チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc