チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V, +15 V幅 = 3.5mm高さ = 1.57mmON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V