制御機器 ：「ソース」の検索結果

4chソースドライバ TD62M4601FG 東芝製を販売します。

薄型・省スペース基板型コントローラ。コンパクトな基板型コントローラ。薄型・省スペース設計で、限られたスペースでも設置可能です。プログラム操作が簡単・使いやすい。20種の命令を選択しながら進めるだけで、マニュアルレスで簡単にプログラミングができます。組み込み用途に最適。安価でありながら、各種インターフェースを標準装備しています。いろいろな機器への組み込みに最適です。機能拡張が可能。入出力I/O基板、アナログ入力基板など、追加ボードを使用することで、さまざまな用途に対応可能です。

JX-BASIC-EX2対応拡張IO。ソース出力

フォトカプラ絶縁出力 出力回路にサージ電圧保護のツェナーダイオードを内蔵 -20～+60℃周囲温度に対応 電解コンデンサ未使用

フォトカプラ絶縁入力 入力信号のすべてを割り込み入力として使用可能 ノイズやチャタリングによる入力信号の誤認識を防止するデジタルフィルタ機能搭載 動作確認用LED搭載

フォトカプラ絶縁入力、フォトカプラ絶縁出力 入力信号のすべてを割り込み入力として使用可能 ノイズやチャタリングによる入力信号の誤認識を防止するデジタルフィルタ機能搭載 出力回路にサージ電圧保護のツェナーダイオードを内蔵 -20～+60℃周囲温度に対応 コンパクト設計

本製品ページのアドバンテックADAM-4000/4100シリーズ製品は、測温抵抗体(RTD)、熱電対、および電圧・電流センサ入力に対応した多機能I/Oモジュールです。RS-485通信とModbusプロトコルに対応しており、産業用ネットワークへの統合が容易です。温度・アナログ信号の高精度な測定とデータ収集に最適で、環境監視や工場オートメーションなど幅広い用途に活用できます。--------------------------------------------------------------------------------------------------------。ADAM-4015はRTD入力(Pt100等)対応の6チャネル温度モジュールで、高精度な温度測定を実現。ADAM-4115は RTD(高精度、安定した温度測定向き)。ADAM-4018+はノイズ耐性を強化した熱電対入力モジュールで、環境監視や設備管理に幅広く利用可能。ADAM-4118は、熱電対タイプ(高温含む広範囲の温度監視向き)、工場の多点温度監視に最適。ADAM-4019+は±10Vや4?20mAなどのアナログ信号を同時に扱える柔軟な8チャネル入力を備え、複数センサの統合に最適。ADAM-4056SOは12チャネルのソース型デジタル出力を持ち、リレーや警告灯の制御に対応。--------------------------------------------------------------------------------------------------------

PAX R Setpoint プラグインカード デュアルトライアック / デュアル SSR ドライブ PAX ユニット専用です 絶縁ゼロクロス検出( TRAIC ) 最大負荷電流 1 A @ 25 ℃ (トライアック) 電圧：最大 260 V ac、最小 20 V ac (トライアック) 2 つの絶縁ソース PNP トランジスタ( SSR ) 出力電圧： 18 / 24 V dc (ユニットによる) +/- 10 % ( SSR ) 出力

PAX R Setpoint プラグインカード クワッドリレータイプ PAX ユニット専用です AMP コンタクト x 3 ( @ 120 / 240 V ac 又は 28 V dc

PAXRSetpointプラグインカードクワッドフォームCリレータイプPAXユニット専用ですAMPコンタクトx3@125Vac又は30Vdc

DCシグナルソース用

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。回路構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。高さ = 0.93mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 85pF。寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm。幅 = 3.86mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-883。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 4pF。寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm。高さ = 0.41mm。NチャンネルJFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 560 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V。最大パワー消費 = 830 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.01mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 0.94mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 100 A、238 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.05mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 73 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 30 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.3mm。高さ = 0.75mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 22 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 185 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.04mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor