制御機器 ：「snp」の検索結果

丸型で手にフィットするモバイルケースです。24サイズ、色仕様12タイプからご選択いただけます。ボディー部がアルミ押出材、パネル部がABS樹脂です。

高電流とマルチレンジ(AC及びDC). 交流又は直流電流の絶縁測定に電流シャントやトランスのフレキシブルな代替品です。 両タイプにBayblend KU1468 UL94-VOケースがあり、高電流タイプにホール効果とゼロ位法に基づく電流センサがあります。 出力は平衡電流で、常に二次側の巻数によって抑えられる一次電流の完全なイメージを与えます。 その電流は抵抗器を通過することで電圧によって表現され、マルチレンジタイプは類似のデバイスですが、より広い測定レンジが可能です。 一次側の5巻数を使用すると最大36 Aが、一次側の7巻数を使用すると最大43 Aが測定できます。

劣化接点出力対応劣化接点出力機能を搭載し、交換推奨時期およひ?劣化時期を遠隔監視することが可能です。 ※外部電源DC5Vが必要です(別売品 電源制御ユニット 形式：CS-205S) SPD機能表示付き交換推奨時期およひ?劣化時期にSPD機能表示LEDか?が点灯します。 ※外部電源DC5Vが必要です(別売品 電源制御ユニット 形式：CS-205S) 優れた高周波特性。 外部導体の特殊メッキ採用による高品質、高性能接触性能、高周波特性の向上と優れた耐候性。 確実な締め付け可能なカッフ?リンク?構造カッフ?リンク?ナットのスハ?ナか?け構造により工具を用い確実な締め付け管理が可能です。 RoHS規制物質対応

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。アクチュエータタイプ = ローレット加工シャフト%。ノブポテンショメータ、スイッチ付き - P16S. P16Sシリーズのパネル取り付けスイッチ付きポテンショメータは、ノブ駆動とサーメットポテンショメータで構成されています。 この独自の設計により、取り付けハードウェアや端子に必要となるパネル奥の取り付けスペースが極めて小さくなっています。 用途: 携帯機器、通信ハンドセット、暗視ゴーグル、コックピットパネルコントローラなど. 小型設計 ディテント及び電気的カットオフ(移動開始時) 完全密閉及びパネルシールド テスト基準はCECC 41000又はIEC 60393-1

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 47kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 8.8mm。軸径 = 16 mm。許容差 = ±20%。ノブポテンショメータ、スイッチ付き - P16S. P16Sシリーズのパネル取り付けスイッチ付きポテンショメータは、ノブ駆動とサーメットポテンショメータで構成されています。 この独自の設計により、取り付けハードウェアや端子に必要となるパネル奥の取り付けスペースが極めて小さくなっています。 用途: 携帯機器、通信ハンドセット、暗視ゴーグル、コックピットパネルコントローラなど. 小型設計 ディテント及び電気的カットオフ(移動開始時) 完全密閉及びパネルシールド テスト基準はCECC 41000又はIEC 60393-1

CONPROSYS nano プログラマブル・リモートI/O 通信カプラ (IEC 61131-3 CODESYS) / Modbus スレーブ / 4x スロット / 1x LAN / 1x RS-232C

Vishay THJP 表面実装チップは、デバイスの電気的絶縁を維持しながら、アース面又はヒートシンクへの導電経路を電気的に絶縁するように設計されています。SnPb と鉛フリーの両ラップアラウンド終端スタイルには、窒化アルミニウム基板が使用されています。静電容量が小さいため、高周波や熱しごの用途に最適です。カスタムサイズを用意電気的に絶縁された熱伝導体 高熱伝導性 AlN 基材( 170 W/mK ) 電気的絶縁終端(> 999 M Ω ) 低静電容量 SnPb 又は鉛( Pb )フリーラップ終端品があります

Vishay THJP 表面実装チップは、デバイスの電気的絶縁を維持しながら、アース面又はヒートシンクへの導電経路を電気的に絶縁するように設計されています。SnPb と鉛フリーの両ラップアラウンド終端スタイルには、窒化アルミニウム基板が使用されています。静電容量が小さいため、高周波や熱しごの用途に最適です。カスタムサイズを用意電気的に絶縁された熱伝導体 高熱伝導性 AlN 基材( 170 W/mK ) 電気的絶縁終端(> 999 M Ω ) 低静電容量 SnPb 又は鉛( Pb )フリーラップ終端品があります

。Vishay THJP 表面実装チップは、デバイスの電気的絶縁を維持しながら、アース面又はヒートシンクへの導電経路を電気的に絶縁するように設計されています。SnPb と鉛フリーの両ラップアラウンド終端スタイルには、窒化アルミニウム基板が使用されています。静電容量が小さいため、高周波や熱しごの用途に最適です。カスタムサイズを用意電気的に絶縁された熱伝導体 高熱伝導性 AlN 基材( 170 W/mK ) 電気的絶縁終端(> 999 M Ω ) 低静電容量 SnPb 又は鉛( Pb )フリーラップ終端品があります

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0Gは、時間と電圧に対する静電容量の変動を一切示しません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0Gは、時間と電圧に対する静電容量の変動を一切示しません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0Gは、時間と電圧に対する静電容量の変動を一切示しません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0Gは、時間と電圧に対する静電容量の変動を一切示しません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。C0Gは、時間と電圧に対する静電容量の変動を一切示しません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMET の X7R 誘電体は、最高動作温度が 125 ℃ で、温度が安定していると見なされています。コンポーネントは固定セラミック誘電体コンデンサで、バイパス及びデカップリング用途、又は Q 特性及び静電容量安定特性が重要でない周波数弁別回路に適しています。時間と電圧に対する X7R の静電容量の変動は予測可能です。周囲温度に対する静電容量の変動は最小限に抑えられます。静電容量の変動は-55 ～ +125 ℃の範囲で±15 %に制限されています。鉛(Pb)フリー 温度安定誘電体 DC 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げによる優れたはんだ付け性 必要に応じて SnPb 終端仕上げにも対応可能(鉛含有量：最低 5 % )

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)