- 仕様
- 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 6
- 動作温度(℃)
- -55 (Min)
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 2
- チャンネルタイプ
- N， P
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(mA)
- 340510
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 410
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- トランジスタ構成
- 絶縁型
- 最大パワー消費
- 960 mW
