制御機器 :「pfd」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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電気用品安全法準拠品です。
コイルの化粧紙の色別によりコイル電圧の判別が容易です。
種類コントロールリレー
接点構成4c
端子形状プラグイン端子
接点機構単接点
ピン数(ピン)14
外形寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)21×27.8×40.6
規格c-UL、TUV
極数4
最小適合負荷1V、1mA(参考値)
最大連続印加電圧定格電圧の110%
質量(g)約30
取り付け形状標準形
接触抵抗(mΩ)50以下(初期値)
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
耐衝撃(誤動作)200
耐衝撃(耐久)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
耐振動(誤動作)10~55Hz、複振幅1mm
耐振動(耐久)10~55Hz、複振幅1mm X、Y、Z方向各2時間計6時間
耐電圧コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
定格絶縁電圧(V)250
定格通電電流(A)3
適合ソケットTP514、TP514B、TP514R2、TP514X1、TP514X2
動作時間(ms)20以下
復帰時間(ms)20以下
取付方式プラグイン
保護構造ケース入り
接点材質銀接点
耐電圧(V/min)コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
耐衝撃(誤動作)(m/s2)200
耐衝撃(耐久)(m/s2)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
電気用品安全法準拠品です。
コイルの化粧紙の色別によりコイル電圧の判別が容易です。
種類コントロールリレー
接点構成2c
端子形状プラグイン端子
接点機構単接点
ピン数(ピン)8
外形寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)21×27.8×40.6
規格c-UL、TUV
極数2
最小適合負荷5V、1mA(参考値)
最大連続印加電圧定格電圧の110%
質量(g)約29
取り付け形状標準形
接触抵抗(mΩ)50以下(初期値)
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
耐衝撃(誤動作)200
耐衝撃(耐久)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
耐振動(誤動作)10~55Hz、複振幅1mm
耐振動(耐久)10~55Hz、複振幅1mm X、Y、Z方向各2時間計6時間
耐電圧コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
定格絶縁電圧(V)250
定格通電電流(A)5
適合ソケットTP58、TP58B、TP58R2、TP58X1、TP58X2
動作時間(ms)20以下
復帰時間(ms)20以下
取付方式プラグイン
保護構造ケース入り
接点材質銀接点
耐電圧(V/min)コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
耐衝撃(誤動作)(m/s2)200
耐衝撃(耐久)(m/s2)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
高容量、高耐圧、密封構造で小型パワー・タイプ。耐電圧はコイル-接点間でAC3000V(耐衝撃電圧6kV)の高絶縁性。自動化ラインへの対応を考え、スティック包装も品揃え。標準形でUL508、CSA規格取得。
用途PC、制御機器の出力用途など
小形、軽量で10Aの大接点容量を有しています。各種機器のパワーリレーとして最適です。
小形ながら、AC200V1分間の高耐電圧を有し、アークバリヤ付です。
電気用品取締法準拠品です。
コイルの化粧紙の色別により、コイル電圧の判別が容易です。
種類パワーリレー
接点構成2c
端子形状プラグイン端子
接点機構単接点
ピン数(ピン)8
外形寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)21×27.8×41.3
規格c-UL、TUV
極数2
最小適合負荷5V、100mA(参考値)
最大連続印加電圧定格電圧の110%
質量(g)約31
取り付け形状標準形
接触抵抗(mΩ)50以下(初期値)
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)
耐衝撃(誤動作)200
耐衝撃(耐久)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
耐振動(誤動作)10~55Hz、複振幅1mm
耐振動(耐久)10~55Hz、複振幅1mm X、Y、Z方向各2時間計6時間
耐電圧コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
定格絶縁電圧(V)250
定格通電電流(A)10
適合ソケットTP68、TP68B、TP68R、TP68X2
動作時間(ms)20以下
復帰時間(ms)20以下
取付方式プラグイン
保護構造ケース入り
接点材質銀合金
耐電圧(V/min)コイル-接点、およびc接点相互間、各々:AC2000接点ギャップ間:AC1000ソケットの端子間:AC2000
耐衝撃(誤動作)(m/s2)200
耐衝撃(耐久)(m/s2)1000 X、Y、Z方向各3回計18回
幅広いバリエーションで様々なアプリケーションや環境に対応します。
入力周波数(Hz)100k(MAX)
RoHS指令(10物質対応)対応
耐電圧(V/min)AC2000(入力-出力-電源各端子間相互)
CE-対応品なし
第1入力信号電圧パルス
質量(g)約400
取付方式DINレール取付または壁面取付
外形寸法(mm)97(H)×51(W)×126(D)
構造プラグイン(本体部とソケット部で構成)
ケース色アイボリー色
材質(ケース)耐熱性ABS樹脂(UL94V-0)
センサ用電源DC12V±5%、25mA
絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500V)(入力-出力-電源各端子間相互)
使用温湿度範囲-5℃~+55℃ 90%RH以下(非結露)
消費電力(VA)(電流)約4
リセット電源投入後0.5秒以内に自動リセット
絶縁抵抗100MΩ以上(DC500V)(入力-出力-電源各端子間相互)
RoHS指令(10物質対応)対応
入力波形正弦波または矩形波(DUTY25~75%)
耐電圧(V/min)AC2000(入力-出力-電源各端子間相互)
CE-対応品なし
インパルス電圧10kV、耐電圧4kVの電源開閉用。
入・出力間(コイル-接点間)を完全分離し、耐衝撃電圧10000Vを実現。
コイル-接点間の絶縁距離8mm以上とVDE規格C/250を満足、耐電圧AC4000V以上で電気用品取締法に準拠し、標準形でUL規格508、CSA規格取得。
1aタイプ(TV-8)、2aタイプ(TV-5)がそれぞれTV定格に適合。
RoHS適合。
用途電源装置
1a接点10A、1a1b接点8Aと小型高容量タイプ。
1a接点10A、1a1b接点8Aと省スペースニーズの強い電源開閉および出力用。
高さ10mm、幅20mm、長さ15mmと小型化を実現。
標準形でUL508、CSA規格取得。
RoHS適合。
用途制御機器の出力用途
プリント基板上でスイッチを使用しないで回路の変換や切替が出来る短絡用ソケットとピンヘッダです。小型、軽量のコンパクト設計で、基板上の高密度実装に最適です。取扱い容易で作業性もよく経済的価格でご利用頂けます。
形状ストレート
種類角型
定格電流(A)3
結合方式ワンタッチ
コンタクトピッチ(mm)2.54
結線方法基板実装
仕様●極数:5●実装タイプ:スルーホール, パネルマウント●コネクタサイズ:M12●プラグ/ソケット:ソケット●結線方法:はんだ●IP保護等級:IP67, IP68●定格電流:16.0A●定格電圧:63.0 V●シリーズ:M12L●ポール形式:5P●コード番号:189-1776
アズワン品番65-7776-89
1個
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,010
税込¥2,211
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:48.5 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)650
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30
トランジスタ構成シングル
1個
¥439
税込¥483
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30
トランジスタ構成シングル
1個
¥479
税込¥527
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費33.8 W
1箱(10個)
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:39 A
幅(mm)4.9
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)37
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30
トランジスタ構成シングル
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- 制御機器
- はんだ関連・静電気対策用品
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