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ハイパープロ社が独自設計する『コンスタントライジングレート』をもつサスペンションスプリング。 サスペンションの動きに追従してバネレートが常に変化。 柔らかすぎず硬すぎない状態を維持し、高負荷のコーナリングや急ブレーキ時も踏ん張る力を併せ持ちます。 ・コーナー手前のブレーキング時におけるキャスタの変化を適正化し、次の動作に移りやすくします。 コーナリング中の細かなギャップを吸収し、乗り手の邪魔となる振動をなくします。 ・通常のスプリングと違い一定のバネレートがないため、共振することがありません。 ・コンピューター制御の工作機械で巻き取られたスプリングにショット処理を施し、性能の劣化につながる表面の微細なキズを取り除きます。 さらに、完成後には一本ずつテスターによる性能検査が行われます。 ・ハイパープロ社の本拠地オランダでは、救急バイク全車にハイパープロのスプリングが装着されています。

ハイパープロ社が独自設計する『コンスタントライジングレート』をもつサスペンションスプリング。 サスペンションの動きに追従してバネレートが常に変化。 柔らかすぎず硬すぎない状態を維持し、高負荷のコーナリングや急ブレーキ時も踏ん張る力を併せ持ちます。 ・コーナー手前のブレーキング時におけるキャスタの変化を適正化し、次の動作に移りやすくします。 コーナリング中の細かなギャップを吸収し、乗り手の邪魔となる振動をなくします。 ・通常のスプリングと違い一定のバネレートがないため、共振することがありません。 ・コンピューター制御の工作機械で巻き取られたスプリングにショット処理を施し、性能の劣化につながる表面の微細なキズを取り除きます。 さらに、完成後には一本ずつテスターによる性能検査が行われます。 ・ハイパープロ社の本拠地オランダでは、救急バイク全車にハイパープロのスプリングが装着されています。

ねじに余裕の締付力。 クッショングリップ、(+)(-)で色分け。 刃先は高精度のブラックポイント加工。

IEC35mmレール取り付け可能

産業機械用フューエルエレメントです。

産業機械用エアーエレメントです。

カメラをプリンターやPCに接続するためのUSB接続ケーブルです。

アクリル樹脂製のコの字型ディスプレイです。 店頭やショーケースでのスペースの有効活にオススメです。 立体的にディスプレイすることでより商品が魅力的に。 透明度抜群で品質に自信あります!

サイズにより色が異なるので使いたいサイズが一目瞭然です。 硬度はHRC59、仕上げ寸法精度は1/100mmと非常に高精度です。 ボール部は斜め30°までの角度で回すことができます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 135000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

PBレインボーレンチはそれぞれのカラーにより使用寸法を一目で判別できるようにしました。また、特殊パウダーコートにより、耐錆性があります。エッジは軽く隅取りしてあり、レンチをたやすくネジ穴に差し込むことができます。レンチには5桁の生産番号が記されており、この番号で原料段階の製造過程まで遡ることができます。硬度はHRC59と大変高く、しかも強靭に作られているので、耐摩擦性、持久性に優れ、高トルクをかけることができます。精密に作られたボールポイントで角度のついたところのネジを回すことが可能です。(斜め30°の角度までOK)ホルダー付。

CT-3000WPシリーズ用交換センサーです。

荒仕上、中仕上用砥石。 耐摩耗性に優れ、折れにくい特性は、放電加工素材、溝、スリット、底角などの難作業に高い研削性を発揮。