仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor寸法(mm)5×4×1.5RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN, P最大パワー消費(W)3.1、3.4チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.9、5.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)72、150最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成絶縁型カテゴリーパワーMOSFET