制御機器 ：「micro エレメント」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2mm。寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm。直径 = 1.2mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

高速、安全、及びコスト効果の高い対称認証。Microchip SHAベースのCryptoAuthentication暗号化エレメントデバイスは、幅広い認証モデルを実現する柔軟性の高いユーザー設定セキュリティを提供できるように設計されています。ATSHA204Aは、SHAデバイスグループの初めてのデバイスです。ATECC108AとATECC508AはATSHA204Aの上位セットであるため、ATSHA204Aはこれらと上位互換性があります。すべてのCryptoAuthenticationデバイスと同様、ATSHA204Aは暗号化の専門知識なしで簡単に設計できます。Secure Hash Algorithm (SHA)アルゴリズムは、ほとんどの暗号システムで広く使用されていて、最新の認証プロトコルで重要な要素であり続けています。これらのデバイスはSHA-256規格をサポートしています。対称認証ソリューション 高速認証 容易なキー管理 偽造防止に最適 保護されたハードウェアベースのキーストレージを備えた暗号化エレメント セキュア対称認証デバイスのホスト / クライアント操作

標準ツェナー電圧 = 10V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MicroMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = <15Ω。最大逆漏れ電流 = <2μA。寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2800 mW。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 147A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。最小DC電流ゲイン = 16。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 90V。最小ブレークダウン電圧 43.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ R 6。最大逆スタンドオフ電圧 39V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 5000W。最大ピークパルス電流 667A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Max +175 ℃mm。テスト電流 1mA。Transil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向。最大クランピング電圧 265V。最小ブレークダウン電圧 143V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 128V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 15A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 930mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A。STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 20 → 25 A

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 388V。最小ブレークダウン電圧 209V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 188V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 26A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。テスト電流 1mA。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 32.5V。最小ブレークダウン電圧 17.1V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 15.3V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 308A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。幅 5.3mm。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 27.2V。最小ブレークダウン電圧 14.3V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 12.8V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 368A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 5.3mm。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 121V。最小ブレークダウン電圧 64.6V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 58V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 1500W。最大ピークパルス電流 83A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.5 5.3 5.3mm。テスト電流 1mA。Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 59V。最小ブレークダウン電圧 31.4V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 28.2V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 600W。最大ピークパルス電流 68A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃mm。幅 3.53mm。Transil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 750。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

ダイオード構成 シングル。最大クランピング電圧 35V。最小ブレークダウン電圧 16.6V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ R 6。最大逆スタンドオフ電圧 15V。ピン数 2。ピークパルスパワー消費 5000W。最大ピークパルス電流 1714A。1チップ当たりのエレメント数 1。動作温度 Min -65 ℃。寸法 9.1 9.1 9.1mm。幅 9.1mm。Transil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.25 W。最小DC電流ゲイン = 100， 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-32。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 20.8 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics