制御機器 ：「安全管理」の検索結果

安全規格不要!(全種類400Wh/L以下) 全数国内入荷時、再通電検査、外観検査を実施。 全数ロット管理してます。

危険場所への持込みなど、携帯用プラグとして最適。 セーフティプラグ取外しにより、負荷回路や制御回路の遮断 状態を保持。 バヨネット方式のプラグ着脱により安定した保持状態を確保。 電線、金属片による故意短絡を防止。(内蔵接点の二重遮断による高い安全性を実現) 盤面丸穴(Φ30)にて取付可能。 端子カバー標準装備。 UL、c-UL承認品。

ダテックターミナルは、卓上型として幅広くご使用できる電子機器用のプラスチックケースです。データ収集用ケースとして開発された高度な多様性がこのケースの特徴です。操作部は人間工学的に設計された傾斜角度により、操作・読み取りが容易です。組立が容易な構造で、組立やメンテナンスに要する時間とコストを削減します。組立ビスは全てカバートリム内に隠され、外部から見えない構造です。穴開け加工に適した、平面部分を設けています。保護等級は、IP54に適合しています。作業・機械などのデータ収集、入室・保安管理、計測・制御、暖房・空調制御、医療・安全管理等に幅広く使用できます。

クライアントPC、エントリーNAS、POSシステムなどの電源保護に最適な正弦波出力UPS。出力容量 550VA/330W、ラインインタラクティブUPS、サージ保護+バックアップコンセント(3)、サージ保護のみコンセント(3)、リセット可能入力サーキットブレーカー、長寿命バッテリー(期待寿命4～5年：周囲温度25℃)、10/100/1000Base-T ネットワーク回線サージ保護、電源管理ソフトウェア PowerChute Personal Edition バンドル、3年間の無償保証。交換用バッテリキット：APCRBC122J

ラインインタラクティブ方式、リセット可能入力サーキットブレーカー、長寿命バッテリー(期待寿命4～5年：周囲温度25℃)、10/100/1000Base-T ネットワーク回線サージ保護、電源管理ソフトウェア PowerChute Personal Edition バンドル、自動電圧調整(AVR)

出力容量 1000VA/600W、ラインインタラクティブUPS、サージ保護+バックアップコンセント(4)、サージ保護のみコンセント(4)、リセット可能入力サーキットブレーカー、長寿命バッテリー(期待寿命4～5年：周囲温度25℃)、10/100/1000Base-T ネットワーク回線サージ保護、電源管理ソフトウェア PowerChute Personal Edition バンドル、先出しセンドバック保証5年が付いたモデルです。

WindowsおよびLinux用リReal COM/TTYドライバをサポート 標準のTCP/IPインタフェースと多彩な動作モードをサポート 多数のデバイス・サーバの設定に便利なWindowsユーティリティをサポート すべてのシリアル信号に対応した15 KV ESD保護機能を内蔵 SNMP MIB-IIによるネットワーク管理をサポート TelnetまたはWebブラウザによる設定

出力容量 1200VA/720W、ラインインタラクティブUPS、サージ保護+バックアップコンセント(4)、サージ保護のみコンセント(4)、リセット可能入力サーキットブレーカー、長寿命バッテリー(期待寿命4～5年：周囲温度25℃)、10/100/1000Base-T ネットワーク回線サージ保護、電源管理ソフトウェア PowerChute Personal Edition バンドル、先出しセンドバック保証5年が付いたモデルです。

NX1が実現する情報活用・安全対策・品質管理と生産効率向上の両立 生産タクトに同期するトレーサビリティ 高速タクトラインの装置制御と安全制御を統合 高速検査もインラインで実現 制御と情報を融合するコントローラで多彩なアプリケーションを実現 The solution in your hand-コンパクトボディに制御と情報を融合する機能をぎっしり搭載 高速高精度な制御性能 マルチコアで制御と情報を両立 セキュアに上位接続 Ethernet機能の充実

