制御機器 ：「pfd」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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高容量、高耐圧、密封構造で小型パワー・タイプ。耐電圧はコイル-接点間でAC3000V(耐衝撃電圧6kV)の高絶縁性。自動化ラインへの対応を考え、スティック包装も品揃え。標準形でUL508、CSA規格取得。
用途PC、制御機器の出力用途など
エコ商品
入力周波数(Hz)100k(MAX)
RoHS指令(10物質対応)対応
耐電圧(V/min)AC2000(入力-出力-電源各端子間相互)
CE-対応品なし
第1入力信号電圧パルス
1a接点10A、1a1b接点8Aと小型高容量タイプ。
1a接点10A、1a1b接点8Aと省スペースニーズの強い電源開閉および出力用。
高さ10mm、幅20mm、長さ15mmと小型化を実現。
標準形でUL508、CSA規格取得。
RoHS適合。
用途制御機器の出力用途
質量(g)約400
取付方式DINレール取付または壁面取付
外形寸法(mm)97(H)×51(W)×126(D)
構造プラグイン(本体部とソケット部で構成)
ケース色アイボリー色
材質(ケース)耐熱性ABS樹脂(UL94V-0)
センサ用電源DC12V±5%、25mA
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500V)(入力-出力-電源各端子間相互)
使用温湿度範囲-5℃～+55℃ 90%RH以下(非結露)
消費電力(VA)(電流)約4
リセット電源投入後0.5秒以内に自動リセット
絶縁抵抗100MΩ以上(DC500V)(入力-出力-電源各端子間相互)
RoHS指令(10物質対応)対応
入力波形正弦波または矩形波(DUTY25～75%)
耐電圧(V/min)AC2000(入力-出力-電源各端子間相互)
CE-対応品なし
インパルス電圧10kV、耐電圧4kVの電源開閉用。
入・出力間(コイル-接点間)を完全分離し、耐衝撃電圧10000Vを実現。
コイル-接点間の絶縁距離8mm以上とVDE規格C/250を満足、耐電圧AC4000V以上で電気用品取締法に準拠し、標準形でUL規格508、CSA規格取得。
1aタイプ(TV-8)、2aタイプ(TV-5)がそれぞれTV定格に適合。
RoHS適合。
用途電源装置
ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)650
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥499
税込￥549
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費33.8 W
1箱(10個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A
幅(mm)4.9
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)37
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
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