制御機器 ：「vf線」の検索結果
制御機器は機器を制御する回路の為のスイッチ、リレー、コントロールボックス等の総合カテゴリーです。制御機器のリレーとは、スイッチやタイマーと連動し一定条件で電流のオン・オフを行うものです。制御機器内には電源の接点があり、国際規格のIEC規格に準拠しているものや、JISに準拠しているものがあります。JISとIECは内容の整合がはかられていますが、その対応はIDT、MOD、NEQと分かれています。この中でNEQはIECと同等とは認められません。
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種類電源コード
定格電圧(V)125
芯数(C)2
RoHS指令(10物質対応)対応
。LEDにポリウレタン銅線をハンダ付けしています。リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。
仕様●LEDサイズ：1608(0603)●発光色：赤●VF：2.0V●IF：10mA●線径：0.1mm●長さ：20cm●アノード：赤色(ポリウレタン銅線の色)●カソード：茶色(ポリウレタン銅線の色)●※リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。●※ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。●※外観、仕様は予告なく内容を変更することがありますので、あらかじめご了承下さい。
アズワン品番67-2187-71
1袋(5本)
￥559
税込￥615
7日以内出荷
SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
￥31,980
税込￥35,178
7日以内出荷
LEDにポリウレタン銅線をハンダ付けしています。リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。
LEDにポリウレタン銅線をハンダ付けしています。リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。
仕様●LEDサイズ：1005(0402)●発光色：白●VF：3.1V●IF：5mA●線径：0.1mm●長さ：20cm●アノード：赤色(ポリウレタン銅線の色)●カソード：茶色(ポリウレタン銅線の色)●※リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。●※ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。●※外観、仕様は予告なく内容を変更することがありますので、あらかじめご了承下さい。
アズワン品番67-2187-65
1袋(5本)
￥559
税込￥615
7日以内出荷
LEDにポリウレタン銅線をハンダ付けしています。リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。
仕様●LEDサイズ：2012(0805)●発光色：白●VF：3.1V●IF：10mA●線径：0.1mm●長さ：20cm●アノード：赤色(ポリウレタン銅線の色)●カソード：茶色(ポリウレタン銅線の色)●※リード線は、ポリウレタンの被膜で覆われているため、直接ハンダ付け出来ません。被膜を剥がすか、被膜のない先端部分にハンダ付けをしてください。●※ハンダ付け部分にテンションがかかると、リード線が外れる場合があります。注意してお取り扱いください。●※外観、仕様は予告なく内容を変更することがありますので、あらかじめご了承下さい。
アズワン品番67-2187-64
1袋(5本)
￥419
税込￥461
7日以内出荷
[砲弾型]Φ5mmサイズのスーパーデラックス パワー赤外線LEDです。リード端子に放熱用サーマルパッドを備え、最大100mAの順電流、高い放射光出力を実現しています。リモコンやIrDAデータ通信、エンコーダーなどに適しています。波長(WD)は850nmです。
仕様●入数：10個入●形状：砲弾型●不可視光線●レンズ：Φ5mm 透明●順電圧(VF)：1.6V(typ. @IF=100mA)●放射束：60mW(typ. @IF=100mA)●指向角：15°(2θ1/2 @IF=100mA)●波長(WP)：850nm(typ. @IF=100mA)●注意事項●▼詳細の内容はあくまでメーカー標準値であり、ロットにより輝度ランクや色座標が異なる場合があります。輝度ランクのご指定や、輝度ランクの異なりによる交換/返品対応はできませんので、あらかじめご了承ください。●▼外観、仕様は予告なく内容を変更することがありますので、あらかじめご了承下さい。
アズワン品番65-9620-66
1袋(10個)
￥779
税込￥857
7日以内出荷
[砲弾型]Φ5mmサイズのスーパーデラックス パワー赤外線LEDです。リード端子に放熱用サーマルパッドを備え、最大100mAの順電流、高い放射光出力を実現しています。リモコンやIrDAデータ通信、エンコーダーなどに適しています。波長(WD)は940nmです。
仕様●入数：10個入●形状：砲弾型●不可視光線●レンズ：Φ5mm 透明●順電圧(VF)：1.6V(typ. @IF=100mA)●放射束：60mW(typ. @IF=100mA)●指向角：15°(2θ1/2 @IF=100mA)●波長(WP)：940nm(typ. @IF=100mA)●注意事項●▼詳細の内容はあくまでメーカー標準値であり、ロットにより輝度ランクや色座標が異なる場合があります。輝度ランクのご指定や、輝度ランクの異なりによる交換/返品対応はできませんので、あらかじめご了承ください。●▼外観、仕様は予告なく内容を変更することがありますので、あらかじめご了承下さい。
アズワン品番65-9620-67
1袋(10個)
￥799
税込￥879
8日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：8mm 、 寸法：6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
￥299,800
税込￥329,780
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット 実装タイプ：表面実装 セルタイプ：スプリットゲート 動作供給電圧 Min：2.7 、 動作供給電圧 Max：3.6 、 長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
￥47,980
税込￥52,778
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：4.9mm 、 高さ：1.5mm 、 幅：3.9mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥24,980
税込￥27,478
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit、インターフェースタイプ：SPI、パッケージタイプ：SOIC、ピン数：8、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V、動作供給電圧 Max：3.6 V、長さ：4.9mm、高さ：1.25mm、幅：3.9mm、寸法：4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数：2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
￥29,980
税込￥32,978
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：WDFN●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：6mm●高さ：0.75mm●幅：5mm●寸法：6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間：3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
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