制御機器 ：「1.25 3N」の検索結果

インターフェース端子台のコモン配線省略化に貢献! コンパクト設計 工数削減に貢献 35mmレール取付

【モータ保護に適用可能】標準モータの過負荷、拘束保護に適用可能です。 【電流値設定が容易】モータの電流値を直接設定出来ます。+-いずれのドライバで調整ください。 【リセット方式の変更】手動リセット、自動リセットの変更が容易です。 【1a1b接点付】a、b接点異電圧使用が可能です。

特殊用途端子台・防水中継端子ボックス、コモン用端子台

樹脂材料に耐候性、耐油性に優れたナイロンアロイを使用しています。 ケースの側壁を端子部より下げることにより、配線しやすい構造になっています。 カバー面の平らなスペースに銘板を貼付けることができます。

放熱器一体の小型、スリムタイプ三相ヒータ用ソリッドステート・コンタクタ

特性インピーダンス50Ω-75Ω間のインピーダンスマッチングを取る目的で使用します。

RoHS対応 サージパス機能により出力回路のサージ電圧耐性を向上(メーカー試験条件による) 三相一体型構造でスリム化を実現 形状はDINレール取りつけタイプとねじ取りつけタイプを用意 DINレール取りつけタイプはDINレール取りつけ構造を標準化(適合DINレール：TR35-15Fe(IEC60715)) UL、CSA、EN規格(TUV認定)を取得

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 340 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.25mm順方向ダイオード電圧 = 1.4VFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.85mm幅 = 1.7mm高さ = 1.25mm寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.25mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

操作しにくい小さなスイッチを、画面ごと拡大して、簡単に操作できます。拡大後、画面をスクロールして、操作したいエリアを自由に表示できます。また、2点押し操作ができ、誤操作を防止できます。SDメモリカードを標準サポートし、Ethernet、RS-232、RS-422/485、USBホスト/デバイスを標準搭載。ロギング、スクリプト、アラーム、デバイスデータ転送などの高負荷処理中でも快適な画面操作を実現。シーケンサCPUなどのプログラムやパラメータをGOTのSDメモリカード・USBメモリに保存 (バックアップ) でき、シーケンサ故障時にはGOTから一括で書き戻し (リストア) できます。1台のGOTで、最大4チャンネルのFA機器 (シーケンサ、サーボ、インバータ、温度調節器など) をモニタできます。

操作しにくい小さなスイッチを、画面ごと拡大して、簡単に操作できます。拡大後、画面をスクロールして、操作したいエリアを自由に表示できます。また、2点押し操作ができ、誤操作を防止できます。SDメモリカードを標準サポートし、Ethernet、RS-232、RS-422/485、USBホスト/デバイスを標準搭載。ロギング、スクリプト、アラーム、デバイスデータ転送などの高負荷処理中でも快適な画面操作を実現。さらに、映像の録画や、動画の再生、ビデオ入力やRGB入出力にも対応し、GOT2000のすべての機能が使用できます。シーケンサCPUなどのプログラムやパラメータをGOTのSDメモリカード・USBメモリに保存 (バックアップ) でき、シーケンサ故障時にはGOTから一括で書き戻し (リストア) できます。1台のGOTで、最大4チャンネルのFA機器 (シーケンサ、サーボ、インバータ、温度調節器など) をモニタできます。

4.5mmピッチの防水コネクタです。 コネクタに内蔵したワイヤーシールに端子を押し込みリテーナで保持して防水性を確保しています。

4.5mmピッチの防水コネクタです。 コネクタに内蔵したワイヤーシールに端子を押し込みリテーナで保持して防水性を確保しています。

RS Pro 3 相障害シーケンス及び低電圧リレー RS Pro 3 相電圧監視リレーは、 3 線又は 4 線電源に接続するのに使用します。このリレーは、自己電源を監視し、外部コンタクタと組み合わせて、障害が発生した場合に負荷 / 機器への供給を遮断するように設計されています。機能出力リレーに通電するには、すべての相(及びニュートラル(該当する場合))が存在し、設定されたトリップレベル内で測定された位相電圧を備えている必要があります。本製品は、相回転 / シーケンスを監視しません。これらの条件のいずれかが満たされていない場合、リレー( + コンタクタ)は通電を遮断し、電源を遮断して、機器を保護します。特長と利点コンパクトな 17.5 mm DIN レールハウジング マイクロプロセッサベース 真のRMS位相間の電圧( 3 線)又は位相とニュートラル間の電圧( 4 線)の測定及び監視 ほとんどの一般的な 3 線又は 4 線供給電圧に合わせて公称電圧を選択可能です 自己電源を監視し、 1 つ又は複数の位相で低電圧状態を検出します 誤った位相シーケンス、欠相、ニュートラル損失1を検出 低電圧遮断レベルの調整 時間遅延の調整 DPDTリレー出力: 5 A 電源ステータスを示す緑色のLED表示 リレーステータスを表す赤色LED表示電気仕様入力： L1 、 L2 、 L3 、 N 電源 / 監視電圧 Un ：この製品では、 6 つの公称電圧から選択できます 3 線監視： 380 、 400 、 415 V ac 4 線式モニタリング： 220 、 230 、 240 V ac 周波数範囲： 48 ～ 63Hz 電源電圧の変動 :243-540V AC ( L>) 過電圧カテゴリ III ( IEC60664 ) 定格インパルス耐電圧： 4 kV (1.2/50 μ S) 消費電力(最大)： 2.5VA 出力： 15 、 16 、 18/25 、 26 、 28 リレー設定 : DPDT 出力定格： AC1 → 250 V 5 A 、 AC15 → 250 V 2 A 、 DC1 → 25 V 5 A 電気的寿命：定格負荷時に 150 、 000 回以上 誘電電圧： 2kV AC ( rms ) IEC60947-7-1 定格インパルス耐電圧： 4kV (1.2/50 μ s) IEC 60664寸法幅 :17.5 mm x 高さ :89 mm x 奥行き :66.5 mm注仕様やセットアップの詳細については、 RS Pro データシートを参照してください。

ムラタGRM 0805 C0G誘電体村田GRMシリーズは小型で静電容量が大きく、多層構造 .GRMシリーズ温度補償タイプは、同調回路、発振回路、高周波フィルタ回路用、そして定格電圧が200 Vを超える電源ダンパースナバーに最適特長と利点:高信頼性、極性なし 外部電極にスズめっきを施すことで、優れたはんだ付け性を実現

KEMETのC0G誘電体は、最大動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies & Materials Association)から、C0G誘電体はクラスI材質に定義されています。この分類のコンポーネントは温度補償が適用されるので、共振回路の用途や静電容量のQ特性と安定性が要求される場合に適しています。鉛(Pb)フリー、RoHS、REACH準拠 圧電ノイズなし ESR及びESLが極めて低い 熱安定性が高い 高いリプル電流性能

RS Pro 3 相低 / 過電圧リレー、相シーケンス付きRS Pro 3 相監視リレーは、 3 線又は 4 線電源に接続するのに使用します。このリレーは、自己電源を監視し、外部コンタクタと組み合わせて、障害が発生した場合に負荷 / 機器への供給を遮断するように設計されています。機能出力リレーに通電するには、すべての位相(及び該当する場合はニュートラル.)が存在し、位相シーケンスが正しく、測定された位相非対称 / 不平衡が設定限度内に存在する必要があります。これらの条件のいずれかが満たされていない場合、リレー( + コンタクタ)は通電を遮断し、電源を遮断するため、機器を保護します。特長と利点監視リレー コンパクトな 17.5 mm DIN レールハウジング マイクロプロセッサベース 真のRMS位相間電圧( 3 線)又は位相とニュートラル間電圧( 4 線)の測定及び監視 ほとんどの一般的な 3 線又は 4 線供給電圧に合わせて公称電圧を選択可能です 自己電源を監視して、1つ以上の位相が設定された低電圧又は過電圧遮断レベルを超えた状態を検出 誤った位相シーケンス、欠相、ニュートラル損失1を検出 低電圧及び過電圧遮断レベルと時間遅延を調整 DPDTリレー出力: 5 A 電源ステータスを示す緑色の LED 表示とリレーステータスを示す赤色の LED 表示電気仕様入力： L1 、 L2 、 L3 、 N 電源 / 監視電圧 Un ：この製品では、 6 つの公称電圧から選択できます 3 線監視： 380 、 400 、 415 V ac 4 線式モニタリング： 220 、 230 、 240 V ac 周波数範囲： 48 ～ 63Hz 電源電圧の変動 :243-540V AC ( L>) 過電圧カテゴリ III ( IEC60664 ) 定格インパルス耐電圧： 4 kV (1.2/50 μ S) 消費電力(最大)： 2.5VA 出力： 15 、 16 、 18/25 、 26 、 28 リレー構成： DPDT 出力定格： AC1 → 250 V 5 A 、 AC15 → 250 V 2 A 、 DC1 → 25 V 5 A 電気的寿命：定格負荷時に 150 、 000 回以上 誘電電圧： 2kV AC ( rms ) IEC60947-7-1 定格インパルス耐電圧： 4kV (1.2/50 μ s) IEC 60664寸法幅 :17.5 mm x 高さ :89 mm x 奥行き :66.5 mm注仕様やセットアップの詳細については、 RS Pro データシートを参照してください。

Yageo 33nF コンデンサは、セラミック誘電体の長方形ブロックで構成され、複数のインターリーブ金属電極が含まれています。この構造により、単位体積あたりの静電容量が大きくなります。内部電極は、2 つの終端に接続され、最後にめっきスズの層で覆われています。エンド終端は鉛フリーです ハロゲンフリーに適合しています

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。