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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：45 nC @ 10 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。【パッケージ】DPAK (TO-252)【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(W)】57【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】35【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】19【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-25 ， +25【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：10.6 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：32 nC @ 10 V【高さ(mm)】0.75【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス【パッケージ】MLP8【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】2500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】12【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【整流方式】スイッチング【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(mV)】950【ピーク逆繰返し電圧(V)】200【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】100【最大連続順方向電流(A)】3【ピーク逆回復時間(ns)】20

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【仕様】自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【チャンネルタイプ】P【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】8.4【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】40【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】42【最小ゲートしきい値電圧(V)】1【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20、+20【トランジスタ構成】シングル【最大パワー消費】69 W

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【仕様】小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor【直径(Φmm)】1.5【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【整流方式】小信号【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(V)】1【ピーク逆繰返し電圧(V)】50【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】4【ピーク逆回復時間(ns)】6【最大連続順方向電流(mA)】400

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：1.8 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 10 V【高さ(mm)】0.95【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス【パッケージ】MLPAK33【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(mW)】42000【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】150【最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)】3.6【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor【長さ(mm)】3.6【寸法】1.5 (Dia.) x 3.6 (L)mm【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(テクノロジー)シリコンジャンクション【動作温度(℃)】(Max)+175【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【1チップ当たりのエレメント数】1【最大パワー消費(mW)】500【最大順方向電流(mA)】500【最大ダイオードキャパシタンス(pF)】6【最大逆電圧(V)】125

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【ピン数(ピン)】6【動作温度(℃)】(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大パワー消費(W)】2.4

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【仕様】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】6.7【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】12【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】90【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.4【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8、 +8【トランジスタ構成】シングル【最大パワー消費】52 W

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【仕様】ハーフブリッジMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor【出力電流(A)】0.65【ピン数(ピン)】8【極性】反転， 非反転【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【供給電圧(V)】20【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【ブリッジタイプ】ハーフブリッジ【ドライバ数】2【トポロジー】ハイ/ローサイド【高/低サイド依存性】シンクロナス【出力数】2

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：23 A【シリーズ】UniFET【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ【パッケージ】TO-3PN【実装タイプ】スルーホール【1チップ当たりのエレメント数】1【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】235【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】400【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】190【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 5 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(W)】1.6【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】30【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】75【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-25 ， +25【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】2【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】300360【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】1.2【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】259【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.4【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8、 +8【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：33 A【シリーズ】UniFET【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ【パッケージ】TO-220AB【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】235000【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】250【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】94【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：ファストリカバリー●最大連続 順方向電流：30A【ピン数(ピン)】2【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor【パッケージ】TO-220F【実装タイプ】スルーホール【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(V)】2.2【ピーク逆繰返し電圧(V)】600【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】180【ピーク逆回復時間(ns)】90

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】31【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】100【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】107【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：24 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：31 nC @ 10 V【高さ(mm)】0.75【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス【パッケージ】PQFN8【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】78【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】150【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】103【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】ロジックタイプ：TTL【出力電流(A)】±10.6 ， ±11.4【ピン数(ピン)】8【極性】非反転【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】ローサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor【供給電圧(V)】18【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【ブリッジタイプ】フルブリッジ【ドライバ数】1【トポロジー】ローサイド【高/低サイド依存性】シンクロナス【出力数】2

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【仕様】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【動作温度(℃)】(Max)+150【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(mA)】600【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】240【最小ゲートしきい値電圧(V)】0.6【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-12、 +12【トランジスタ構成】シングル【最大パワー消費】625 mW

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【仕様】ハイサイドMOSFETドライバ、Fairchild Semiconductor【ピン数(ピン)】8【極性】非反転【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【出力電流】0.166666667【供給電圧(V)】20【パッケージ】SOP【実装タイプ】表面実装【ブリッジタイプ】ハーフブリッジ【ドライバ数】1【トポロジー】ハイサイド【出力数】1

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：8.9 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：31 nC @ 10 V【高さ(mm)】1.5【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【パッケージ】SOIC【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(mW)】2500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】80【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】16【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A【幅(mm)】1.4【高さ(mm)】0.94【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(mW)】500【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】52【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8 ， +8【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A【シリーズ】UniFET【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ【パッケージ】TO-220F【実装タイプ】スルーホール【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】38.5【材質(トランジスタ)】Si【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】500【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】265【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-30 ， +30【トランジスタ構成】シングル

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【仕様】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】5【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】6.1【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】58.8【最小ゲートしきい値電圧(V)】1【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20、 +20【トランジスタ構成】シングル【標準ゲートチャージ】19 nC @ 10 V

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.4 nC @ 4.5 V【高さ(mm)】1【ピン数(ピン)】6【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を【パッケージ】SOT-23【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】P【最大パワー消費(mW)】960【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】20【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】115【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-8 ， +8【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している【幅(mm)】4【高さ(mm)】1.5【ピン数(ピン)】8【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N， P【最大パワー消費(W)】2【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大連続ドレイン電流(A)】3.5 、4.5【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】60【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】55105【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20、 +20【トランジスタ構成】絶縁型

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【仕様】小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor【直径(Φmm)】1.5【ピン数(ピン)】2【ダイオード】(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル【整流方式】汎用【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【実装タイプ】表面実装【1チップ当たりのエレメント数】1【最大順方向降下電圧(V)】1.15【ピーク逆繰返し電圧(V)】125【ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)】4【最大連続順方向電流(mA)】500

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【仕様】●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：11.2 nC @ 10 V【シリーズ】PowerTrench【ピン数(ピン)】3【RoHS指令(10物質対応)】10物質対応【特性】PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor【パッケージ】DPAK (TO-252)【実装タイプ】表面実装【チャンネルタイプ】N【最大パワー消費(W)】65【チャンネルモード】エンハンスメント型【最大ドレイン-ソース間電圧(V)】150【最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)】282【最大ゲート-ソース間電圧(V)】-20 ， +20【トランジスタ構成】シングル

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