セキュリティの強化と処理性能が向上したネットワークカードの最新モデル。各種ネットワーク管理製品によりSNMPベースでの電源管理ができます。またPowerChute Network Shutdownとの併用により、電源障害時にシステムの安全なシャットダウンを行うことができます。WebブラウザでのUPSの監視・管理が可能。

2つの素材による美しさと機能性が優れたケース

サーバルーム、データセンタにおけるサーバの安全なシャットダウンを実現する、UPSの管理に最適なネットワークベースのソフトウェアです。 大容量UPS、冗長電源サーバにも対応します。1nodeライセンスです。納品物はライセンスシートが梱包された封筒です。 ソフトウェアはライセンスキーを登録することによりダウンロードにて提供させていただきます。 1年間のアップグレードライセンスつきです。(マイナーアップグレードのみ対象)バージョン3.1より登録可能です。 別途Network Management Card2(AP9630JもしくはAP9631J)が必要です。必ずOS対応表をご確認ください。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.7mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 120 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。動作温度 Min = -65 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。高さ = 1.6mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 5.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 690 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 180 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 9.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 185 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 6.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

フッ素樹脂を保護管に使用しているため、耐薬品性に優れています。メッキ槽関連、海水管理などに適しています。 フレキシブルなので、湾曲した部分やパイプ内部などに使用できます。

本製品は、製品や管理ボックスへの収容に適した小型VPN ルーターです。さまざまな機器が混在するネットワーク環境において、ご利用の装置へAT-AR2010Vを組み合わせることで管理者とのVPNを構築し、管理者がデバイスとデータを安全に運用することができます。

Traco 24 / 5 / 12 V TPP 65 シリーズ、60 W 出力電源、AC/DC 医療用電源。効率が最大 92 % と高く、電力密度も高くなっています。アース漏洩電流は 75 μ A 未満で、高い信頼性と優れた熱管理を実現します。保護クラス l 及び ll 準備 動作温度範囲： -40 → +70 ℃ <低漏洩電流： 75 μ A 定格で BF 用途に対応

Traco 28 V TPP 100 シリーズは、100 W の出力電力、AC/DC 医療用電源です。効率が最大 92 % と高く、電力密度も高くなっています。アース漏洩電流は 75 μ A 未満で、高い信頼性と優れた熱管理を実現します。保護クラス l 及び ll 準備 動作温度範囲： -25 → +60 ℃ <低漏洩電流： 75 μ A 定格で BF 用途に対応

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm。高さ = 0.93mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 135 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 Vmm。高さ = 2.39mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

文字高18mmと大型液晶ですぐ確認できる優れた視認性。 水が掛かっても大丈夫な防水性能。(保護等級5、防噴流形) 常に正しい温度管理を可能にした「温度補正機能」を搭載。 連続500時間使用できる省電力設計。(エコ設計) 別売のシリコン保護カバーを使用することで、耐衝撃性、防水性能がアップします。

タッチパネル等を用いた、データのビジュアル化を意識したデザインのプラスチックケース

抵抗 10mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

抵抗 100mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

タッチパネル等を用いた、データのビジュアル化を意識したデザインのプラスチックケースのパーツ

抵抗 20mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

Traco 12 / 5 V TPP 65 シリーズ、60 W の出力電力、AC/DC 医療用電源。効率が最大 92 % と高く、電力密度も高くなっています。アース漏洩電流は 75 μ A 未満で、高い信頼性と優れた熱管理を実現します。最高5000 mの高度で動作 保護クラス l 及び ll 準備 動作温度範囲： -40 → +70 ℃ ねじ端子接続付きの密閉型電源装置

電力量計の集中管理をするのに適した集合計器盤キャビネット。水切、防塵・防水パッキン付。検針窓はオリーブ色でネームシールを付属しています。

Traco 24 / 5 V TPP 40 シリーズは、40 W の出力電力、AC/DC 医療用電源です。効率が最大 92 % と高く、電力密度も高くなっています。アース漏洩電流は 75 μ A 未満で、高い信頼性と優れた熱管理を実現します。最高5000 mの高度で動作 保護クラス l 及び ll 準備 動作温度範囲： -40 → +70 ℃