制御機器 ：「12V 1.4W」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc

高効率。21.4W/in3の高電力密度。0.97を超えるアクティブPFC及びPFを内蔵。ファン速度制御付き内蔵DCファンによる強制空冷。内蔵5V@0.3A、12V@0.8A補助電源。最大4ユニットの並列機能を内蔵(最大8000Wのアクティブ電流を共有)。リモートオン/オフ制御機能を内蔵。 リモートセンサ機能を内蔵。DC OK信号。OTPアラーム信号。短絡保護。過負荷保護。過電圧及び過熱保護。ファンアラーム。1U取り付け用の41mmの低プロファイル設計

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 26V。最小ブレークダウン電圧 = 7.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.4 x 1.155mm。高さ = 1.155mm。Bourns 過渡電圧サプレッサ CDSOT23シリーズ. ESD保護：最大30kV ピークパルス電流400Wのサージ保護機能

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

形MK(スーパーMK)をリニューアル。 内蔵のメカニカルインジケーターにより、接点動作状態を確認可能。 使用材料は全てRoHS指令に適合。 UL、IEC(TUV認定)規格取得。