チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 3700 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 9.02mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
