制御機器 ：「PN55」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 140 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

TE Connectivity 1612618DRAM タイプ：ダブルデータレート( DDR )、コネクタシステム：ケーブル対基板、プロファイル：超高、行対列間隔：6.2 mm、シール可能：いいえ、センターキー：なし、モジュールの向き：ライトアングル、極数：200、行数：2、キーイング：標準、DRAM 電圧：2.5 V、SGRAM 電圧：2.5 V、イジェクタタイプ：ロック、コンタクト部品、最大コンタクト材質：金フラッシュコンタクト材質(銅製) ソケットタイプ：メモリカード、挿入スタイル：カムイン、基板実装保持タイプ：はんだペグ、基板取り付けスタイル：表面実装、コネクタ取り付けタイプ：基板実装、センターライン(ピッチ)：0.6 mm、ハウジング色：黒、スタック高さ：9.2 mm、動作温度範囲：-55 → 85 ℃、回路用途：電源、UL 難燃性等級：UL94V-0、パッケージ方法：半硬質トレイ 20、数量 コメント：20 ソケット PN 1279284-1 付きセミハードトレイ