制御機器 ：「モニターテレビ」の検索結果

IchigoJamに最適なワイド・4.3インチモニター。自宅のテレビでは大きすぎたりテレビを専有できない環境の場合などに、このモニターがあると便利です。映像はビデオ入力(黄色)とカメラ入力(白色)の2系統あるので車載用オンダッシュモニターとしても使用可能です。

FP5000シリーズは、スマートフォンのような操作が可能な産業用ディスプレイです。 産業用途を考慮して、手袋をしながらの操作や2点押し操作、耐環境性も大幅に向上しています。

FP5000シリーズは、スマートフォンのような操作が可能な産業用ディスプレイです。 産業用途を考慮して、手袋をしながらの操作や2点押し操作、耐環境性も大幅に向上しています。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 235 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( on ) = 265 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 9 A 低ゲート電荷量(標準) 45 nC ) 低 CRSs (標準) 25 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。 LCD / LED / PDP TV 照明 無停電電源

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 6.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 56 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.22mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 100 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 2.5 kW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 20mm。高さ 20mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 440 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 15.87mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 61 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 417000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。高さ 9.4mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 23 A。最大ドレイン-ソース間電圧 400 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 235 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 5mm。動作温度 Min -55 ℃V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 66 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 37 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.9mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 750 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.87mm。順方向ダイオード電圧 1.2V。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 51 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 320000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

RS PRO オープナブル・フェライト・クランプ. RS PROのこの開閉式フェライトクランプを使用すれば、高周波電磁干渉を低減し、音質を向上させることができます。ホームオフィス、ITラボ、レコーディングスタジオなど、家庭用と商業用の両方の環境で使用できるように設計されている。フェライト・スリーブは、さまざまな寸法に適応するスナップ・ロックを備えており、さまざまなサイズの電気リード線に使用できる。. スプリット・フェライトは一度取り付けるとしっかりとロックされるため、不注意で開いて機器を破損する心配がありません。滑らかで精密に形成された表面は、不要な衝撃や傷からケーブルや機器を保護します。この部品は、内部および外部電源コード、プリンター、その他のコンピューター周辺機器と互換性があります。. 特長. ；ul> ；li>100 MHzでのインピーダンス100 ；/li> ；li>Ω25 MHzでの ；/li> ；li>インピーダンス ；/li> ；li>6 Ωフェライト ；/li> ；li>材質1 ；/li> ；li>開口 ；/li> ；li>部開閉式 ；/li> ；li>クランプフィルタータイプ ；/li> ；/ul>. 用途. このRS PRO開閉式フェライトクランプシリーズは、コンピュータ周辺機器、デジタルTV、内部および外部電源ケーブル、モニター、プリンターなどの使用に適しています。ホームオフィス、ITラボ、レコーディングスタジオなど、家庭用と商業用の両方の環境で使用できるように設計されている。. RS PROを選ぶ理由.. RS PROはRSオリジナルのブランド製品です。高品質な製品を幅広い品揃えでご用意しています。 世界中のエンジニアから信頼され、すべてのRS PRO製品のすべての部分は、要求の厳しい業界標準に対して厳格にテストされています。RS PROの承認は、その卓越した品質に自信がある場合にのみ与えられます。つまり、お客様も自信を持つことができます。

SRN5040シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN5040シリーズは、半シールド構造 半シールド構造 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

TDKCタイプ2220シリーズ.TDKCシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサです。Cシリーズはモノリシック構造のため、機械的強度と信頼性に優れています。複数の薄いセラミック層を重ねることで、高い静電容量を実現します。低ESRで周波数特性に優れているため、高周波・高密度タイプの電源に適しています。.特長：.低いESLと優れた周波数特性により、理論値に近い回路設計が可能低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れる.用途:.一般電子機器、モバイル通信機器、OA機器、電源回路などの用途に適しています。その他、LEDディスプレイ、テレビ、サーバー、タブレット、ノートパソコン、PCなどの用途にも適しています。

TDKCタイプ2220シリーズ.TDKCシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサです。Cシリーズはモノリシック構造のため、機械的強度と信頼性に優れています。複数の薄いセラミック層を重ねることで、高い静電容量を実現します。低ESRで周波数特性に優れているため、高周波・高密度タイプの電源に適しています。.特長：.低いESLと優れた周波数特性により、理論値に近い回路設計が可能低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れる.用途:.一般電子機器、モバイル通信機器、OA機器、電源回路などの用途に適しています。その他、LEDディスプレイ、テレビ、サーバー、タブレット、ノートパソコン、PCなどの用途にも適しています。

TDKCタイプ2220シリーズ.TDKCシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサです。Cシリーズはモノリシック構造のため、機械的強度と信頼性に優れています。複数の薄いセラミック層を重ねることで、高い静電容量を実現します。低ESRで周波数特性に優れているため、高周波・高密度タイプの電源に適しています。.特長：.低いESLと優れた周波数特性により、理論値に近い回路設計が可能低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れる.用途:.一般電子機器、モバイル通信機器、OA機器、電源回路などの用途に適しています。その他、LEDディスプレイ、テレビ、サーバー、タブレット、ノートパソコン、PCなどの用途にも適しています。

