仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductorsピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSO実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)104チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)100最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)1.15最大ゲートしきい値電圧(V)2最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)20標準ゲートチャージ102nC@10VカテゴリーパワーMOSFET