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単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥949,800税込￥1,044,780
1枚
5日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包材質炭化ケイ素グレードダミー仕上CMPアズワン品番68-4088-78
単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N ダミーグレードIV-SemiteC￥119,800税込￥131,780
1枚
6日以内出荷
高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型/ドーパント： Nタイプ、窒素●グレード：ダミーグレード●直径： 150.0mm± 0.2mm (6インチ)●厚さ： 350 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 2 個/cm2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm●オリフラ： // [11-20] ± 5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE)： ウェハ端から3mm●反り： LTV≦5μm、TTV≦15 μm、BOW≦40μm、WARP≦60 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi-ready (Si面Ra≦0.2 nm、C面Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： 2 個以下、各々1mm 以内●XRD半値幅： ≦60 arcsec●表面パーティクル： 0.3μm ≦30個●表面金属不純物： Al/Cr/Fe/Ni/Cu/Zn/pb/V/Mn/NA/Ca/K/Mg≦5E10atoms●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包アズワン品番68-4088-73