TDKCタイプ2220シリーズ.TDKCシリーズの業務用積層セラミックチップコンデンサです。Cシリーズはモノリシック構造のため、機械的強度と信頼性に優れています。複数の薄いセラミック層を重ねることで、高い静電容量を実現します。低ESRで周波数特性に優れているため、高周波・高密度タイプの電源に適しています。.特長：.低いESLと優れた周波数特性により、理論値に近い回路設計が可能低ESRにより自己発熱が少なく、耐リップル特性に優れる.用途:.一般電子機器、モバイル通信機器、OA機器、電源回路などの用途に適しています。その他、LEDディスプレイ、テレビ、サーバー、タブレット、ノートパソコン、PCなどの用途にも適しています。

SRN4026シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN4026シリーズは、半シールド構造で小型サイズ インダクタンス範囲: 1 → 220 μH 定格電流: 最大3 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN1060シリーズ半磁気シールド付き巻線型チョーク. SRN1060シリーズミニチュアSMD半シールドパワーインダクタです。. 高インダクタンス インダクタンス範囲: 10 → 470 μH 定格電流: 5.4 A以下. 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN5040シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN5040シリーズは、半シールド構造 半シールド構造 インダクタンス範囲: 1.5 → 47 μH 定格電流: 最大3.6 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN5040シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN5040シリーズは、半シールド構造 半シールド構造 インダクタンス範囲: 1.5 → 47 μH 定格電流: 最大3.6 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN4026シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN4026シリーズは、半シールド構造で小型サイズ インダクタンス範囲: 1 → 220 μH 定格電流: 最大3 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN1060シリーズ半磁気シールド付き巻線型チョーク. SRN1060シリーズミニチュアSMD半シールドパワーインダクタです。. 高インダクタンス インダクタンス範囲: 10 → 470 μH 定格電流: 5.4 A以下. 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN5040シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN5040シリーズは、半シールド構造 半シールド構造 インダクタンス範囲: 1.5 → 47 μH 定格電流: 最大3.6 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN1060シリーズ半磁気シールド付き巻線型チョーク. SRN1060シリーズミニチュアSMD半シールドパワーインダクタです。. 高インダクタンス インダクタンス範囲: 10 → 470 μH 定格電流: 5.4 A以下. 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN4026シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN4026シリーズは、半シールド構造で小型サイズ インダクタンス範囲: 1 → 220 μH 定格電流: 最大3 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN5040シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN5040シリーズは、半シールド構造 半シールド構造 インダクタンス範囲: 1.5 → 47 μH 定格電流: 最大3.6 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN1060シリーズ半磁気シールド付き巻線型チョーク. SRN1060シリーズミニチュアSMD半シールドパワーインダクタです。. 高インダクタンス インダクタンス範囲: 10 → 470 μH 定格電流: 5.4 A以下. 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN4026シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN4026シリーズは、半シールド構造で小型サイズ インダクタンス範囲: 1 → 220 μH 定格電流: 最大3 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、テレビ、LCDディスプレイなど

SRN2512シリーズ半磁気シールド付きパワーインダクタ. SRN2512シリーズは、半シールド構造で小型サイズ 低プロファイル: 1.2 mm インダクタンス範囲: 0.24 → 2.2 μH 定格電流: 最大4.7 A 用途: DC/DCコンバータ、ノートブックコンピュータ、デジタルビデオカメラ、HDD、携帯電話、 テレビ、LCDディスプレイなど

TDKCタイプ1812シリーズ.MLCCCシリーズは、機械的強度に優れ、信頼性の高いモノリシック構造です。多層の薄いセラミック誘電体の使用を可能にする精密技術によって高容量を実現しています。.特長と利点:.低ESLと優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.汎用電子機器モバイル通信機器電源回路OA機器テレビ、LEDディスプレイサーバー、PC、ノートブック、タブレット

TDKCタイプ1812シリーズ.MLCCCシリーズは、機械的強度に優れ、信頼性の高いモノリシック構造です。多層の薄いセラミック誘電体の使用を可能にする精密技術によって高容量を実現しています。.特長と利点:.低ESLと優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.汎用電子機器モバイル通信機器電源回路OA機器テレビ、LEDディスプレイサーバー、PC、ノートブック、タブレット

TDKCタイプ1812シリーズ.MLCCCシリーズは、機械的強度に優れ、信頼性の高いモノリシック構造です。多層の薄いセラミック誘電体の使用を可能にする精密技術によって高容量を実現しています。.特長と利点:.低ESLと優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.汎用電子機器モバイル通信機器電源回路OA機器テレビ、LEDディスプレイサーバー、PC、ノートブック、タブレット

TDKCタイプ1812シリーズ.MLCCCシリーズは、機械的強度に優れ、信頼性の高いモノリシック構造です。多層の薄いセラミック誘電体の使用を可能にする精密技術によって高容量を実現しています。.特長と利点:.低ESLと優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.汎用電子機器モバイル通信機器電源回路OA機器テレビ、LEDディスプレイサーバー、PC、ノートブック、タブレット

TDKCタイプ1812シリーズ.MLCCCシリーズは、機械的強度に優れ、信頼性の高いモノリシック構造です。多層の薄いセラミック誘電体の使用を可能にする精密技術によって高容量を実現しています。.特長と利点:.低ESLと優れた周波数特性により、理論値に密接に従う回路設計が可能低ESRに起因する低い自己加熱及び高いリップル抵抗.用途:.汎用電子機器モバイル通信機器電源回路OA機器テレビ、LEDディスプレイサーバー、PC、ノートブック、タブレット