制御機器 :「ダクター 薄型」の検索結果

制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 570 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 56 W標準ターンオン遅延時間 = 10 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(10個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

インダクタンス = 15 μH。最大直流電流 = 920mA。パッケージ/ケース = 0403。長さ = 4.5mm。奥行き = 4mm。高さ = 3.2mm。直径 = 4.5mm。寸法 = 4.5 x 4 x 3.2mm。シールド = なし。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 240mΩ。シリーズ = SDR0403。コア材料 = フェライトDR。最大自己共振周波数 = 28MHz。最小品質ファクター = 28℃。E12シリーズで使用可能 低プロファイル: わずか3.2 mm 低インダクタンス値 用途 DC / DCコンバータの入出力 次の電源装置用: - ポータブル通信機器 - ビデオカメラ - 液晶テレビ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
3,798 税込4,178
7日以内出荷

インダクタンス = 47 μH。最大直流電流 = 2.6A。パッケージ/ケース = 1260。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 6mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 6mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 86mΩ。シリーズ = SRR1260。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 7.63MHz。最小品質ファクター = 22℃。E12値で使用可能 インダクタンス範囲: 最小1.0 μH 定格電流: 9.4 A 用途 DC / DCコンバータの入出力 次の電源装置用: ポータブル通信機器 ビデオカメラ 液晶テレビ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

インダクタンス = 33 μH。最大直流電流 = 5A。パッケージ/ケース = 1806。長さ = 18.3mm。奥行き = 14mm。高さ = 6.8mm。寸法 = 18.3 x 14 x 6.8mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 83mΩ。シリーズ = SRR1806。コア材料 = フェライト。最大自己共振周波数 = 10MHz。最小品質ファクター = 44℃。SRR1806シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか6.8 mmという低プロファイルのBourns SRR1806シリーズSMDシールドパワーインダクタ。用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(250個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

インダクタンス = 120 μH。最大直流電流 = 2.3A。パッケージ/ケース = 1210 (3225M)。長さ = 12mm。奥行き = 12mm。高さ = 10mm。寸法 = 12 x 12 x 10mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 170mΩ。シリーズ = SRR1210。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 2.6MHz。最小品質ファクター = 13℃。SRR1210シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか10 mmという低プロファイルのBourns SRR1210シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(250個)
26,980 税込29,678
7日以内出荷

インダクタンス = 4.7 μH。最大直流電流 = 1.8A。パッケージ/ケース = 0604。長さ = 5.8mm。奥行き = 5.8mm。高さ = 4.8mm。直径 = 5.8mm。寸法 = 5.8 x 5.8 x 4.8mm。シールド = なし。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 80mΩ。シリーズ = SDR0604。コア材料 = フェライトDR。最大自己共振周波数 = 34MHz。最小品質ファクター = 20℃。E12シリーズで使用可能 低プロファイル: わずか3.3 mm 高インダクタンス: 最大15 mH 用途 DC / DCコンバータの入出力 次の電源装置用: - ポータブル通信機器 - ビデオカメラ - 液晶テレビ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
5,198 税込5,718
7日以内出荷

インダクタンス = 27 μH。最大直流電流 = 2.55A。パッケージ/ケース = 1240。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 4mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 4mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 85mΩ。シリーズ = SRR1240。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 15.5MHz。最小品質ファクター = 16℃。SRR1240シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか4.5 mmという低プロファイルのBourns SRR1240シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など. 高定格電流 高周波数に最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(800個)
64,980 税込71,478
7日以内出荷

インダクタンス = 270 μH。最大直流電流 = 1.6A。パッケージ/ケース = 1280。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 7.5mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 7.5mm。シールド = あり。許容差 = ±10%。最大直流抵抗 = 450mΩ。シリーズ = SRR1280。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 3.1MHz。最小品質ファクター = 20℃。SRR1280シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか7.5 mmという低プロファイルのBourns SRR1280シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など. 高定格電流 高周波数に最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(400個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

インダクタンス = 150 μH。最大直流電流 = 1.9A。パッケージ/ケース = 1280。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 7.5mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 7.5mm。シールド = あり。許容差 = ±10%。最大直流抵抗 = 270mΩ。シリーズ = SRR1280。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 4.1MHz。最小品質ファクター = 24℃。SRR1280シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか7.5 mmという低プロファイルのBourns SRR1280シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など. 高定格電流 高周波数に最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(400個)
36,980 税込40,678
7日以内出荷

インダクタンス = 10 μH。最大直流電流 = 6A。パッケージ/ケース = 1280。長さ = 12.5mm。奥行き = 12.5mm。高さ = 7.5mm。寸法 = 12.5 x 12.5 x 7.5mm。シールド = あり。許容差 = ±20%。最大直流抵抗 = 19.5mΩ。シリーズ = SRR1280。コア材料 = フェライトDR & RI。最大自己共振周波数 = 17MHz。最小品質ファクター = 24℃。SRR1280シリーズ磁気シールド付き巻線型インダクタ. わずか7.5 mmという低プロファイルのBourns SRR1280シリーズSMDシールドパワーインダクタです。 用途: 携帯型通信機器、ビデオカメラ、液晶テレビ、カーラジオのDC/DCコンバータや電源の入出力など. 高定格電流 高周波数に最適
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(400個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 265 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W標準ターンオフ遅延時間 = 95 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
419 税込461
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4Ω最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 28 W動作温度 Max = +150 ℃UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 38.5 W1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
499 税込549
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 kW1チップ当たりのエレメント数 = 1UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,898 税込3,188
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 300 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 129 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250W標準ターンオン遅延時間 = 35 nsUniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
659 税込725
7日以内出荷


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