制御機器 ：「シングル クランク」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 121V。最小ブレークダウン電圧 = 92.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 75V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 129A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 86.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。テスト電流 = 5mA。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 75.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 23.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 87.1V。最小ブレークダウン電圧 = 60V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 54V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 193V。最小ブレークダウン電圧 = 133V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 120V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 3.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 24.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 9.3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.75 x 3.94 x 2.41mm。テスト電流 = 1mA。SMBJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 uA未満(12 Vを超える場合) 基板スペースを最大限に活用するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 ウィスカ試験 組み込みのストレインリリーフ 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) ピークパルス容量600 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % 標準最大温度係数ΔVBR = 0.1 % x VBR @ 25 ℃ x ΔT ガラス不動態化チップジャンクション はんだ付けに対する耐熱性を保証: 端子で260 ℃/40秒 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.41mm。幅 = 6.22mm。Littelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 49.9V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 30.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 Dia. x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 144.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。サージ電流レーティング = 200A。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0