「8v1 ダイス」の検索結果

タイヤバルブの内・外ネジの修正工具です。またバルブコアの取付・取外しが可能です。

調整ねじ付なので寸法調整ができます。ねじ山を修正する時にも使用できます。丸ダイス25径用です。

メートル並目ねじ用

メートル並み目や旧メートル並み目、細目など23種類のタップとダイスが入ったセットになります。通常の加工や古い自動車の整備にも対応しています。

バルブの内外のネジ山修理とバルブコアの脱着ツール。

ボルトやねじをさらえる(きれいにする)時に使用します。モンキーレンチにて作業ができます。ねじ山を修正する際の丸ダイスにかわる商品です。

雄ねじ加工に便利です。 調整ねじによるサイズ調整が可能です。

ヨーロッパメーカー監修の高品質商品です。タイヤバルブの交換用。 バルブコアの使用温度は-20～100度の一般コア。

工具の使用範囲のどんな径やピッチのねじにも適用できます。インチ・ミリ、右ねじ・左ねじ、細目・並目など、どんなねじにも使用できます。 タップに比べ、つぶれた部分だけを、容易に修理できます。

バルブコアの着脱や外・内ネジの修復ができる工具です。

FF車のフロンドライブシャフト用ねじ修正ダイスです。 ナット形状のダイスですのでソケットやメガネレンチをハンドルとしてお使いいただけます。

丸ダイス用一文字タイプハンドルです。

42～52HRCの焼入れ鋼(合金鋼、ダイス鋼、工具鋼等)のねじ立てに最適です。表面には母材の特性を最大限に引き出すため、耐摩耗性に優れたVコーティングを施してあります。

EZ9XRP08、EZ9XRP11、EZ9XR14(パンチダイス)使用可能。軟鋼・ステンレス対応。スタンド固定作業も手持ち作業も可能。ボルト通し穴あけに、バリが出にくい ※メーカー測定条件による

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトダイオード。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 1.75μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5300 V ac。標準降下時間 = 1.75μs。シリーズ = IL300。特殊機能 = リニア動作。UL、E52744、VDE 0884. リニアオプトカプラ、Vishay Semiconductor

メモリサイズ = 2kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = TSSOP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 256 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.7 V。動作供給電圧 Max = 3.6 V。プログラミング電圧 = 1.7 → 3.6V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 3.1 x 4.5 x 1.05mm。ワード数 = 256ns。MicrochipAT24C02D シリーズは、 2 K ビットのシリアル EEPROM です。デバイス通信は、単一の I/O ピンを介して行われます。 8 バイトのページ書き込みまたは 1 バイトの書き込みが可能です。このデバイスは、ウエハーフォーム、テープ、リールなどのダイセールオプションで構成されています。低電圧動作 フィルタ処理されたシュミットトリガ入力でノイズを抑制 双方向データ転送プロトコル 書き込み保護ピンでフルアレイのハードウェアデータ保護 ランダム及びシーケンシャル読み取りモード 高い信頼性

最大吸込流量100/300/600L/min(ANR)の3タイプを用意 空気消費量90%削減(ZL3、ZL6の場合) 質量最大60%削減[ZL1：180g→ZL112(従来品)：450g] 3段ディフューザ構造採用(ZL1の場合メーカー比) 吸込流量250%向上 3種類の真空圧力検出部 工具不要!メンテナンス工数の削減が可能

Phoenix Contact ピックオフ Terminal Block は、断面積が 10 mm 2、ワイヤサイズが 8 AWG です。この Terminal Block は、1000 V の定格電圧と 41 A の定格電流で動作しますこのブロックは緑 / 黄仕上げです。ねじ止め式です 1 つの接続レベル

最大吸込流量100/300/600L/min(ANR)の3タイプを用意 空気消費量90%削減(ZL3、ZL6の場合) 質量最大60%削減[ZL1：180g→ZL112(従来品)：450g] 3段ディフューザ構造採用(ZL1の場合メーカー比) 吸込流量250%向上 3種類の真空圧力検出部 工具不要!メンテナンス工数の削減が可能

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

実装タイプ スルーホール実装。出力デバイス フォトダイオード。最大順方向電圧 1.5V。チャンネル数 1。ピン数 8。パッケージタイプ SMD。標準上昇時間 1.75μs。最大入力電流 60 mA。絶縁電圧 5300 Vrms。標準降下時間 1.75μs。シリーズ IL300。IL300 リニアオプトカプラは、 AlGaAs IRLED から構成され、絶縁フィードバックと出力 PIN フォトダイオードを分岐配置で照射します。フィードバックフォトダイオードは、 LED 光束の一部をキャプチャし、制御信号( IP1 )を生成して、のサーボに使用できます LED 駆動電流この技術は、 LED の非線形、時間、および温度特性を補正します。出力 PIN フォトダイオードは、 LED が生成するサーボ光束と直線的に関連する出力信号( IP2 )を生成します。 入力 出力カプラゲイン( K3 )の時間と温度安定性は、 LED の出力フラックスを正確に追跡する PIN フォトダイオードと一致することによって保証されています。特長 AC 信号と DC 信号を結合します 0.01 サーボ直線性 広い帯域幅 、 200kHz 高ゲイン安定性(通常 0.005 %/ C 低入出力静電容量 低消費電力 、 15mW 絶縁定格電圧： 4420 VRMS 内部絶縁距離 ： 0.4 mm 用途 電源フィードバック電圧 電流 医療用センサの絶縁 オーディオ信号インターフェイス 分離されたプロセス制御トランスデューサ デジタル電話の絶縁 代理店の承認 UL cUL オプション で DIN EN60747-5-5 VDE0884-5 )を使用可能 BSI FIMKO CQC

75インチの大画面でVAパネルを搭載し、4K(3840x2160)解像度に対応した大型液晶モニターとなります。大画面液晶は大きな会議室での使用はもちろん、サイネージ用途や、映画などの鑑賞等様々な用途にお使いいただけます。6000:1の高コントラスト比は、より黒をくっきりと表現をすることが可能、写真や動画を色鮮やかに映し出します。HDR(ハイダイナミックレンジ)に対応。インターフェイスはHDMI2.0端子を3つに加え、再生可能なUSBポートを1つ搭載。USBに保存した画像や映像を表示することができ、デジタルサイネージとしてもご利用頂けます。※コンテンツの再生にはリモコンでの操作が必要です。自動再生機能には対応しておりません。また、ビデオ/音声入力端子x1、コンポーネント入力端子x1、デジタル音声出力端子(オプティカル)x1を搭載。様々な機器との接続が可能です。400x200mmのVESAマウントに対応、対応の壁掛け金具やスタンドなどに取り付けが可能です。8Wx2のスピーカーを内蔵します。なお、1年保証モデル「JN-V750UHDR-U」および2年保証モデル「JN-V750UHDR-U-H2」も同時に発売となります。

最大吸込流量100/300/600L/min(ANR)の3タイプを用意 空気消費量90%削減(ZL3、ZL6の場合) 質量最大60%削減[ZL1：180g→ZL112(従来品)：450g] 3段ディフューザ構造採用(ZL1の場合メーカー比) 吸込流量250%向上 3種類の真空圧力検出部 工具不要!メンテナンス工数の削減が可能

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.9mm。順方向ダイオード電圧 = 1.2V。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 V。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 700nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 6.2mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格は 267mW です ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性