仕様デュアルマッチドバイポーラトランジスタ、ONSemiconductor.ベースエミッタ電圧(VBE)及び電流ゲイン(hFE)にマッチするシングルパッケージのNPN又はPNPバイポーラトランジスタのペアです。ピン数(ピン)6動作温度(℃)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT363(SC88)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65最大パワー消費(mW)380最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成絶縁型最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン220最大動作周波数(MHz)100