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【仕様】ロジックタイプ：TTL【ピン数(ピン)】8【極性】非反転【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor【出力電流】0.125【供給電圧(V)】18【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【ドライバ数】2【トポロジー】ローサイド【出力数】2

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【仕様】拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング【ピン数(ピン)】8【動作温度(℃)】(Min)-55【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(W)】2.5【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】3.5【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】130【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8、 +8【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大連続ドレイン電流：10.2 A【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】2500【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】30【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】14【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電【長さ(mm)】5【高さ(mm)】1.5【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】1.6【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】0.25【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】30【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】44【最小ゲートしきい値電圧(V)】1【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20、 +20【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：7.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：28 nC @ 10 V【シリーズ】UltraFET【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】2500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】100【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】23【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【高さ(mm)】0.78【ピン数(ピン)】3【動作温度(℃)】(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】625【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(mA)】200【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)】5【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.6【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-12、 +12【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V【高さ(mm)】9.4【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ【パッケージ】TO-220AB【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】320000【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】250【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】60【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●オン抵抗：0.1Ω●パワーレーティング：0.7W【寸法(mm)】3×1.7×1【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【動作供給電圧(V)】(Max)8【出力数】2【電源スイッチの種類】内蔵負荷【最大動作温度(℃)】150【最小動作温度(℃)】-55

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333【シリーズ】SuperFET II【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します【パッケージ】TO-220F【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】35.7【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】800【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】340【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：15 nC @ 10 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【パッケージ】DPAK (TO-252)【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(W)】42【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】100【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】オン抵抗：0.125Ω、統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor【寸法(mm)】3×1.7×1【ピン数(ピン)】6【動作温度(℃)】(Min)-55 、(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【動作供給電圧(V)】(Max)20【パワーレーティング(W)】0.7【電源スイッチの種類】内蔵負荷【動作電流(A)】最大1.8

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.3 A、8.6 A【長さ(mm)】5【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N， P【最大パワー消費(mW)】1600【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】30【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】17 ， 21【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-25 、-20 、+20 、+25【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：20 A【シリーズ】SuperFET II【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します【パッケージ】TO-220F【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】39【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】600【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】170【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667【シリーズ】SuperFET【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します【パッケージ】TO-220F【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】31【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】600【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】600【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【ピン数(ピン)】6【動作温度(℃)】(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大パワー消費(W)】2.4【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A【長さ(mm)】4.6【幅(mm)】2.9【寸法(mm)】4.6×2.9×2.44【高さ(mm)】2.44【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【動作温度(℃)】(Min)-55 、(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【1チップ当たりのエレメント数】1

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【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(構成)シングル【整流方式】ファストリカバリー【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【ピーク逆繰返し電圧(V)】50【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】50【最大連続順方向電流(A)】2【ピーク逆回復時間(ns)】20

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.0833●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.5 nC @ 4.5 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】70【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8 ， +8【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 5 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(mW)】2500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】40【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】27【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】最大スイッチング周波数：300 kHz【幅(mm)】5.4【寸法(mm)】10.3×5.4×1.9【出力電流(A)】8【ピン数(ピン)】16【効率】>94%【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【パッケージ】SOP【実装タイプ】表面実装【出力数】1【最大動作温度(℃)】130【出力タイプ】固定

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【仕様】強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。【ピン数(ピン)】3【動作温度(℃)】-55 (Min)【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】2.2【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】30【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】65【最大ゲートしきい値電圧(V)】1【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.4【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8、 +8【トランジスタ構成】シングル【標準ゲートチャージ】7 nC @ 4.5 V【最大パワー消費】500 mW

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】2000【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】30【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-10 ， +10【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】●ダイオードタイプ：シリコンジャンクション●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：50A【ピン数(ピン)】2【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor【パッケージ】TO-247【実装タイプ】スルーホール【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(V)】1.54【ピーク逆繰返し電圧(V)】600【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】500【ピーク逆回復時間(ns)】124

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【仕様】整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【整流方式】ファストリカバリー【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(mV)】900【ピーク逆繰返し電圧(V)】100【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】50【最大連続順方向電流(A)】2【ピーク逆回復時間(ns)】20

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【仕様】小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【整流方式】スイッチング【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(V)】1【ピーク逆繰返し電圧(V)】100【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】4【ピーク逆回復時間(ns)】4【最大連続順方向電流(mA)】300

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125【高さ(mm)】1【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(mW)】1600【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】105【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【長さ(mm)】5【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】2【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】3.5【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】100【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20、 +20【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】2.7【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】128【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.4【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8、 +8【トランジスタ構成】絶縁型【標準ゲートチャージ】3.5 nC @ 4.5 V【最大パワー消費】960 mW

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