制御機器 ：「トランス 18v」の検索結果

電源用ダウントランス

電源用ダウントランス。

複巻絶縁式トランスに比べて容積、重量ともに2 / 3以下で、より小型、軽量です。

Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 132 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ

Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 6 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ

Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 18 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ

Wurth Elektronik WE-CST 電流検出トランスは、AC 電流検出、スイッチモード電源、過負荷検出、負荷ドロップ / シャットダウン検出、測定などの用途で使用できます。インダクタンスは 132 μ H です。コンパクトで低プロファイルです SMD アセンブリ用

VD61 558 2×24V出力のトランスはVDE、SEVの認定を受けていません。 基板実装、低プロファイル、115/230 Vac、一次側 AC115V、50～60Hz、直列又は並列接続の2つの一次巻線 直列又は並列接続用の2つの二次巻線 低プロファイル、小型 UL94V-0定格の真空エポキシ樹脂成形 ダブルセクションのガラス繊維補強ポリアミドボビン 100%電気性能試験/フラッシュ試験済み 低巻線間キャパシタンス 低輻射ノイズ ボード取り付け用の予備固定穴 適合規格：EN60742、VDE0551、IEC61558

JISC-6436。各トランスには皿ワッシャ、保護パッドとねじ、単独穴取付用のボルトとワッシャが付いています。必ず、トランスの巻線の上下にパッドを取り付け、上側のパッドの上にさらに皿ワッシャを取り付けてください。巻線を損傷する恐れがありますので、固定ボルトを締め過ぎないようにしてください。固定ボルトの両端が金属シャーシやフレームに接触しないようにしてください。巻線が短絡して修理不可能な損傷が発生する恐れがあります。2´24V出力を持つタイプのトランスはVDE/SEVで認定されておりません。電源トランスHPシリーズ。プリント基板取付用小容量トランスピン端子タイプ

Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 27 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ

Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 27 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ

スマートセンサ CSS 014 センサ、インターフェース、トランスミッタの 3 つの機能を 1 つに統合しています。CSS 014 の基礎となるのは、小型のインテリジェントセンサで使用されている最新のマイクロテクノロジーおよびマイクロシステム技術(センサ技術と測定技術のサブ領域)です。 温度管理とエンクロージャの温度順応の専門家として、気温と湿度を記録

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 55 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 49 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

Phoenix Contact UTWE グレー壁面取り付け型ねじ接続テスト Terminal ストリップは、18 種類の接続、107 mm 幅で非常に厳しい要件を満たすように設計されています。高品質の素材を使用することで、複数回の作動後でも信号電流の伝送が保証されます。コンパクトなモジュラテスト Terminal ストリップにより、省スペース化を図れます リーディングトランスと自動トランスの短絡により最大限の安全性が確保されますこの記事は、Phoenix Contact の「 Complete Line 」シリーズ以外の製品です。Phoenix Contact の全ラインアップは、制御キャビネットに効率性、使いやすさ、一貫性をもたらすように設計された製品です。