgf)minimum、操作部押し強さ：5N(0.51kgf)minimum、はんだ付け性：245±3度 2～3s、熱衝撃：-65～125(0.5時間)5サイクル、負荷寿命：70度・0.5W・1000h、低温動作：-55度(2時間)、高温放置：120度(250時間)、耐水・密閉性：85度 60s、はんだ耐熱性：フロー/260±3度 5～6s 最大2回・手はんだ/380±10度 3～4s、残留抵抗：1 % 又は 2 Ω の何れか大きい方以下、接触抵抗変化：1 % 又は 3 Ω の何れか大きい方以下
抵抗(Ω)10～5M
仕様操作部押し強さ：5N(0.51kgf)minimum、残留抵抗：1%又は2Ωの何れか大きい方以下、接触抵抗変化：1%又は3Ωの何れか大きい方以下
材質ロータ：PBT、カバー：ステンレス、Oリング・ゴム板：シリコンゴム、電極体：Ag-Pdサーメット、抵抗体：RuO2、ベースエレメント：セラミック、端子：ニッケル・金メッキ、接着剤：エポキシ、ワイパ：多元合金
形状上面調整
質量(g)0.6
使用温度範囲(℃)-55～120
定格電力(W)0.5(70度)、0(120度)
入力電圧(V)最大DC200または定格電力のいずれか小さいほう
対応RoHS
包装形態ポリ袋
絶縁抵抗(MΩ)(DC500V)最大1000
寿命回転寿命：200回、荷寿命：70度・0.5W・1000h
電流(mA)最大ワイパ：100または定格電圧(V)電力のいずれか小さいほう
温度係数(抵抗)10・20Ω・5MΩ：±250 10-6/℃(MAX)、50Ω～2MΩ：100 10-6/℃(MAX)
引張強度N(kgf)端子強度：10(1.02)minimum
耐衝撃性981m/s2 6ms、6 directions for 3 times each
絶縁耐圧AC900V 60s
耐振動性能振幅(Amplitude)1.52mmまたは、加速度 (Acceleration) 196 m/s2、10～2000 Hz， 3 directions， 12 times each
はんだづけ端子はんだ付け性：245±3度 2～3s、はんだ耐熱性：フロー/260±3度 5～6s 最大2回・手はんだ/380±10度 3～4s
耐湿性-10～65(相対湿度80～98%)
温度サイクル熱衝撃：-65～125(0.5時間)5サイクル
耐水性耐水・密閉性：85度 60s
回転トルク(mN・m[gfcm])2～15(20～153)
抵抗値許容差(%)±10
抵抗変化特性直線性
電気的回転角度(°)230(1ターン)
機械的回転角度(°)270(1ターン)
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：11.5 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)69
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK+ (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 46 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥989
税込￥1,088
翌々日出荷
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