制御機器 ：「IRC 120 90 16」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 900 mW。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

PIC18F8527 8622 8627 8722 8ビットマイクロコントローラ. Microchip製のPIC18Fマイクロコントローラは、Microchip製品の中で最も機能性の高い8ビットデバイスです。 このシリーズには、埋め込みアプリケーションのニーズに適合させるために、包括的なペリフェラルシリーズの一部としてCAN、LIN、イーサネット機能を備えたタイプや、消費電力が重要な検討事項となる用途向けにXLP (超低消費電力)技術を採用したタイプがあります。 Microchip PIC18F8527 8622 8627 8722ファミリのマイクロコントローラは、Microchip製のPIC18アーキテクチャをベースにした8ビットデバイスで、XLP (eXtreme低電力)テクノロジーを採用しています。. マイクロコントローラの機能. Cコンパイラで最適化されたアーキテクチャ ソフトウェア制御下で自己プログラム可能 割り込みの優先度 x 8単一サイクルのハードウェア乗算器 2本のピンを介したIn-Circuit Serial Programming (ICSP) 2本のピンを介したIn-Circuitデバッグ(ICD) 広範囲の動作電圧: 2.0 5.5 ソフトウェアイネーブルオプションでプログラム可能なブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) フレキシブルな発振器構造. 電源管理の機能. 実行: CPUオン、ペリフェラルオン アイドル: CPUオフ、ペリフェラルオン スリープ: CPUオフ、ペリフェラルオフ 50 nAの超低入力漏洩 実行モードの電流は最小25 μA (標準) アイドルモードの電流は最小6.8 μA (標準) スリープモードの電流は最小120 nA (標準) タイマ1発振器: 900 nA、32 kHz、2 ウォッチドッグタイマ: 1.6 μA、2 (標準) 2速発振器のスタートアップ. 周辺機能. 高電流シンク ソース25 mA 25 mA 3つのプログラム可能な外部割り込み 4つの入力変更割り込み 3つの強化キャプチャ 比較 PWM (ECCP)モジュール 2つのキャプチャ 比較 PWM (CCP)モジュール マスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール 3線式SPI (4つのモードすべて)及びI2Cに対応 強化されたアドレス指定可能USARTモジュールブロック(外部の水晶は不要) 10ビットA/Dコンバータ 12又は16チャンネル(モデルによって異なる) デュアルアナログコンパレータ、入力多重化 プログラム可能な16レベル高 低電圧検出(HLVD)モジュール

Microchip製のPIC18Fマイクロコントローラは、Microchip製品の中で最も機能性の高い8ビットデバイスです。 このシリーズには、埋め込みアプリケーションのニーズに適合させるために、包括的なペリフェラルシリーズの一部としてCAN、LIN、イーサネット機能を備えたタイプや、消費電力が重要な検討事項となる用途向けにXLP (超低消費電力)技術を採用したタイプがあります。 Microchip PIC18F8527 8622 8627 8722ファミリのマイクロコントローラは、Microchip製のPIC18アーキテクチャをベースにした8ビットデバイスで、XLP (eXtreme低電力)テクノロジーを採用しています。. マイクロコントローラの機能. Cコンパイラで最適化されたアーキテクチャ ソフトウェア制御下で自己プログラム可能 割り込みの優先度 x 8単一サイクルのハードウェア乗算器 2本のピンを介したIn-Circuit Serial Programming (ICSP) 2本のピンを介したIn-Circuitデバッグ(ICD) 広範囲の動作電圧: 2.0 5.5 ソフトウェアイネーブルオプションでプログラム可能なブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) フレキシブルな発振器構造. 電源管理の機能. 実行: CPUオン、ペリフェラルオン アイドル: CPUオフ、ペリフェラルオン スリープ: CPUオフ、ペリフェラルオフ 50 nAの超低入力漏洩 実行モードの電流は最小25 μA (標準) アイドルモードの電流は最小6.8 μA (標準) スリープモードの電流は最小120 nA (標準) タイマ1発振器: 900 nA、32 kHz、2 ウォッチドッグタイマ: 1.6 μA、2 (標準) 2速発振器のスタートアップ. 周辺機能. 高電流シンク ソース25 mA 25 mA 3つのプログラム可能な外部割り込み 4つの入力変更割り込み 3つの強化キャプチャ 比較 PWM (ECCP)モジュール 2つのキャプチャ 比較 PWM (CCP)モジュール マスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール 3線式SPI (4つのモードすべて)及びI2Cに対応 強化されたアドレス指定可能USARTモジュールブロック(外部の水晶は不要) 10ビットA/Dコンバータ 12又は16チャンネル(モデルによって異なる) デュアルアナログコンパレータ、入力多重化 プログラム可能な16レベル高 低電圧検出(HLVD)モジュール

PIC18F8527 / 8622 / 8627 / 8722 8ビットマイクロコントローラ. Microchip製のPIC18Fマイクロコントローラは、Microchip製品の中で最も機能性の高い8ビットデバイスです。このシリーズには、埋め込みアプリケーションのニーズに適合させるために、包括的なペリフェラルシリーズの一部としてCAN、LIN、イーサネット機能を備えたタイプや、消費電力が重要な検討事項となる用途向けにXLP (超低消費電力)技術を採用したタイプがあります。Microchip PIC18F8527 / 8622 / 8627 / 8722ファミリのマイクロコントローラは、Microchip製のPIC18アーキテクチャをベースにした8ビットデバイスで、XLP (eXtreme低電力)テクノロジーを採用しています。マイクロコントローラの機能. Cコンパイラで最適化されたアーキテクチャ ソフトウェア制御下で自己プログラム可能 割り込みの優先度 8 x 8単一サイクルのハードウェア乗算器 2本のピンを介したIn-Circuit Serial Programming (ICSP) 2本のピンを介したIn-Circuitデバッグ(ICD) 広範囲の動作電圧: 2.0 → 5.5 V ソフトウェアイネーブルオプションでプログラム可能なブラウンアウトリセット(BOR) 拡張ウォッチドッグタイマ(WDT) フレキシブルな発振器構造. 電源管理の機能. 実行: CPUオン、ペリフェラルオン アイドル: CPUオフ、ペリフェラルオン スリープ: CPUオフ、ペリフェラルオフ 50 nAの超低入力漏洩 実行モードの電流は最小25 μA (標準) アイドルモードの電流は最小6.8 μA (標準) スリープモードの電流は最小120 nA (標準) タイマ1発振器: 900 nA、32 kHz、2 V ウォッチドッグタイマ: 1.6 μA、2 V (標準) 2速発振器のスタートアップ. 周辺機能. 高電流シンク / ソース25 mA / 25 mA 3つのプログラム可能な外部割り込み 4つの入力変更割り込み 3つの強化キャプチャ / 比較 / PWM (ECCP)モジュール 2つのキャプチャ / 比較 / PWM (CCP)モジュール マスタ同期シリアルポート(MSSP)モジュール - 3線式SPI (4つのモードすべて)及びI2Cに対応 強化されたアドレス指定可能USARTモジュールブロック(外部の水晶は不要) 10ビットA/Dコンバータ - 12又は16チャンネル(モデルによって異なる) デュアルアナログコンパレータ、入力多重化 プログラム可能な16レベル高 / 低電圧検出(HLVD)モジュール

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-126。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 8 x 3.25 x 11mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-126。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor