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RS Pro バヨネットロックケーブル取り付けプラグ DIN コネクタです. 信頼の RS Pro ブランドがお届けするこのケーブル取り付け DIN コネクタは、バヨネットロックシステムを備え、対応するシャーシ取り付けソケットとすばやく確実にかん合します。この丈夫なケーブルプラグは、ケーブルグリップとストレインリリーフを備え、標準でロッキングリングが付属します。 DIN コネクタオプション： ； 491-005 491-005 - 3 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 491-015-4 491-015-4 極ケーブル取り付け DIN プラグです ； 491-011 491-011 - 5 極 180 ° ケーブル DIN プラグ ； 491-021 491-021 - 5 極 240 ° ケーブル DIN プラグ ； 491-027 491-027 - 6 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 490-955 490-955 - 7 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 490-951 490-951 - 8 極ケーブル取り付け DIN プラグ RS Pro では、さまざまな接続数の標準 DIN ソケットとプラグ、及びミニチュア DIN コネクタの両方を含む、広範な DINメーカーの DIN コネクタには、パネル取り付けなどの取り付けタイプもあります。シャーシ取り付けスルーホール及びケーブル取り付け. 特長と利点:. DIN ケーブルプラグ金属シールドバヨネットロック 銀めっき端子 シールドカバーとバヨネットキャップ：ニッケルめっき亜鉛合金 ねじと T ホルダをセットします：スチール、ニッケルめっき 接触抵抗：最大ピン数： 30 m Ω シェル：最大 50 m Ω 絶縁抵抗： 100 M Ω @ 500 V dc (最小 )電圧耐電圧： 250 V ac ( 1 分間. 代表的用途:. DIN コネクタには、保護用円形シースとケーブル内に複数のピンがあり、これらをインターフェースに差し込み、デバイスを接続します。他の種類の電気コネクタと同様に、オスのハーフ(ピン)とメスのレセプタクル(ハウジング)をペアにすることで、確実な信号及び電流伝送を可能にする機能があります。 DIN コネクタは電気コネクタの一種で、パソコン、オーディオ、ビデオなどの機器を電源、シリアル、データに接続するために様々な用途で使用できます。. 構成タイプ 5 ピンおよび 8 ピンコネクタの構成は若干異なります。5 ピンコネクタには、 270 度(ダイスの 5 面)、 240 度( U 字形)、 180 度(小さな半丸形)の構成があります。 8 ピンは 270 度と 260 度の方向があります。ミニ DIN コネクタタイプもあります。 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ているRS PRO製品は、すべての製品のすべての部品が厳しい業界標準に照らして厳格にテストされています。メーカーが優れた品質を確信している場合に限り、RS PRO認証シールを付与しているため、お客様も自信を持って使用できます。

RS Pro ケーブルプラグ / ソケット DIN コネクタ. 信頼の RS Pro ブランドがお届けするこのミニ DIN プラグ及びソケットは、ストレインリリーフ内蔵の成形 ABS ボディを備えています。PBT 絶縁体と銀めっき銅合金コンタクトを備えたこのミニ DIN コネクタは、堅牢で信頼性が高く、さまざまな用途に適しています。 ミニチュア DIN コネクタプラグ / ソケットのオプション： ； 463-366 463-366 - 3 極ケーブル取り付けプラグ ； 526-0825 526-0825 - 4 極ケーブル取り付けプラグ ； 463-388 463-388 - 6 極ケーブル取り付けプラグ ； 463-394 463-394 -8 極ケーブル取り付けプラグ ； 232-8877 232-8877 -9 極ケーブル取り付けプラグ ； 463-401 463-401 - 3 方向ケーブル取り付けソケット ； 463-417 463-417 - 4 方向ケーブル取り付けソケット ； 463-423 463-423 - 6 極ケーブル取り付けソケット ； 463-439 463-439 -8 極ケーブル取り付けソケット ； 232-8883 232-8883 -9 極ケーブル取り付けソケット RS Pro では、標準 DIN ソケット/プラグ、様々な接続数のミニチュア DIN コネクタを含む、広範囲な DINコネクタを用意していますメーカーの DIN コネクタには、パネル取り付け、シャーシ取り付け、スルーホール、ケーブル取り付けなどの取り付けタイプもあります。. 特長. . 3 極ソケット付きの 3 極プラグのみなど、接続は極性化されている . 耐電圧 500 V/ 1 分 . 接触抵抗: ；30 mΩ . ケーブルエントリ径： 5 mm . プラグ(オスエンド)とソケット(メスエンド)コネクタタイプ. 用途:. DIN コネクタには、保護用円形シースとケーブル内に複数のピンがあり、これらをインターフェースに差し込み、デバイスを接続します。他の種類の電気コネクタと同様に、オスのハーフ(ピン)とメスのレセプタクル(ハウジング)をペアにすることで、確実な信号と電流伝送を実現します DIN コネクタは電気コネクタの一種です。パソコン、オーディオ、ビデオなどの機器を電源、シリアル、データなどに接続するための様々な用途に使われています。ミニ DIN コネクタは、 S 端子、 PS/2 マウス、キーボードで使用されています。. 構成タイプ 5 ピンと 8 ピンコネクタの構成は若干異なります。5 ピンコネクタには、 270 度(ダイスの 5 面)、 240 度( U 字形)、 180 度(小さな半丸形)の構成があります。 8 ピンには、 270 度と 260 度の方向があります。ミニ DIN コネクタタイプもあります。 RS PROとは . RS PROはメーカー独自のブランド製品で、高品質でお得な製品を幅広い品揃えでご提供いたします。世界中のエンジニアから信頼を得ているRS PRO製品は、すべての製品が厳しい業界標準に準拠して厳格にテストされています。メーカーが優れた品質を確信している製品に限り、RS PRO認証シールを付与しており、お客様も安心して使用できます。

RS Pro バヨネットロックケーブル取り付けプラグ DIN コネクタです. 信頼の RS Pro ブランドがお届けするこのケーブル取り付け DIN コネクタは、バヨネットロックシステムを備え、対応するシャーシ取り付けソケットとすばやく確実にかん合します。この丈夫なケーブルプラグは、ケーブルグリップとストレインリリーフを備え、標準でロッキングリングが付属します。 DIN コネクタオプション： ； 491-005 491-005 - 3 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 491-015-4 491-015-4 極ケーブル取り付け DIN プラグです ； 491-011 491-011 - 5 極 180 ° ケーブル DIN プラグ ； 491-021 491-021 - 5 極 240 ° ケーブル DIN プラグ ； 491-027 491-027 - 6 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 490-955 490-955 - 7 極ケーブル取り付け DIN プラグ ； 490-951 490-951 - 8 極ケーブル取り付け DIN プラグ RS Pro では、さまざまな接続数の標準 DIN ソケットとプラグ、及びミニチュア DIN コネクタの両方を含む、広範な DINメーカーの DIN コネクタには、パネル取り付けなどの取り付けタイプもあります。シャーシ取り付けスルーホール及びケーブル取り付け. 特長と利点:. DIN ケーブルプラグ金属シールドバヨネットロック 銀めっき端子 シールドカバーとバヨネットキャップ：ニッケルめっき亜鉛合金 ねじと T ホルダをセットします：スチール、ニッケルめっき 接触抵抗：最大ピン数： 30 m Ω シェル：最大 50 m Ω 絶縁抵抗： 100 M Ω @ 500 V dc (最小 )電圧耐電圧： 250 V ac ( 1 分間. 代表的用途:. DIN コネクタには、保護用円形シースとケーブル内に複数のピンがあり、これらをインターフェースに差し込み、デバイスを接続します。他の種類の電気コネクタと同様に、オスのハーフ(ピン)とメスのレセプタクル(ハウジング)をペアにすることで、確実な信号及び電流伝送を可能にする機能があります。 DIN コネクタは電気コネクタの一種で、パソコン、オーディオ、ビデオなどの機器を電源、シリアル、データに接続するために様々な用途で使用できます。. 構成タイプ 5 ピンおよび 8 ピンコネクタの構成は若干異なります。5 ピンコネクタには、 270 度(ダイスの 5 面)、 240 度( U 字形)、 180 度(小さな半丸形)の構成があります。 8 ピンは 270 度と 260 度の方向があります。ミニ DIN コネクタタイプもあります。 RS Pro を選ぶ理由 RS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ているRS PRO製品は、すべての製品のすべての部品が厳しい業界標準に照らして厳格にテストされています。メーカーが優れた品質を確信している場合に限り、RS PRO認証シールを付与しているため、お客様も自信を持って使用できます。

Phoenix ねじフランジは、主にねじを締める COMBI プラグに使用します。対象の COMBI Terminal ブロックと構造とピッチは同じです。レベル 1 の数 ねじ山 M2.5この記事は、Phoenix Contact の「 Complete Line 」シリーズ以外の製品です。Phoenix Contact の全ラインアップは

Phoenix ねじフランジは、主にねじを締める COMBI プラグに使用します。対象の COMBI Terminal ブロックと構造とピッチは同じです。レベル 1 の数 ねじ山 M2.5この記事は、Phoenix Contact の「 Complete Line 」シリーズ以外の製品です。Phoenix Contact の全ラインアップは、制御キャビネットに効率性、使いやすさ、一貫性をもたらすように設計された製品です。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 33 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 85 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 49 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。順方向ダイオード電圧 = 1.2V。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 105 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3mm。高さ = 1mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

材質 = アルミニウム。高さ = 46.9 mm。幅 = 86.8 mm。外形寸法 = 46.92 x 86.83 x 151mm。範囲 = 1457。色 = 銀陽極酸化。蓋色 = 黒。フランジ = あり。シールド = なし。シリーズ = 1457。重量 = 233g。防爆 = なし。Hammond 1457押し出し成形アルミエンクロージャ. Hammond 1457シリーズエンクロージャには、押出アルミボディと、一体型ベゼル付きの2枚のダイキャストアルミ製エンドパネルが付属します。 このエンクロージャは、基板とインターフェイス接続するか、基板を収納するように設計されています。. 特長と利点. 1.5 mm厚の押出アルミの頑丈なボディ構造 標準ユーロカードサイズ エンクロージャボディの内側に押出成形された内部スロットに基板を合わせ、水平にスライドさせて固定 押出成形のボディには、ラベルやメンブレンキーパッド用のくぼみを用意 黒サテン粉体塗装仕上げのエンドパネル IP65保護

PIC32MZxxxEC Embedded Connectivity 32ビットマイクロコントローラ. Microchip PIC32MZxxxECファミリの組み込み接続マイクロコントローラは、強力なMIPS32 microAptivコアを搭載した高性能32ビットデバイスです。 豊富なオンボード周辺装置には、オーディオ グラフィックスインターフェイス、高速通信に対応したHi-Speed USB及び10 100イーサネットのインターフェイスが含まれています。 MPLABR Harmony統合ソフトウェアフレームワークは、PIC32 MCUに対応した、Microchipの開発プラットフォームです。 このIDEは、さまざまなドライバとライブラリをまとめた、開発を簡素化する単一の統合プラットフォームです。このIDEにより、完成品を迅速に市場に投入できるようになります。 詳細については、microchip.com/harmonyにアクセスしてください。. MIPS32 microAptivコアの特長. 最大200 MHz (最大330 DMIPS) 16 KB Iキャッシュ、4 KB Dキャッシュ 組み込みOSの実行を最適化するMMU コードのサイズを最大で35 %縮小するmicroMIPSRモード DSP拡張コア(4つの64ビットアキュムレータ及びシングルサイクルMACを搭載) コード効率の高いアーキテクチャ(C及びアセンブリ). 通信インターフェイス. USB 2.0準拠のHi-Speed On-The-Go (OTG)コントローラ(専用DMA付) 10 100 MbpsイーサネットMAC (MII RMIIインターフェイス及び専用DMA付) CAN 2.0Bモジュール 2 PIC32MZxxxxECHxxx及びPIC32MZxxxxECMxxxモデルのみ UARTモジュール(25 Mbps) 6 LIN 1.2及びIrDARプロトコルに対応 4線式SPIモジュール 4又は6 SQIを追加SPIモジュール(50 MHz)として構成可能 I2Cモジュール(最大1 Mbaud) 4又は5 SMBusに対応 パラレルマスタポート(PMP). オーディオ グラフィックスインターフェイス. 外部バスインターフェイス(EBI)経由のグラフィックスインターフェイス PIC32MZxxxxECHxxx及びPIC32MZxxxxECMxxxモデルのみ パラレルマスターポート経由のグラフィックスインターフェイス 全モデル I2S、LJ、及びRJ経由のオーディオデータ通信 SPI及びI2C経由のオーディオ制御インターフェイス オーディオマスタクロック: USB同期による分数クロック周波数. その他のハイライト. 暗号化エンジン PIC32MZxxxxECMxxxモデルのみ 乱数ジェネレータ(RNG) ダイレクトメモリアクセス(DMA) 50 MHzシリアルクワッドインターフェイスSQIメモリインターフェイス 50 MHz外部バスインターフェイス(EBI)メモリインターフェイス PIC32MZxxxxECHxxx及びPIC32MZxxxxECMxxxモデルのみ 10ビットA/Dコンバータ(ADC) 24、40、又は48チャンネル コンパレータ(32のプログラマブル電圧リファレンス搭載) 2 温度センサ(精度±2 oC) 16ビットタイマ 9 最大4つの32ビットタイマとして構成可能 出力比較(OC) 入力比較(IC)モジュール 9 リアルタイムクロック カレンダー(RTCC)モジュール 内部発振器 プログラマブルPLL及び発振器クロックソース フェールセーフクロックモニタ(FSCM) 独立ウォッチドッグタイマ(WDT)及びデッドマンタイマ(DMT) 高速ウェイクアップ スタートアップ 低電力モード(スリープ及びアイドル) パワーオンリセット(POR)及びブラウンアウトリセット(BOR)機能を内蔵 ペリフェラルピン選択(PPS)

材質 = アルミニウム。奥行き = 106.9 mm。高さ = 34.9 mm。幅 = 171.2 mm。外形寸法 = 106.9 x 171.2 x 34.9mm。範囲 = 1457。色 = Black。蓋色 = 黒。フランジ = なし。シールド = なし。シリーズ = 1457。重量 = 114g。ガスケット材質 = ポリエチレンフォーム。Hammond 1457押し出し成形アルミエンクロージャ. Hammond 1457シリーズエンクロージャには、押出アルミボディと、一体型ベゼル付きの2枚のダイキャストアルミ製エンドパネルが付属します。 このエンクロージャは、基板とインターフェイス接続するか、基板を収納するように設計されています。. 特長と利点. 1.5 mm厚の押出アルミの頑丈なボディ構造 標準ユーロカードサイズ エンクロージャボディの内側に押出成形された内部スロットに基板を合わせ、水平にスライドさせて固定 押出成形のボディには、ラベルやメンブレンキーパッド用のくぼみを用意 黒サテン粉体塗装仕上げのエンドパネル IP65保護

Pepperl + Fuchs レーザー回帰反射型センサは、IP69K 等級の保護性能を備えています。このシリーズの光学センサは、スルービームセンサから測定距離センサまで、中規模の標準設計でエンドツーエンドソリューションを提供する初のデバイスです。サービスおよびプロセスデータ用の IO リンクインターフェイス 光源レーザーダイオード

Pepperl + Fuchs Laser スルービームセンサは、IP69K 等級の保護性能を備えています。このシリーズの光学センサは、スルービームセンサから測定距離センサまで、中規模の標準設計でエンドツーエンドソリューションを提供する初のデバイスです。DuraBeam レーザーセンサです しきい値検出範囲： 50 m 光源レーザーダイオード