仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)25チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.6最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20標準ゲートチャージ8.2nC@10VカテゴリーパワーMOSFET