制御機器 ：「ntr」の検索結果

7セグメント4桁(9999)のアップダウンカウンターです。カウント値を設定すれば、その値になるとリレーが[ON/OFF]動作します。カウンターだけではなくタイマーの機能も搭載しています。時間設定は0.01秒～99.99秒、1秒～99分59秒の2モードです。電源OFFでもカウント値、設定値を保存する機能が付いていますので一旦電源をOFF後、再度ONにしても以前の続きからカウントできます。電源電圧：DC5～9V。最大電流：約70mA。入力：接点、オープンコレクタ入力。出力リレー：1C接点(接点定格[DC24V 1A][AC125V 0.5A])。出力ブザー：入力検出時発音。データ出力：・7セグメントLED表示データ出力・UART(19200bps/8bit/パリティなし/ストップビット1)。表示：セグメント 4桁。基板サイズ：W70×D55×H14mm。カウンター機能：・最大カウント数：9999カウント・カウントモード：4種(アップ、ダウン、アップ繰り返し、ダウン繰り返し)・最大入力カウント：20カウント/秒(最小入力時間 25ms)・カウント値保持：あり(電源が落ちてもモード、カウント値は保持)・出力時間設定：0.1～99.9秒 0は出力保持・リレー出力設定：ON または OFF・ブザー音設定：ON または OFF。タイマー機能：・時間範囲：0.01秒～99.99秒 又は 1秒～99分59秒・タイマーモード：4種(アップ、ダウン、アップ繰り返し、ダウン繰り返し)・タイマー精度：約±1%未満・タイマー値保持：あり(電源が落ちてもモード、タイマー値は保持)・出力時間設定：0.1～99.9秒 0は出力保持

CPS-MC341シリーズ専用外部3Gアンテナ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 85 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 730 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 2.9mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V。最大パワー消費 = 400 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃V

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 560 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 830 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 560 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 690 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 260 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V。最低ゲートしきい値電圧 = 1.9V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±30 V。幅 = 1.4mm。順方向ダイオード電圧 = 1.2V

「握る」ことを最大限に追及した、斬新な形の電子機器用プラスチックケース

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

TE Connectivity TDS シリーズ Alcoswitch DIP スイッチは、独自のコーディングと合理化された製造向けに設計されています。産業用及び自動制御ボード、火災及びセキュリティシステム、サーモスタット、ホームオートメーション、通信デバイスで使用されます。動作温度範囲は -20 → +85 ℃ ですトライステートポジショニング 絶縁耐性： 500 V ac ( 1 分間 RoHS対応(2022年10月現在)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 400 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

TE Connectivity EDS シリーズ Alcoswitch DIP スイッチは、省スペースで無駄のない製造を可能にする設計です。産業用及び自動制御ボード、火災及びセキュリティシステム、サーモスタット、エレベーター、通信デバイスで使用されています。動作温度範囲は -20 → +85 ℃ です連結可能 絶縁耐性： 500 V ac ( 1 分間 RoHS(2022年10月現在) 及びハロゲンフリー

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

TE Connectivity TDS シリーズ Alcoswitch DIP スイッチは、独自のコーディングと合理化された製造向けに設計されています。産業用及び自動制御ボード、火災及びセキュリティシステム、サーモスタット、ホームオートメーション、通信デバイスで使用されます。動作温度範囲は

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。