「シリコン基板」の検索結果
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
汎用的な成膜用基板として使用されています。
寸法(mm)10×10×0.525
タイプノンドープ
研磨内容片面鏡面
脱アルコールタイプですので金属やプラスチックに対する腐食の影響がありません。低分子シロキサンを低減しています。
硬化速度が速く、厚膜硬化性が良好です。
用途プリント基板部品固定、コネクタシール、電気器具絶縁シール。
タイプ脱アルコールタイプ
使用温度範囲(℃)-60～200
主成分シリコーン樹脂・シリカ
比重1.03
伸び(%)500
引張強度(MPa)2.2
硬さ(デュロメータA)20
粘度(Pa・s)65
危険等級Ⅲ
タックフリータイム(分)10
危険物の類別第四類
危険物の品名第三石油類
危険物の性状非水溶性
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ2インチ
直径(Φmm)50±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)280±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥7,798
税込￥8,578
当日出荷
使用済みシリコンウェハを再生加工して、再度プロセスに使用できるレベルにまで再生したシリコンウェハです。実験用、教育用など様々な用途に、少量からご提供します。
用途製造プロセス用、研究開発用、実験用、教育用
抵抗値1-100Ω・cm
仕様パーティクル：不問
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ8インチ
直径(Φmm)200±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)725±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、Vノッチ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥8,998
税込￥9,898
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ4インチ
直径(Φmm)100±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)525±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥6,998
税込￥7,698
当日出荷
装置テスト用(条件出し評価、搬送評価など)
仕様(パーティクル)不問、(製造)CZ
型P型(導電型)
サイズ6インチ
直径(Φmm)150±0.5
グレードダミー(モニター)
厚さ(μm)625±25
仕上片面ミラー/裏面エッチング、オリフラ
抵抗値≧1Ωcm
方位100(面)
1枚
￥7,998
税込￥8,798
当日出荷
金属を腐食させない、電気、電子部品用です。
中粘度タイプです。
用途電子機器、通信機器の防振、耐湿、電気絶縁等の接着シール。
使用温度範囲(℃)-40～180
硬化前性状中粘度
危険物の類別指定可燃物
危険物の品名可燃性液体類
危険物の数量0.1L
熱伝導率の高い1液型室温硬化タイプの固まる放熱用シリコーンです。
CPUとヒートシンク間に塗るだけで熱伝導性を改善し、固定します。
適度な粘度を持ち作業性に優れています。
トラスコ品番327-5329
容量(mL)9
体積抵抗率(Ωcm)1.0×1015
外観白色ペースト状
硬化条件(hr/℃)72/25・(hr/℃)24/25
熱伝導率(W/mk)0.92
粘度(Pa・s)85～108
誘電率(1MHz)4.1
タックフリータイム(分)20
危険物の類別指定可燃物
危険物の品名可燃性液体類
危険物の数量0.009L
1本(9mL)
￥1,898
税込￥2,088
当日出荷
シリコーンRTV(室温硬化タイプ)ゴムは、チューブやカートリッジなどの容器から押し出すことにより、空気中の湿気と反応して室温で硬化し、ゴム弾性体になります。
接着・シール、コーティング用として幅広く使われています。
用途接着・シール、コーティング用、電気絶縁シール用
絶縁破壊電圧(kV)23(1mm厚測定時)
種別一般工業用
使用温度範囲(℃)-50～200
破断伸度(%)350
比重1.05(23℃時)
体積抵抗率(Ωcm)5T
指触乾燥時間(分)6
硬さ(デュロメータA)30
引張強度(MPa[kgf/cm2])2.0[20]
硬化方式脱オキシムタイプ
外観ペースト状
熱伝導率(W/mk)0.21
比誘電率 50Hz3.0
誘電正接 50Hz5×10-3
引張せん断接着強さ(MPa)1.0(アルミ)
危険物の類別指定可燃物
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
蒸着法により金の薄膜をガラス基板上にコーティングしており、金箔に比べ取扱いが簡単です。 エッチングによりくし型電極を製作できます。また、有機や無機成分の研究として、局所プローブ検査や表面プラズモン共鳴等にご使用頂けます。 金蒸着したガラスの反射光は金色に、透過光は青緑色になる光学現象を観察することができます。
寸法(mm)22×26×0.55
膜厚クロム(密着層)/10～30nm 金/約300nm
1組(10枚)
￥16,980
税込￥18,678
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
近赤外・赤外域の広い帯域で高反射率の金膜をコーティングした全反射ミラーです。金膜の膜付着強化として、クロム膜を極めて薄くアンダーコーティングしています。シリコン基板は金膜の付着力が非常に強く、熱伝導率が高く(ガラスの約111倍放熱性が良い)、ガラス基板に比べ耐熱性に優れています。
電着タイプはダイヤ砥粒の突き出し量が大きく、集中度も高く、大変研削力に優れています。
用途硬くてもろい材料(超硬合金、セラミックス、石材、ガラス、シリコン)基板などの溝入れ切断加工に最適。
熱伝導性に優れています。
非シリコーン系の放熱材ですので、シロキサンガスが発生しません。
軟らかな素材のため、チップや基板の凹凸部分にも十分追従します。
密着性に優れているため、接着面の熱抵抗を小さくします。
電気絶縁性です。
耐久性に優れ、長期間使用後も安定した電気絶縁、熱伝導性を示します。
UL94 V-0の難燃規格を取得しています。(UL File No. E176845)
従来品よりも低臭タイプです。
用途電子・電気機器の発熱部品の放熱
半導体部品等で発生した熱を、ヒートシンクや金属カバー等の放熱部品へ効率的に伝達します。また、シロキサンガスが発生しませんので、シリコーン系部材を使用できない箇所にもご使用いただけます。
テープ幅(mm)100
テープ長さ(m)0.1
構造熱伝導性アクリル層(非粘着性)/フィルムライナー/熱伝導性 低硬度アクリル層(粘着性)
主な用途電気・電子用
特性熱伝導性、電気絶縁性、耐久性、難燃性
ベアシリコンウェハから半導体素子ができるまでの過程を体感できるセット内容です。教育現場での半導体についての説明などにご利用ください。
用途教育用
セット内容ベアウェハ(12インチ)、膜付きウェハ(12インチ) 、パターン付きウェハ(20mm角)、半導体素子(ダイオード/トランジスタ)
種類セット品
1セット
￥15,980
税込￥17,578
5日以内出荷
![40×40mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono05087261-241204-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
高透明の2液エラストマー。
硬化前の状態は柔らかいゲル状です。
1μmの隙間にも入り込むことができるため、マイクロサイズのデザインを転写することが可能です。
用途研究開発用。マイクロ流路成型材。プリント基板保護用シリコーンポッティング材等
仕様ポットライフ：25℃/80分
質量(kg)【入目】主剤(1.0)：硬化剤(0.1)
硬さ44(Shore A) (JIS Type A)
難燃性UL94 V-1
密度1.04(25℃/(g/cm2)
外観主剤(透明液体)、硬化剤(透明液体)
硬化条件120℃/20分(標準)
粘度(mPa・s)3500(25℃) (混合後)
混合比主剤(100)：硬化剤(10)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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