チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmデュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.