制御機器 :「電動ゲート」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
仕様ゲートラッチタイプ = 自動ゲートラッチ材質 = スチール自動ゲートラッチ. 自動ゲートラッチ
1個
¥999
税込¥1,099
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絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 25ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 25nsシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥729
税込¥802
5日以内出荷
スマートゲートドライブオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。この高集積スマートゲートドライブオプトカプラには、アクティブミラークランプ、低電圧ロックアウト、故障 / UVLOステータスフィードバック及び不飽和検出といった保護機能が組み込まれています。保護機能の他に、フローティング電源用のDC-DCコントローラも内蔵しています。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。このソリューションでは、論理信号を高電圧から絶縁して保護します。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = BiCMOS / DMOSピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC標準上昇時間 = 0.1μs絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = ありシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(45個)
¥26,980
税込¥29,678
7日以内出荷
スマートゲートドライブオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。この高集積スマートゲートドライブオプトカプラには、アクティブミラークランプ、低電圧ロックアウト、故障 / UVLOステータスフィードバック及び不飽和検出といった保護機能が組み込まれています。保護機能の他に、フローティング電源用のDC-DCコントローラも内蔵しています。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。このソリューションでは、論理信号を高電圧から絶縁して保護します。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SO入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 80ns最大入力電流 = 400 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 45nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(45個)
¥32,980
税込¥36,278
7日以内出荷
スマートゲートドライブオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。この高集積スマートゲートドライブオプトカプラには、アクティブミラークランプ、低電圧ロックアウト、故障 / UVLOステータスフィードバック及び不飽和検出といった保護機能が組み込まれています。保護機能の他に、フローティング電源用のDC-DCコントローラも内蔵しています。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。このソリューションでは、論理信号を高電圧から絶縁して保護します。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBT ゲートドライブピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = ありシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥989
税込¥1,088
5日以内出荷
スマートゲートドライブオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。この高集積スマートゲートドライブオプトカプラには、アクティブミラークランプ、低電圧ロックアウト、故障 / UVLOステータスフィードバック及び不飽和検出といった保護機能が組み込まれています。保護機能の他に、フローティング電源用のDC-DCコントローラも内蔵しています。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。このソリューションでは、論理信号を高電圧から絶縁して保護します。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBT ゲートドライブピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = ありシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(45個)
¥29,980
税込¥32,978
7日以内出荷
Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 132 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ
仕様●一次定格電圧:9 To 18V●出力数:2●実装タイプ:表面実装●アプリケーション:フライバック●インダクタンス:7μH●コード番号:227-8209
アズワン品番65-7220-17
1個
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様最大順方向電圧 = 1.85V最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5000 Vrmsシリーズ = ACPL特殊機能 = 低入力インピーダンス及び低ノイズ感度の直接LED入力、優れたノイズ耐性、ミラー電流クランプ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,098
税込¥1,208
5日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = SiC MOSFETゲートドライブ最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SO標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 30nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥41,980
税込¥46,178
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 50nsシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥11,980
税込¥13,178
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥19,980
税込¥21,978
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.95Vピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥17,980
税込¥19,778
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SSOP入力電流タイプ = AC, DC標準上昇時間 = 43ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 40nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,098
税込¥1,208
翌々日出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SO標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 30nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 27 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ
仕様●一次定格電圧:18 To 36V●出力数:1●実装タイプ:表面実装●アプリケーション:フライバック●インダクタンス:27μH
アズワン品番65-7220-20
1個
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 27 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ
仕様●一次定格電圧:18 To 36V●出力数:2●実装タイプ:表面実装●アプリケーション:フライバック●インダクタンス:27μH●コード番号:227-8214
アズワン品番65-7220-03
1個
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 18 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ
Wurth Elektronik WE-AGDT 補助ゲートドライブトランスは、産業用駆動、AC モータインバータ、HEV / EV 充電ステーション、バッテリ充電器、ソーラーインバータ用途で使用できます。インダクタンスは 6 μ H です。高効率で非常にコンパクトなソリューション 小型表面実装 EP7 パッケージ
仕様●一次定格電圧:9 To 18V●出力数:1●実装タイプ:表面実装●アプリケーション:フライバック●インダクタンス:6μH
アズワン品番65-7219-49
1個
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.95Vピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = HCPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥15,980
税込¥17,578
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SO入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 12 mA絶縁電圧 = 3750 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 50nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥22,980
税込¥25,278
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SSOP入力電流タイプ = AC, DC標準上昇時間 = 43ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 40nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 500ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 500nsシリーズ = HCNW
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(42個)
¥21,980
税込¥24,178
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBT ゲートドライブ最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SSOP入力電流タイプ = AC, DC標準上昇時間 = 43ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 40nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥27,980
税込¥30,778
7日以内出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 22ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 18nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(80個)
¥29,980
税込¥32,978
7日以内出荷
Phoenix Contact EM-MODBUS-GATEWAY-IFSPhoenix Contact EM-MODBUS-GATEWAY-IFS スタータは、Modbus/TCP 経由で最大 32 台のインターフェースシステムデバイスを上位のコントローラに接続するために使用します。インターフェースシステムデバイスは、DIN レールコネクタを介してゲートウェイに接続されます。これはモータの制御に使用されます。特長と利点
仕様●範囲:データインターフェース●全長:114.5mm●全体の幅:22.5mm●全体的な深さ:99mm●代表規格:EN 50178
アズワン品番65-7283-97
1個
¥75,980
税込¥83,578
7日以内出荷
特殊機能 絶縁DC-DCコンバータ用フライバックコントローラを内蔵
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler(TM)絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様最大順方向電圧 = 1.85Vピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(45個)
¥41,980
税込¥46,178
7日以内出荷
位相制御サイリスタ、Littelfuse. 熱制御やモータ制御などの位相制御用途向けの優れた単方向スイッチです。高感度ゲートSCRは、マイクロアンペアの電流で簡単にトリガできます。標準の位相制御SCRは、数マイクロアンペアの電流でトリガできます(1.5 V未満の電位で)。
仕様定格平均オン電流 = 1.5Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = SOT-223繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 15A実装タイプ = 表面実装最大ゲートトリガー電流 = 200μA最大ゲートトリガー電圧 = 0.8V最大保持電流 = 5mAピン数 = 3+Tab寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm動作温度 Min = -40 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥55,980
税込¥61,578
7日以内出荷
位相制御サイリスタ、Littelfuse. 熱制御やモータ制御などの位相制御用途向けの優れた単方向スイッチです。 高感度ゲートSCRは、マイクロアンペアの電流で簡単にトリガできます。 標準の位相制御SCRは、数マイクロアンペアの電流でトリガできます(1.5 V未満の電位で)。
仕様定格平均オン電流 = 65Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-218X繰返しピーク逆方向電圧 = 400Vサージ電流レーティング = 950A実装タイプ = スルーホール最大ゲートトリガー電流 = 50mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 80mAピン数 = 3寸法 = 16 x 4.78 x 21.21mm繰返しピークオフステート電流 = 0.02mA
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(250個)
¥239,800
税込¥263,780
7日以内出荷
EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転, 非反転、実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥369,800
税込¥406,780
7日以内出荷
ArcolOhmiteTKHシリーズ、小型、低プロファイル、サージ対応フィルム抵抗器です。温度範囲は-55→+175℃で、車載用途に適しています。3.0℃/Wの低い熱抵抗により、優れた冷却性能を示します。D-PAKパワー抵抗器の交換は簡単です。高速パルス動作に適した優れたrf特性用途には、スナバ、ゲート制御、ブリーダ、フィルタ、突入電流保護、PV、UPS、モータ制御インバータなどがあります
仕様●入数:1リール(500個入り)●抵抗:5Ω●テクノロジー:厚膜●パッケージ/ケース:TO-252●許容差:±1%●定格電力:45W
アズワン品番65-6973-53
1セット(500個)
¥669,800
税込¥736,780
7日以内出荷
ArcolOhmiteTKHシリーズ、小型、低プロファイル、サージ対応フィルム抵抗器です。温度範囲は-55→+175℃で、車載用途に適しています。3.0℃/Wの低い熱抵抗により、優れた冷却性能を示します。D-PAKパワー抵抗器の交換は簡単です。高速パルス動作に適した優れたrf特性用途には、スナバ、ゲート制御、ブリーダ、フィルタ、突入電流保護、PV、UPS、モータ制御インバータなどがあります
仕様●入数:1リール(500個入り)●抵抗:2.5kΩ●テクノロジー:厚膜●パッケージ/ケース:TO-252●許容差:±1%●定格電力:45W
アズワン品番65-6971-02
1セット(500個)
¥669,800
税込¥736,780
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 172 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
ArcolOhmiteTKHシリーズ、小型、低プロファイル、サージ対応フィルム抵抗器です。温度範囲は-55→+175℃で、車載用途に適しています。3.0℃/Wの低い熱抵抗により、優れた冷却性能を示します。D-PAKパワー抵抗器の交換は簡単です。高速パルス動作に適した優れたrf特性用途には、スナバ、ゲート制御、ブリーダ、フィルタ、突入電流保護、PV、UPS、モータ制御インバータなどがあります
仕様●入数:1リール(500個入り)●抵抗:50Ω●テクノロジー:厚膜●パッケージ/ケース:TO-252●許容差:±1%●定格電力:45W
アズワン品番65-6968-65
1セット(500個)
¥669,800
税込¥736,780
7日以内出荷
ArcolOhmiteTKHシリーズ、小型、低プロファイル、サージ対応フィルム抵抗器です。温度範囲は-55→+175℃で、車載用途に適しています。3.0℃/Wの低い熱抵抗により、優れた冷却性能を示します。D-PAKパワー抵抗器の交換は簡単です。高速パルス動作に適した優れたrf特性用途には、スナバ、ゲート制御、ブリーダ、フィルタ、突入電流保護、PV、UPS、モータ制御インバータなどがあります
仕様●入数:1リール(500個入り)●抵抗:200Ω●テクノロジー:厚膜●パッケージ/ケース:TO-252●許容差:±1%●定格電力:45W
アズワン品番65-6961-50
1セット(500個)
¥669,800
税込¥736,780
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 240 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,298
税込¥1,428
翌々日出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ;/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 16.51mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥949
税込¥1,044
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ;sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ;/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.1 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥569
税込¥626
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ;sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ;/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
7日以内出荷
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