仕様Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁： 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流取付方式表面実装シリーズPhotoMOS接点構成2 x SPNO範囲AWQ最大負荷電流(A)1.5スイッチング方式AC/DCRoHS指令(10物質対応)対応出力装置MOSFET最大負荷電圧(V)60最小負荷電圧(V)48
