制御機器 ：「FDC」の検索結果

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

鉛の使用をなくし、環境保全に対応。 VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。 AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。

鉛の使用をなくし、環境保全に対応。VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。

海外規格UL、CSA、SEV認定品と電気用品安全法準拠品にしています。 耐電圧2000Vをクリア。 海外規格LR、VDE認定形も揃えています。 AC4定格、DC2定格。

海外規格UL、CSA、SEV認定品と電気用品安全法準拠品にしています。耐電圧2，000Vをクリア。海外規格LR、VDE認定形も揃えています。3、4極はAC4定格、DC2定格

電気用品安全法準拠品です。 コイルの化粧紙の色別によりコイル電圧の判別が容易です。

電気用品安全法準拠品です。 コイルの化粧紙の色別によりコイル電圧の判別が容易です。

小形、軽量で10Aの大接点容量を有しています。各種機器のパワーリレーとして最適です。 小形ながら、AC200V1分間の高耐電圧を有し、アークバリヤ付です。 電気用品取締法準拠品です。 コイルの化粧紙の色別により、コイル電圧の判別が容易です。

コイル接点間で高耐電圧2000V AC、高耐衝撃電圧2500V 2×10μs(テルコーディア規格)を実現。定格消費電力140mWの高感度化を実現。高さ9.4mm×幅7.5mm×長さ15mmの小形サイズ。耐熱材料の使用により、IRS実装法に対応。標準形式でUL/CSA規格取得。プリント基板用端子タイプ(形G6S□-2)をシリーズ追加。EN60950認証タイプも品揃え。(-Yタイプ)

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

大音量ホーン内蔵のLED大型積層信号灯 グローブは耐衝撃性、耐熱性に優れたポリカーボネートレンズ使用 大型機器など高所に設置されることを考慮した充分な明るさ 製品表面にほこりがたまりにくい凸凹を無くしたグローブユニット 保護特性IP53で、水気や塵埃の多い工場でも使用できます。 NPNオープンコレクタ対応で、PLC等での直接駆動ができます。 欧州RoHS指令、24V仕様はCEマーキング対応 減音機能やSDカードによる音色グループ変更など充実の機能

セーフティライトカーテンを直列接続する場合に使用。投・受光器2本1セット

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A、2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ， 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。