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FDN352AP onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi 68199646

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

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内容量: 1箱(10個)
注文コード: 68199646
品番: FDN352AP

8月23日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は749円となります。

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)￥659

販売価格(税別)

￥599

仕様: PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
高さ(mm): 0.94
ピン数(ピン): 3
RoHS指令(10物質対応): 対応
実装タイプ: 表面実装
チャンネルタイプ: P
材質(トランジスタ): Si
チャンネルモード: エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A): 1.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V): 30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): 180
最小ゲートしきい値電圧(V): 0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V): -25、 +25
トランジスタ構成: シングル
最大パワー消費: 500 mW

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