制御機器 ：「VCC」の検索結果

LED数 = 1。ピーク波長 = 405nm。光度 = 200 mcd。パッケージタイプ = 5 mm。ビュー角 = 15°。ピン数 = 2。LED材質 = InGaN。実装タイプ = スルーホール実装。直径 = 5.9mm。高さ = 8.6mm。シリーズ = VAOLmm。UV LEDは、人間の目にとって有害な可能性がある紫外線を発します。目を保護せずに点灯中のUV LEDを見ないでださい。. VCC紫外線LEDランプ、T1-3/4 5 mm. VCCのUV (紫外線) T1-3/4 (5 mm) LEDランプ製品です。このLEDは、InGaN材料技術を採用しており、無色透明のレンズを備えています。主な用途には、消毒や殺菌、接着剤の硬化、漏れ検出、セキュリティ認証などがあります。選択可能なピークUV波長 / 放射角: VAOL-5EUV0T4 405 nm / 15 ° VAOL-5EUV8T4 385 nm / 15 ° VAOL-5GUV0T4 405 nm / 30 ° VAOL-5GUV8T4 385 nm / 30 °

VC-2-1に取り付けて高さ調整をします。

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 24TSSOP

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 24SO

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 1000 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 330 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 680 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 1000 pF 小型サイズ 低損失

8M13 シリーズ単動リニア電磁石(標準使用。オートメーションや小型機構向けの単動リニア電磁石です。 プッシュモデル又はプルモデルを用意しています。 パーマネントデューティ(デュティー係数100 %)用コイルです。間欠運転に適しており、定格電圧を超える、最大50 V dcの電源により優れた作動力が得られます。

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 150 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 220 pF 小型サイズ 低損失

Vishay 高電圧セラミックコンデンサは、ラジアルリード付き単層ディスクです。このコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクで構成されています。接続リードは、直径 0.026 インチ( 0.65 mm )及び 0.032 インチ( 0.80 mm )のスズめっき銅クラッドスチールワイヤ製です。静電容量： 100 pF 小型サイズ 低損失

論理回路 = VHCT。ロジックタイプ = 非反転。チャンネル数 = 1。入力タイプ = LS-TTL。出力タイプ = CMOS。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13ns。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 4.5mm。高速： tpd = 3.5 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 mA (最大) @ TA = 25 ° C TTL 互換入力： VIL = 0.8 V 、 VIH = 2.0 V CMOS 対応出力： VOH> 0.8VCC 、 VOL< 0.1VCC @ 負荷 入力及び出力でのパワーダウン保護機能を実現

HTFSSeries.PCBmountingHallEffectcurrenttransducersdesignedaroundaproprietaryASIC.AC，DC，andmixedcurrentmeasurementUnipolar5VsupplyLowpowerconsumptionExtremelylowprofileReferencein/outRatiometricoutput(Vcc/2)ThePversionhasafixingvia4holesTheP/SP2versionhasafixingvia4solderpins

HTFSSeries.PCBmountingHallEffectcurrenttransducersdesignedaroundaproprietaryASIC.AC，DC，andmixedcurrentmeasurementUnipolar5VsupplyLowpowerconsumptionExtremelylowprofileReferencein/outRatiometricoutput(Vcc/2)ThePversionhasafixingvia4holesTheP/SP2versionhasafixingvia4solderpins

HTFSSeries.PCBmountingHallEffectcurrenttransducersdesignedaroundaproprietaryASIC.AC，DC，andmixedcurrentmeasurementUnipolar5VsupplyLowpowerconsumptionExtremelylowprofileReferencein/outRatiometricoutput(Vcc/2)ThePversionhasafixingvia4holesTheP/SP2versionhasafixingvia4solderpins

HTFSSeries.PCBmountingHallEffectcurrenttransducersdesignedaroundaproprietaryASIC.AC，DC，andmixedcurrentmeasurementUnipolar5VsupplyLowpowerconsumptionExtremelylowprofileReferencein/outRatiometricoutput(Vcc/2)ThePversionhasafixingvia4holesTheP/SP2versionhasafixingvia4solderpins

豊富な商品ラインナップ(SSOP、SOP4pin、DIP6pin) 動作時間：Typ.0.4msの高速スイッチング(APV1121S) 耐電圧：5，000Vrmsの高絶縁(APV1122)

ピン数 = 16。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm。自動車規格 = AEC-Q100。高速スイッチング及び伝播速度 スイッチ間の低クロストーク すべての入力 / 出力でダイオード保護 アナログ電源範囲( VCC - VEE ) = 2.0 → 12.0 V デジタル(制御)電源範囲( VCC - GND ) = 2.0 → 6.0 V 金属ゲートカウンタ部品よりも直線性が向上し、オン抵抗が低減しています 低ノイズ チップの複雑さ： HC4051A-184 FET または 46 相当 Gates HC4052A-168 FET 又は 42 等価 Gates HC4053A-156 FET 又は 39 相当の Gates

ロジックタイプ = インバータ。出力タイプ = LSTTL。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = LS。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

ロジックタイプ = マルチプレクサ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC-NB の略。ピン数 = 16。論理回路 = ECL。入力タイプ = シングルエンド。動作供給電圧 Max = -5.7 V ( NECL )、 5.7 V ( PECL。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 710ps。動作供給電圧 Min = -4.2 V ( NECL )、 4.2 V ( PECL )。幅 = 4mm。4 ： 1 マルチプレクサ又は 2 ： 1 マルチプレクサとして便利 シングルエンド動作用 VBB 出力 PECL モード動作範囲： VCC = 4.2 → 5.7 V ( VEE = 0 V NECL モード動作範囲： VCC = 0 V ( VEE = -4.2 → -5.7 V D および SEL の入力プルダウン抵抗内蔵。 鉛フリーパッケージを用意