制御機器 ：「クランプファイル」の検索結果

極数 = 2。ピッチ = 5mm。行数 = 1。実装タイプ = スルーホール実装。結線方法 = スクリュー。タイプ = 基板端子台。定格電流 = 13.5A。接続方向 = ストレート。色 = 緑。定格電圧 = 300 V ac。シリーズ = Buchanan。幅 = 10mm。UL File no. E60677 、 CSA File no. LR7189. TE Connectivity 5.0 mm TERMI-BLOKシリーズ低プロファイル基板端子台(インターロック付). TE TERMI-BLOKシリーズは、 5mmセンターライン、サイドワイヤーエントリー、30～16AWG(0.05～1.3mm)のワイヤーサイズに対応するM3ネジクランプ端子を備えた低プロファイル基板端子台です。 これらの 5.0 mm 低プロファイル基板端子台は、インターロック機能も備えています。高品質の緑色 PA 66 GFから製造されています。 この端子盤を使用すると、データ、信号、電力を基板に直接安全に転送できます。恒久的なソリューションとして最適ですが、一時的な回路で使用することもできます。特長：高い製造品質 小型低プロファイル設計 動作温度： -40 → +110℃ インターロック機能 側面スタック可能. これらのブロックには M3 のねじが付いています。. RS PRO はメーカー独自のブランド製品で、高品質でお得な製品を幅広い品揃えでご提供いたします。世界中のエンジニアから信頼を得ているRS PRO製品は、すべての製品が厳しい業界標準に準拠して厳格にテストされています。メーカーが優れた品質を確信している製品に限り、RS PRO認証シールを付与しており、お客様も安心して使用できます。

2.54 mm ケージクランプコネクタ。特長と利点。単線、より線、フレキシブルな導体に適しています レバー操作 - 特殊工具不要 角度付きの導体入力 細かいピッチと低プロファイルによる省スペース設計

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

2.54 mm ケージクランプコネクタ。特長と利点。単線、より線、フレキシブルな導体に適しています レバー操作 - 特殊工具不要 角度付きの導体入力 細かいピッチと低プロファイルによる省スペース設計

Littelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

Eaton Bussmann シリーズ - CAMaster シリーズ. CAMaster シリーズのフルシュラウド HRC ヒューズホルダには、キャリアをヒューズベースから簡単に取り外すことができるカムが取り付けられています。これにより、ヒューズキャリアとヒューズベースコンタクト間の接触圧力が向上し、電気的性能が向上します。 ヒューズキャリアは、 2 極及び 3 極を簡単に付けられるように設計されています。これは、適切な関連極を同時に取り外すことで、電気回路の絶縁に関連する回路保護と安全性を向上させるモジュラヒューズホルダです。 このヒューズホルダは、前面に接続されていますが、独自の変換機能を備えています。背面スタッドアクセサリを使用すると、標準ヒューズホルダを前面接続タイプから背面スタッド及び背面二重スタッド接続タイプに変換できます。 ヒューズホルダケーブル終端には、ステンレススチール製のサドルと硬化処理された終端ねじがあり、プロファイルコンタクトプレートに対して恒久的なケーブルクランプを維持します。独自の使いやすい設計により、ケーブルやねじ山を損傷することなく高い締め付けトルクを実現し、高いケーブル引き抜き力に対する耐性を発揮し、長期的な信頼性を実現します。 ケーブルを挿入できるようにすでにバックアウトされている終端処理済みねじが付属しており、損失を防止し、ヒューズホルダの取り付けを容易にするために、キャプティブヒンジで保持されます。 このシリーズのヒューズホルダは、 2 つの取り付け方法があり、パネル取り付けと DIN レール取り付けの両方に対応しています。DIN レール取り付け機能は、標準 DIN レール寸法ごとに高さと深さが同じであるように製造されています。 このヒューズホルダの通電中の部品は、ヒンジ式内部シールドによってヒューズベース内で完全に覆われています。このシールドのヒンジ付き設計により、ヒューズキャリアの挿入は、ヒューズとホルダの取り付け時に保護できるように、ヒューズキャリアの位置を調整してのみ行うことができます。 ヒューズホルダには、回路を容易に識別できるようにマークラベルが付いています。また、ネオンクリップインインジケータアクセサリに対応しているため、ヒューズの状態を簡単に識別できます。

デルは、お客様のニーズに対応するために、比類のないエンジニアリングサポートを備えた、市場で最も広範で汎用性の高い D-subminiature コネクタのポートフォリオを提供しています。メーカーの信頼性の高い AMPLIMITE ケーブルコネクタには、さまざまな用途に対応できるように、さまざまなめっきタイプが揃っています。低コストで高性能の精密成形コンタクト 圧着スナップインコンタクトでは、使用中のコンタクト数のみ負荷をかけることができます 多数のケーブルクランプとかん合ハードウェアオプションが用意されています 用途 産業機械 医療用計測機器 コンピュータ及び周辺機器 RAID ストレージアレイ ファイルサーバ / ルータ テープ・ストレージ・システム 作業ステーション 機械内の産業用通信 個人用デバイスと携帯用デバイス

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.41mm。幅 = 6.22mm。Littelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

SMBJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 uA未満(12 Vを超える場合) 基板スペースを最大限に活用するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 ウィスカ試験 組み込みのストレインリリーフ 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) ピークパルス容量600 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % 標準最大温度係数ΔVBR = 0.1 % x VBR @ 25 ℃ x ΔT ガラス不動態化チップジャンクション はんだ付けに対する耐熱性を保証: 端子で260 ℃/40秒 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 9.3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.75 x 3.94 x 2.41mm。テスト電流 = 1mA。SMBJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 uA未満(12 Vを超える場合) 基板スペースを最大限に活用するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 ウィスカ試験 組み込みのストレインリリーフ 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) ピークパルス容量600 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % 標準最大温度係数ΔVBR = 0.1 % x VBR @ 25 ℃ x ΔT ガラス不動態化チップジャンクション はんだ付けに対する耐熱性を保証: 端子で260 ℃/40秒 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー