制御機器 ：「smc エレメント」の検索結果

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 50pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 40pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.86mm。幅 = 5.84mm。高さ = 2.13mm。寸法 = 2.13 x 6.86 x 5.84mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 890mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 790mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 700mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Diodes Inc ショットキーバリアダイオード 2A → 9A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この終端が二つを持つデバイスは、 PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 40V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

ショットキーバリア整流ダイオード - SSシリーズ. HY Electronic (Cayman) Limited SSファミリの表面実装ショットキーバリア整流器です。 これらの製品は、SMA、SMB、SMC設計でパッケージ化されています。 逆電圧の範囲は20 ～ 100 Vで、順電流の範囲は1 ～ 5 Aです。 用途には、還流、インバータ、及び極性保護があります。. ガード付き金属半導体ジャンクション エピタキシャル構造 低順方向電圧降下 成形プラスチックケース(プラスチックの難燃性等級: UL 94V-0) 極性: カソードバンドで表示

SMT単方向1500 W TVSダイオード、1.5SMCシリーズ、Littelfuse

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。