制御機器 ：「バイアス」の検索結果

直流電流/電圧信号に対してレシオ・バイアス演算を行って出力する薄型プラグイン構造の絶縁1出力/2出力 比率(レシオバイアス)変換器です。

【付属】トレーサビリティー証明書+作業用計測器成績書～標準器校正成績書(和文)

Knitter Switchミニチュアトグルスイッチ - STMシリーズ. バイアス付き / バイアスなしオプション 銀コンタクト クロムめっき黄銅製アクチュエータ及びジアリルフタレート(UL94 V-0)製ケース

バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

マイクレベルの信号をラインレベルに増幅するアンプです。コンデンサマイクをご使用の場合はバイアス抵抗の取り付けが必要です。

バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

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バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

バイアススイッチの(on)は、モメンタリ(on)位置を表す.ToggleSwitches，Std，15AMetalLever.Singleanddoublepoleswitcheswithachoiceofflatinsulatedornickelplatedbrasslevers.12mmmountingbush250(1/4in.)terminalsBrassactuatorandMelamine/PolyestercaseSilver/NickelAlloycontacts

村田製作所GR3 2220 X6T / X7T / X7U誘電体。村田製作所GR3シリーズは、DCバイアス特性に優れた汎用高リプル抵抗製品 DCバイアスが印加されると、従来型製品(X7R特性)より高い静電容量値を実現可能 GR3はノイズ除去効果を発揮 用途: 電源の力率補正回路、EMI抑制回路、平滑化回路

Infineon BAT シリーズのショットキーダイオードは、最大定格電流 250 mA で高速スイッチングが可能です。低損失、高速回復、メータ保護、バイアス絶縁、クランプ用途で使用されます。ガードリング保護 低順方向電圧 鉛フリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = デュアル電源。回路数 = 1。ピン数 = 8。標準ゲイン帯域幅積 = 4MHz。標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±5 V， ±9 V。標準スルーレート = 16V/μs。動作温度 Max = +70 ℃。標準電圧ゲイン = 106 dB。幅 = 3.9mm。LF347、LF351、LF353、JFET入力、低入力バイアス及びオフセット電流オペアンプ. LF347、LF351、及びLF353は、一対の高電圧JFETトランジスタ及びバイポーラトランジスタを備えた高速JFET入力オペアンプです。 高スルーレート、低入力バイアス及びオフセット電流、低オフセット電圧温度係数を特長としています。

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.047kΩ。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = デュアル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩ。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

最大温度150℃、静電容量変動±15%以内、高温環境で動作するデバイスに適したシリーズ優れたDCバイアス特性用途車載用途(エンジンルーム)高温環境で使用されるIGDT、SiC、GaNのペリフェラル回路センサモジュールその他の高温動作デバイスの平滑化及びデカップリング用途

トリムスイッチ。センターオフにバイアス。4つのN/Oコンタクトと1つのコモン接続を装備 2軸4方向(前、後、左、右) 堅牢な構造、優れた操作感 2つのアクチュエータタイプ 動作温度範囲: -55 → +85℃ コンタクト定格: 1 A (誘導) @ 28 Vdc

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

種類 = オン / オフ規格プレート。併用可能製品 = トグルスイッチ。色 = Black。バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。. トグルスイッチ、標準、On-Off凡例プレート. RSの0.468インチ(11.9mm)ブッシュ径のパネル取り付け標準トグルスイッチ製品に使用するクロム仕上げの凡例プレート

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

。UL、CSA。バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。7000シリーズスイッチ。C ；Kシリーズ7000トグルスイッチは、エポキシシール端子を備えており、底面洗浄クリーニングに対応します。パネル用ミニチュアスイッチ 黄銅製アクチュエータ及びナイロン6.6 (UL 94 V-0)ケース 銀コンタクト パネル切抜き: 9 mm

UL、CSA、CECC、LNZ、GAMT1、QPL(欧州)、MUAHAG、NATO.バイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準レバー.さまざまなコンタクト構成のパネル取り付けスイッチはんだラグ端子ブッシュねじ1/4-40UNS(6.35-4UNS)黄銅製アクチュエータ、ジアリルフタレート製ケースパネル切抜き:6.35mmΦ

すべてのスイッチの接触抵抗は10mΩ以下ですバイアススイッチの'(on)'は、モメンタリの'on'の位置を表します。.トグルスイッチ、標準、15Aフラット絶縁レバー.フラット絶縁レバー又は従来の金属製レバーを選択可能な単極及び2極スイッチです。12mm取り付けブッシュ250(1/4インチ)端子黄銅製アクチュエータ、メラミン/ポリエステル製ケース銀/ニッケル合金コンタクト

最高温度が150℃で、静電容量の変動が±15%以内のこのシリーズは、高温環境で動作する機器に適しています。優れたDCバイアス特性用途車載用途(エンジンルーム)高温環境で使用されるIGDT、SiC、GaNの周辺回路センサモジュール高温で動作するその他の機器の平滑化/デカップリング用途

AEC-Q200。ETQP4Mシリーズ低プロファイルパワーチョークコイル。パナソニックのETQP4Mチョークコイルは、低プロファイルのコンパクトソリューションです。 ETQP4Mチョークコイルは、金属複合コアテクノロジーで製造され、信頼性が高く、+155℃までの耐熱性があります。 磁性鉄合金を使用しているためバイアス電流が高く、巻線のRDCとコアの渦電流損失が低